本发明专利技术提供一种封装装置，其包括一第一导线层、一第一介电层、一第一导电层、一第一缓冲层、一第二导线层以及一防焊层。一第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面。第一介电层设置于第一导线层的部分区域内。第一导电层设置于第一导线层的第二表面上。第一缓冲层设置于第一导电层的部分区域内。第二导线层设置于第一缓冲层与第一导电层的一端上。防焊层设置于第一缓冲层与第二导线层上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是有关于一种半导体。
技术介绍
在新一代的电子产品中，不断追求更轻薄短小，更要求产品具有多功能与高性能，因此，集成电路(Integrated Circuit, IC)必须在有限的区域中容纳更多电子元件以达到高密度与微型化的要求，为此电子产业开发新型构装技术，将电子元件埋入基板中，大幅缩小构装体积，也缩短电子元件与基板的连接路径，另外还可利用增层技术(Build-Up)增加布线面积，以符合轻薄短小及多功能的潮流趋势。集成电路的封装技术在高阶技术的需求下，绝大部分的高阶晶片都采用覆晶封装(Flip Chip, FC)形成,特别是在一种晶片尺寸封装(Chip Scale Package, CSP)为目前集成电路基板适用在封装方式的主流产品，其主要应用于智慧型手机、平板、网通、笔记型电脑等产品，需要在高频高速下运作及需要轻薄短小的集成电路封装。对于封装用的载板而言，则朝向细线路间距、高密度、薄型化、低成本化与高电气特性发展。图1为传统的玻璃纤维基板封装结构。玻璃纤维基板封装结构10包括有玻璃纤维基板100,例如可为玻纤环氧树脂铜箔基板(Bismaleimide Triazine, BT)或FR-5基板，其中玻璃纤维基板100经由雷射钻孔(Laser Via)而形成凹槽110与复数个导通孔120，电子元件130固定在凹槽110中，导电柱层140设置在部份的导通孔120中，第一导电层142、144分别设置在玻璃纤维基板100上且与导电柱层140电性导通，绝缘层150覆盖凹槽110与电子元件130，并再经由雷射钻孔而形成复数个导通孔120，第二导电层146、148设置在绝缘层150的上且经由导电柱层140与与电子元件130及第一导电层142、144电性导通。然而，上述传统的玻璃纤维基板封装结构，除了使用玻璃纤维材质作为基板的成本过于昂贵外，此外将玻璃纤维基板薄型化易产生翘曲变形，并且固有基材内含有玻璃纤维材质会造成雷射钻孔的加工难度较高，无法满足细线路要求，进而布线较为麻烦，而反复利用雷射钻孔技术来形成雷射盲埋孔的迭层结构，其复数次雷射钻孔加工时间较长且制程复杂，故整体封装制程的成本较高，都会造成传统的玻璃纤维基板封装结构不具产业优势。图2为传统的封胶基板封装结构。封胶基板封装结构20，其包括第一导线层200、金属层210、导电柱层220、封胶层230、第二导线层240以及防焊层250。第一导线层200具有相对的下表面与上表面。金属层210设置于第一导线层200的下表面上。导电柱层220设置于第一导线层200的上表面上。封胶层230设置于第一导线层200及导电柱层220的全部区域内，其中封胶层230不露出于第一导线层200的下表面与导电柱层220的一端。第二导线层240设置于封胶层230与导电柱层220的一端上。防焊层250设置于封胶层230与第二导线层240上。然而,上述传统的封胶基板封装结构,其使用封胶(Molding Compound)材质作为基板，而复数导线层间的电性连接则利用导电柱层导通来替代玻璃纤维基板封装结构的雷射钻孔，其特点是刚性佳，可改善传统玻璃纤维基板薄型化易产生翘曲变形的缺点，但是封胶基板也因为刚性佳而易产生碎裂的特性，造成不可挽救的可靠度问题及电性断路，尤其在薄型化时更为严重。此外，在第一导线层的晶座连接垫上直接形成导电柱层占据基板空间的封装方式，将不利于细线路间距的产品，并且在迭层结构产品上，因导电柱层愈加多层而愈加细化，有制程不易的缺点且成本较高。
技术实现思路
