【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种整流控制方法，特别是针对伺服控制器的整流及软充电方法。
技术介绍
伺服驱动技术作为一种先进的电机控制手段其发展突飞猛进，已经进入到一个全新的阶段。伺服控制器在工作时需要将外部电源进行整流及逆变。现有伺服控制器整流逆变一般采用整流桥电路进行整流，具体的电路如图1所示。加载外部电源后，需要对伺服控制器中的高压电容101进行充电，而高压电容101的充电速度不能过快，否则会烧毁高压电容101。因此现有技术中采用串入限流电阻102并并联交流接触器103的方法限制高压电容101的充电电流。在一定时间后闭合交流接触器103并短接限流电阻102。现有整流桥整流过程中会遇到以下几个问题。1.限流电阻102选取困难，由于限流电阻起到限制高压电容101充电电流的作用，如果选取阻值过大会使高压电容101充电过慢，影响整体效率，而如果选取阻值过小则容易烧毁限流电阻或烧毁高压电容。2.交流接触器103体积大，其触点在切换电路时工作噪音很大，且通断时容易打火拉弧，吸合时电磁干扰大，容易损坏接触器，所以不适合做大功率产品。特别是在启动时接触器动作容易产生电磁干扰，影响伺服器正常工作。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供了，可以平滑地输出电压曲线。为了达到上述目的，本专利技术提供，其特征在于包括以下步骤，控制电路向可控硅发出控制信号；可控硅根据控制信号控制外部电源的通断进而实现平滑的电压输出曲线。本专利技术提供的实施例通过控制电路控制可控硅，实现可控硅全桥半控软整流技术。可以通过控制可控硅的导通角来实现整流时电压缓慢上升，这样既可以省去限流电...
【技术保护点】
一种用于伺服驱动器的整流及软充电方法，其包括以下步骤，控制电路向可控硅发出控制信号；可控硅根据控制信号控制电源的通断进而实现平滑上升的直流电压输出曲线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董文鑫，
申请(专利权)人：北京西贝通达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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