【技术实现步骤摘要】
本技术涉及通过树脂封装壳体内且能够在高温区域内进行工作的半导体装置。
技术介绍
用于取代使用模具的压铸模，已存在使用树脂壳体的半导体装置。在这种半导体装置中，作为半导体元件，有时使用SiC等的化合物半导体。SiC等的化合物半导体相比以往的Si半导体而言，能够在高温区域进行工作，可期待实现小型化和高效率化。在使用SiC等的能够实现高温工作的半导体元件的半导体装置中，为了保证在高温区域的工作，对于覆盖半导体元件的封装材料使用耐热性相对高于环氧类树脂的例如凝胶材料。其中，凝胶材料主要为硅类树脂，因而硬度较低，缺少保护半导体元件的功能。因此，已经公知的技术是与作为覆盖凝胶材料的外围体的环氧类树脂组合起来以形成多层结构。(专利文献I)专利文献I日本特开平08-124951号公报然而，在上述现有技术中，环氧类树脂与凝胶材料之间的界面的紧密贴合性较低，易于产生剥离或空隙。相比通过使用模具的压铸模形成的半导体装置而言，作为使用壳体的半导体装置，除了上述界面的紧密贴合性的降低之外，还存在壳体内壁面与树脂间的紧密贴合性，它们会导致半导体装置的可靠性的降低，从而产生问题。【技...
【技术保护点】
一种半导体装置，其具有：半导体元件；基板，其一个主表面上搭载有该半导体元件；壳体，其配置于该基板的一个主表面或侧表面上，且被配置为包围所述半导体元件；以及封装体，其覆盖所述基板的被所述壳体包围的一个主表面侧，该半导体装置的特征在于，所述封装体从所述基板的一个主表面侧起依次具有第1层、第2层和第3层，所述第1层覆盖所述半导体元件，且接触所述壳体的内壁面，所述第3层隔着所述第2层覆盖所述第1层的主表面，且接触所述壳体的内壁面，所述第1层由耐热性优于所述第3层的树脂构成，所述第3层由硬度高于所述第1层的树脂构成，所述第1层与所述第2层之间的紧密贴合性和所述第2层与所述第3层之间的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谷山敏，金辰德，木桥孝允，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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