一种锑化镓单晶片的钝化方法技术

本发明专利技术公开了一种锑化镓单晶片的钝化方法。其步骤是：抛光之后将陶瓷盘取下，使用去离子水对陶瓷盘喷淋，喷淋时间在10-30s；喷淋后将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；溶液温度为5-30℃；溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5-10mm；钝化时长为20-120s；钝化结束后将陶瓷盘取出，用去离子水冲洗，用压缩空气吹干后，准备进行下一步的清洗工艺。采用硫化铵溶液对抛光结束后的锑化镓晶体表面进行钝化处理，可以以较快的速率在晶片表面形成数个纳米厚的硫化物钝化层。这一硫化层分布均一，在空气中化学性质稳定，不会与氧气自发作用，在较长的时间尺度上保持了化学成分的固定，大大提高了成品锑化镓晶片的表面电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的加工工艺，尤其是涉及。
技术介绍
GaSb (锑化镓)是一种多用途的II1-V型半导体材料，GaSb与其他半导体材料的异质结在近红外激光器、发光二极管、大气污染探测器、热-光电设备以及波长范围2-5及8-14 μπι的光电探测器上表现出了良好的应用前景。此外，GaSb的晶格常数使它非常适于作为AlGaIn (铝镓铟)、AsSb (锑化砷)等三元或四元II1-V型半导体以及其他超晶格结构的外延生长表面。GaSb化学性质非常活泼，极易于氧化，这使得锑元素在加工过程中倾向于生成天然氧化层，从而在原始GaSb表面产生了高密度表面态以及无发射的复合中心。而且氧化作用产生了单质锑元素层，其存在形成了一条与活性区域平行的导电通道，使得由此制得的半导体器件的电性能并不理想。为了获得表面性能良好的GaSb晶片，必须对晶片实施钝化工艺，以保证平整的晶片表面不会在空气中形成自然氧化层，并影响性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，该方法能在不损伤抛光获得的平整晶面的情况下，在锑化镓晶片表面获得稳定的硫钝化层，并阻止氧化层的形成。为了达到上述目的，本专利技术采取的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锑化镓单晶片的钝化方法，其特征在于，化学机械抛光之后，将载有锑化镓单晶片的陶瓷盘取下，迅速使用去离子水对陶瓷盘进行喷淋，喷淋时间控制在10‑30s；喷淋结束后，将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；硫化铵溶液温度为5‑30℃；硫化铵溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5‑10mm；钝化时长为20‑120s；钝化工艺结束后将陶瓷盘取出，用去离子水冲洗，直至残留的硫化铵溶液全部洗净；用压缩空气吹干后，准备进行下一步的清洗工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢伟涛，李晖，徐永宽，程红娟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12