温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种锑化镓单晶片的钝化方法。其步骤是：抛光之后将陶瓷盘取下，使用去离子水对陶瓷盘喷淋，喷淋时间在10-30s；喷淋后将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；溶液温度为5-30℃；溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5-10mm；钝化时长为2...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。