硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门制造技术

本发明专利技术的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管和一个电阻构成，该NMOS管的源极接地，两个悬臂梁栅极作为信号的输入端，漏极都与电阻相接，电阻与电源电压相接；该或非门制作在P型硅衬底上，下拉电极在悬臂梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；该或非门所用的悬臂梁栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在二氧化硅层上方，而是依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方；悬臂梁栅的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等，当该或非门工作时，当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门
本专利技术提出了硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门，属于微电子机械系统的

技术介绍
伴随着微电子技术的深入发展集成电路单位面积的集成度仍然在不断地提升，芯片的功能也日趋复杂，同时芯片的处理速度越来越高。人们对于芯片的功耗越来越重视。太高的功耗会对芯片的散热材料提出更高的要求，还会使芯片的性能受到影响。所以过热的芯片温度不仅会使芯片寿命降低，而且会影响芯片的稳定性。并且移动终端的广泛使用，对于器件的功耗要求更加显著，所以对电子器件低功耗的设计就显得十分重要。或非门电路作为数字电路的重要组成部分，它能够实现两个输入端所输入的数字信号的或非逻辑功能，由于或非门电路在中央处理器等数字式电路中有巨大的应用，所以对或非门电路的功耗和温度的控制就显得十分重要，由常规MOS管组成的或非门，随着集成度的提升，功耗变得越来越严重，功耗过大带来的芯片过热问题会严重影响集成电路的性能，MEMS技术的发展使得制造具有可动栅的晶体管成为可能，具有可动栅的晶体管可以有效降低栅极电压带来的栅极漏电流，进而降低或非门电路的功耗。
技术实现思路
技术问题:本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门，其特征是该或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管(1)、电阻(2)和电源组成，该硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管(1)制作在P型Si衬底(3)上，有两个用Al制作而成的对称设计的悬臂梁栅(6)分别依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方，两个悬臂梁栅(6)的悬浮端之间留有一缝隙以保证两个悬臂梁栅(6)下拉时互不干扰，两个悬臂梁栅(6)的位置关于该MOS管源‑漏方向对称，悬臂梁栅(6)的锚区(7)用多晶硅制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，下拉电极板(8)接地，下拉电极(8)在悬臂梁栅(6)下的部分被二氧化硅层(5)...

【技术特征摘要】
1.一种硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门，其特征是该或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管(1)、电阻(2)和电源组成，该硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管(1)制作在P型Si衬底(3)上，有两个用Al制作而成的对称设计的悬臂梁栅(6)分别依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方，两个悬臂梁栅(6)的悬浮端之间留有一缝隙以保证两个悬臂梁栅(6)下拉时互不干扰，两个悬臂梁栅(6)的位置关于该MOS管源-漏方向对称，悬臂梁栅(6)的锚区(7)用多晶硅制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，下拉电极板(8)接地，下拉电极(8)在悬臂梁栅(6)下的部分被二氧化硅层(5)覆盖，该双悬臂梁可动栅NMOS管(1)的N+有源区的源极(10)接地，N+有源区的漏极(11)通过电阻(2)与电源VCC相连，源极(10)和漏极(11)通过通孔(9)与引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖小平，王小虎，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32