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本实用新型提供一种半导体装置，其耐热性较高且高可靠性。本实用新型的半导体装置具有半导体元件、引线、配置为包围所述半导体元件和所述引线的壳体、以及封装被所述壳体包围的区域的封装体，其特征在于，所述封装体具有第1层、第2层和第3层，所述第1层的...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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