一种铜铝复合薄膜生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下：原材料筛选：选取35%PET塑料、25%聚丙烯、30%乙酰乙酸乙酯树脂和10%甲酸乙二醇酯,融化、改性、挤出流延、冷却、电晕处理、切除废边卷取，制成PET保护膜，本发明专利技术工艺合理、简洁，大大缩短工艺流程，效率高，速度快，原料选择合理，成本较低，可快速降解，减少环境污染。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】一种铜铝复合薄膜生产工艺
本专利技术涉及薄膜领域，特别涉及一种铜铝复合薄膜生产工艺。
技术介绍
铝作为一种稳定的低电阻率的金属，被广泛用于芯片后段的金属互连线路或者与后续封装线连接的接触垫；其中，晶须是指在颗粒(grain)边缘由于应力效应凸起的须状的缺陷。虽然高温的铝颗粒(grain)大、电阻率低，且填充性能与可靠性好，但在沉积较厚(大于1000埃)的铝薄膜时，由于铝(Al)薄膜与Si02层的热膨胀系数存在较大差异，而沉积过程中产生的热应力会随着膜厚的增加不断累积，当达到到一定程度时在铝颗粒边缘会有铝钻出来，形成晶须状的缺陷(晶须)，从而造成产品良率的降低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种铜铝复合薄膜生产工艺，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案:一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下: (1)依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面； (2)采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层； (3)采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铝复合薄膜生产工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面；采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；使用压辊进行平整；电晕处理机进行电晕处理；将铝薄膜两边废边切除并卷取包装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦国平，齐继业，方兴旺，
申请(专利权)人：安徽松泰包装材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34