本专利技术提出一种封装装置,其可使用封胶层(Mold Compound Layer)与介电层(Dielectric Layer)作为无核心基板(Coreless Substrate)的主体材料，并利用电镀导柱层形成导通与预封胶互连系统(Mold Interconnect System, MIS)封装方式于基板制作中，形成具有刚性佳且易薄型化的迭层结构。本专利技术提出一种封装装置的制造方法，其可使用较低成本的封胶(MoldingCompound)与介电材料取代昂贵的玻璃纤维基板，并以较低成本的电镀导柱层流程取代昂贵的雷射盲埋孔流程，所以加工时间较短且流程简单。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案包括:一种封装装置，其特征在于，其包括:一第一导线层，其具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一介电层，其设置于该第一导线层的部分区域内；—第一导电层，其设置于该第一导线层的该第二表面上；一第一缓冲层，其设置于该第一导电层的部分区域内；—第二导线层，其设置于该第一缓冲层与该第一导电层的一端上；以及一防焊层，其设置于该第一缓冲层与该第二导线层上。所述的封装装置中:该第一导电层还包括一第二导电层与一第三导电层，该第二导电层设置于该第一导线层与该第一介电层上，该第三导电层设置于该第二导电层与该第二导线层之间。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第二缓冲层与一第三缓冲层，该第二导线层设置于该第二缓冲层、该第三缓冲层与该第一导电层的一端上。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第四缓冲层与一第五缓冲层，该第二导线层设置于该第四缓冲层、该第五缓冲层与该第一导电层的一端上。所述的封装装置中:该第一导电层还包括一第四导电层、一第五导电层与一第六导电层，该第四导电层设置于该第一导线层上，该第五导电层设置于该第四导电层上，该第六导电层设置于该第五导电层与该第二导线层之间。所述的封装装置中:该第三导电层还包括一第七导电层、一第八导电层与一第九导电层，该第七导电层设置于该第二导线层上，该第八导电层设置于该第七导电层上，该第九导电层设置于该第八导电层与该第二导线层之间。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第六缓冲层、一第七缓冲层与一第八缓冲层，该第五导线层设置于该第六缓冲层、该第七缓冲层与该第四导电层的一端上，该第二导线层设置于该第八缓冲层与该第六导电层的一端上。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第九缓冲层、一第十缓冲层与一第十一缓冲层，该第八导线层设置于该第九缓冲层、该第十缓冲层与该第七导电层的一端上。所述的封装装置中:该第八缓冲层还包括一第十二缓冲层与一第十三缓冲层，该第二导线层设置于该第十二缓冲层、该第十三缓冲层与该第六导电层的一端上。所述的封装装置中:该第十一缓冲层还包括一第十四缓冲层与一第十五缓冲层，该第二导线层设置于该第十四缓冲层、该第十五缓冲层与该第九导电层的一端上。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第十六缓冲层与一第十七缓冲层，该第五导电层设置于该第十六缓冲层与该第四导电层的一端上，该第二导线层设置于该第十七缓冲层与该第六导电层的一端上。所述的封装装置中:该第一缓冲层还包括一第十八缓冲层与一第十九缓冲层，该第八导电层设置于该第十八缓冲层与该第七导电层的一端上。所述的封装装置中:该第十七缓冲层还包括一第二十缓冲层与一第二十一缓冲层，该第二导线层设置于该第二十缓冲层、该第二十一缓冲层与该第六导电层的一端上。所述的封装装置中:该第十九缓冲层还包括一第二十二缓冲层与一第二十三缓冲层，该第二导线层设置于该第二十二缓冲层、该第二十三缓冲层与该第九导电层的一端上。所述的封装装置中，还包括:一外接元件，其设置并电性连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装装置，其特征在于，其包括：一第一导线层，其具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一介电层，其设置于该第一导线层的部分区域内；一第一导电层，其设置于该第一导线层的该第二表面上；一第一缓冲层，其设置于该第一导电层的部分区域内；一第二导线层，其设置于该第一缓冲层与该第一导电层的一端上；以及一防焊层，其设置于该第一缓冲层与该第二导线层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许诗滨，
申请(专利权)人：恒劲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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