移位寄存器制造技术

将单位电路(1)多级连接而构成移位寄存器。输出晶体管(Tr1)根据栅极电位来切换是否输出时钟信号(CKA)。置位晶体管(Tr2)根据置位控制部(3)的输出来切换是否将导通电位输出部(2)的输出供给到Tr1的栅极端子。置位控制部(3)在对Tr1的栅极端子供给高电平电位的期间的一部分，将Tr2的栅极端子控制为浮置状态。使Tr2的栅极电位上顶而上升，对Tr1的栅极端子供给没有阈值降低的高电平电位，减小在输出信号(OUT)成为高电平时输出信号(OUT)的变弱。由此，能够增大对于晶体管的阈值电压的变动的动作裕度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及移位寄存器，特别是涉及适合在显示装置的驱动电路等中使用的移位寄存器。
技术介绍
有源矩阵型的显示装置以行单位选择呈二维状配置的像素电路，将与显示数据相应的电压写入到所选择的像素电路中，由此显示图像。为了以行单位选择像素电路，作为扫描线驱动电路，使用基于时钟信号依次将输出信号移位的移位寄存器。另外，在进行点顺序驱动的显示装置中，在数据线驱动电路的内部设置有同样的移位寄存器。在液晶显示装置等中，使用用于形成像素电路内的TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)的制造工艺，将像素电路的驱动电路与像素电路形成为一体。在这种情况下，为了削减制造成本，优选用与TFT相同的导电型的晶体管形成包含移位寄存器的驱动电路。对于移位寄存器，根据现有技术提案有多种电路。图61是表示专利文献I中记载的移位寄存器的结构的框图。图61所示的移位寄存器，通过将图62所示的单位电路91多级连接而构成，按照图63所示的时序图动作。在该移位寄存器中，采用自举(bootstrap)方式。以下将晶体管的阈值电压设为Vth，将高电平电位设为VDD。对单位电路91供给前级的单位电路91本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有将多个单位电路多级连接的结构的移位寄存器，其特征在于：所述单位电路包括：输出晶体管，该输出晶体管的第一导通端子与用于输入时钟信号的时钟端子连接，该输出晶体管的第二导通端子与用于输出所述时钟信号的输出端子连接；输出对所述输出晶体管的控制端子供给的导通电位的导通电位输出部；置位晶体管，该置位晶体管的第一导通端子被供给所述导通电位输出部的输出，该置位晶体管的第二导通端子与所述输出晶体管的控制端子连接；和置位控制部，其对所述置位晶体管的控制端子切换地施加导通电位与截止电位，所述置位控制部在所述输出晶体管的控制端子被供给导通电位的期间的一部分，将所述置位晶体管的控制端子控制为浮置状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上祐一郎，佐佐木宁，古田成，西修司，横山真，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP