本发明专利技术的课题在于提供一种附半导体密封用基材的密封材料，所述附半导体密封用基材的密封材料能制造出外观和激光标记性良好的半导体装置。为了解决上述课题，本发明专利技术提供一种附半导体密封用基材的密封材料，用于对搭载有半导体元件的半导体元件搭载基板的元件搭载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面进行总括密封，所述附半导体密封用基材的密封材料的特征在于：该附半导体密封用基材的密封材料具有基材、由形成于该基材的其中一个的表面上的未固化或半固化的热固化性树脂所形成的密封树脂层、以及形成于前述基材的另一个的表面上的表面树脂层，在测定角度60°时，该表面树脂层的光泽度为60以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种密封材料，所述密封材料能对搭载有半导体元件的基板的元件搭 载面、或形成有半导体元件的晶片（wafer)的元件形成面，以晶片级进行总括密封；尤其涉 及一种附半导体密封用基材的密封材料、使用该附半导体密封用基材的密封材料而制造出 来的半导体装置、及所述半导体装置的制造方法。
技术介绍
关于搭载有半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或形成有半导体元件的晶片 的半导体元件形成面的晶片级密封，先前以来已提出且研宄出各种方式，例如有如下方法： 利用旋涂法进行密封、利用网版印刷进行密封（专利文献1)，或使用在膜支撑体上涂布有 热熔性环氧树脂的复合片（专利文献2和专利文献3)。 其中，作为搭载有半导体元件的基板的半导体元件搭载面的晶片级密封方法， 近来，如下方法逐步量产化，所述方法是指将具有双面粘合层的膜粘贴在金属、硅晶片 (siliconwafer)、或玻璃基板等的上部、或利用旋涂法等塗布粘合剂之后，将半导体元件 排列并粘合、搭载在基板上而形成半导体元件搭载面，之后，利用液态环氧树脂或环氧模塑 料等，在加热条件下进行加压成型从而进行密封，由此，对半导体元件搭载面进行密封（专 利文献4)。而且，同样地，作为形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面的晶片级密封 方法，近来，如下方法也逐渐量产化，所述方法是指利用液态环氧树脂或环氧模塑料等，在 加热条件下进行加压成型从而进行密封，由此，对半导体元件形成面进行密封。 然而，以上的方法中，若使用直径200mm(8英寸）左右的小直径晶片或金属等的小 直径基板，则目前也能进行密封而不存在大问题，但若对直径300mm(12英寸）以上的搭载 有半导体元件的大直径基板或形成有半导体元件的大直径晶片进行密封时，则会出现密封 固化时因环氧树脂等密封用树脂的收缩应力而使基板或晶片产生翘曲这一大问题。而且， 当对搭载有半导体元件的大直径基板的半导体元件搭载面以晶片级进行密封时，会发生当 密封固化时因密封用树脂的收缩应力而使半导体元件从金属等的基板剥离这样的问题，这 些问题会大大阻碍半导体装置的由总括密封所实行的量产化。 作为解决此种问题的方法，可列举使用附半导体密封用基材的密封材料的方法， 所述方法中，为了对搭载有半导体元件的基板的元件搭载面进行总括密封，而使所述附半 导体密封用基材的密封材料具有树脂含浸纤维基材和未固化树脂层，所述树脂含浸纤维基 材是使纤维基材中含浸热固化性树脂并使该热固化性树脂半固化或固化后而得，所述未固 化树脂层是由形成在该树脂含浸纤维基材的单面上的未固化的热固化性树脂所形成（专 利文献5)。 若为此种附半导体密封用基材的密封材料，则膨胀系数非常小的树脂含浸纤维基 材能抑制密封固化时的未固化树脂层的收缩应力。因此，当对大直径晶片或金属等的大直 径基板进行密封时，也能抑制基板的翘曲和半导体元件从基板剥离的情况，且也能对搭载 有半导体元件的基板的半导体元件搭载面以晶片级进行总括密封。而且，密封后的耐热性 和耐湿性等密封性能优良，从而成为通用性非常高的附半导体密封用基材的密封材料。 然而，使用了上述的附半导体密封用基材的密封材料而成的半导体装置，其表面 上显现出基材的面，因此，与现有的利用热固化性环氧树脂等进行密封的情况相比，存在外 观和激光标记性受损的问题。 (专利文献） 专利文献1 :日本特开2002-179885号公报 专利文献2 :日本特开2009-060146号公报 专利文献3 :日本特开2007-001266号公报 专利文献4 :日本特表2004-504723号公报 专利文献5 :日本特开2012-151451号公报
技术实现思路
本专利技术是为了解决使用了附半导体密封用基材的密封材料而成的半导体装置中 的上述问题而完成的，其目的在于提供一种附半导体密封用基材的密封材料，其可制造外 观和激光标记性良好的半导体装置；及提供一种使用了附半导体密封用基材的密封材料而 成的半导体装置与半导体装置的制造方法。 为了解决上述课题，本专利技术中，提供一种附半导体密封用基材的密封材料，用于对 搭载有半导体元件的半导体元件搭载基板的元件搭载面、或形成有半导体元件的半导体元 件形成晶片的元件形成面进行总括密封，所述附半导体密封用基材的密封材料的特征在 于： 该附半导体密封用基材的密封材料具有基材、由形成于该基材的其中一个的表面 上的未固化或半固化的热固化性树脂所形成的密封树脂层、及形成于前述基材的另一个的 表面上的表面树脂层， 在测定角度60°时，该表面树脂层的光泽度为60以下。 另外，本专利技术中记载的光泽度是指利用JISZ8741 "镜面光泽度-测定方法"中 记载的方法所测定的测定角度60°时的光泽度。 若为此种附半导体密封用基材的密封材料，则因具有表面树脂层，故可制造出外 观和激光标记性良好的半导体装置。进一步，若在测定角度60°时，表面树脂层的光泽度 为60以下，则能抑制半导体装置的表面上显出半导体元件印迹这一外观不良，从而能制造 出外观和激光标记性良好的半导体装置。 而且，此时，优选的是，前述表面树脂层中，相对于该表面树脂层中的100质量份 的树脂成分，含有100~1100质量份的无机填充剂和1质量份以上的颜料。 若含有所述量的无机填充剂和颜料，则能进一步抑制光泽度，而使外观和激光标 记性变得良好。 而且，此时，优选的是，前述表面树脂层是由固化性环氧树脂、固化性硅酮树脂、固 化性环氧?硅酮混成树脂、固化性环氧（甲基）丙烯酸酯、固化性（甲基）丙烯酸树脂、固 化性聚酰亚胺树脂中的任一种所形成。而且，前述表面树脂层优选的是黑色的。 若为上文所述，则能确实地使外观和激光标记性变得良好。 而且，此时，优选的是，前述表面树脂层是以使用液态树脂的印刷方式、喷射方式、 涂布方式、或膜热压接方式形成且利用热或光进行固化后所得的层。 若为上文所述，则能容易地形成表面树脂层。 而且，此时，优选的是，前述表面树脂层的厚度为0. 5ym以上。 若为此种厚度，则当利用激光作标记时，基材表面不会露出而破坏外观，从而能制 造出抑制了翘曲的半导体装置。 进一步，本专利技术中，提供一种半导体装置，所述半导体装置是利用上述的附半导体 密封用基材的密封材料的密封树脂层对前述半导体元件搭载基板的元件搭载面、或前述半 导体元件形成晶片的元件形成面进行总括密封之后，进行切割而个体化所得。 若为此种半导体装置，则能使外观和激光标记性变得良好。 而且，此时，能在前述附半导体密封用基材的密封材料的表面树脂层的表面上作 记D 这样，通过使用本专利技术的附半导体密封用基材的密封材料，能成为一种具有所需 的标记的外观良好的半导体装置。 进一步，本专利技术中，提供一种半导体装置的制造方法，其是制造半导体装置的方 法，其包括如下步骤： 被覆步骤，其利用前述的附半导体密封用基材的密封材料的密封树脂层，被覆前 述半导体元件搭载基板的元件搭载面、或前述半导体元件形成晶片的元件形成面； 密封步骤，其通过对前述密封树脂层进行加热且使其固化，而对前述元件搭载面 或前述元件形成面进行总括密封；及， 切割步骤，其通过对密封后的前述半导体元件搭载基板或前述半导体元件形成晶 片进行切割，而制造出个体化的半导体装置。 若为此种制造方法，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种附半导体密封用基材的密封材料，其用于对搭载有半导体元件的半导体元件搭载基板的元件搭载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面进行总括密封，其特征在于，该附半导体密封用基材的密封材料具有基材、由形成于该基材的其中一个的表面上的未固化或半固化的热固化性树脂所形成的密封树脂层、以及形成于前述基材的另一个的表面上的表面树脂层，在测定角度60°时，该表面树脂层的光泽度为60以下。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村朋阳，秋叶秀树，塩原利夫，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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