本实用新型专利技术公开了一种封装基材，包含电路重新分布结构、封装材料、电路增层和沟槽，电路重新分布结构具有复数个上层金属垫，上层金属垫具有第一密度，适合晶片安置其上；封装材料包裹电路重新分布结构周围；电路增层设置于电路重新分布结构与封装材料的下方，电路增层具有复数个底面金属垫；底面金属垫具有第二密度；第二密度低于第一密度；沟槽包围电路重新分布结构的周围。本实用新型专利技术公开的封装基材，封装基材的上方是晶片(chip side)，封装基材的下方是印刷电路板(PCB side)。本实用新型专利技术公开的封装基材，系用以调和晶片的高密度接点与外部印刷电路板的低密度接点的一种晶片封装用的基材，提供晶片的封装(package)之用。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶片的电路高密度封装基材，尤其是这样一种封装基材，其具有沟槽，环绕在中介层(interposer)周围，提供电路与绝缘层材料的膨胀与收缩的空间，使得封装单元(晶片安置于高密度封装基材)不会因为材料的热膨胀系数(CTE)不匹配而变形的问题。
技术介绍
如图1所述，美国专利US8，269，337的截面图，包含:中介层212、电路重新分布层213、电路增层24、封装材料22、晶片27。中介层212具有导通金属210穿过中介层212。电路重新分布层(redistribut1n layer) 213具有电路与绝缘材料，设置于中介层212上方，且电性耦合于导通金属210的上端。电路重新分布结构213与中介层212，统称为电路重新分布结构21。封装材料22包围着电路重新分布结构21周边，电路重新分布层213具有复数个上层焊垫211。电路增层24设置于封装材料22与中介层212的下方，电路增层24具有金属导线与绝缘材料，金属导线中的上端纵向金属242电性耦合至导通金属210的下端，电路增层24具有复数个下层焊垫243，锡铅球26安置在下层焊垫243下方。晶片27具有底部焊垫272，经由锡铅球271电性耦合于上层焊垫211。下方填充(underfill)材料270填充于晶片27与下方的绝缘材料之间。复数个锡铅球26，分别安置于下层焊垫243下方。中介层212具有CTE约为3ppm/K ;封装材料22与下层电路分布层的绝缘材料层具有CTE约为5?15ppm/K ;因此，前述晶片封装，因为CTE不匹配，会造成封装内部应力，产生裂痕而损坏整体封装产品。一个可以解决不同材料结合之间的CTE不匹配问题，亟需被开发。
技术实现思路
基于现有技艺中，晶片封装因为硅基材中介层的CTE与绝缘材料的CTE不匹配，容易因为冷缩热胀引起破裂而导致封装产品的故障，根据本技术的实施例，希望提供一种可以改善中介层与绝缘材料、封装材料之间不同材料间的CTE不匹配，导致晶片封装破裂问题的封装基材。根据实施例，本技术提供的一种封装基材，包含电路重新分布结构、封装材料、电路增层和沟槽，其创新点在于:电路重新分布结构具有复数个上层金属垫，上层金属垫具有第一密度，适合晶片安置其上；封装材料包裹电路重新分布结构周围；电路增层设置于电路重新分布结构与封装材料的下方，电路增层具有复数个底面金属垫；底面金属垫具有第二密度；第二密度低于第一密度；沟槽包围电路重新分布结构的周围。封装基材用以调和晶片高密度接点与外部PCB低密度接点，例如:晶片高密度接点是以微米um技术制成的产品；外部PCB的低密度接点是以毫米mm技术制成的产品。由于接点的尺寸不匹配，所以，晶片无法直接安置在外部PCB上。晶片必须先安置在封装基材上，构成晶片的封装单元。之后，电路板系统厂商，才可以订购具有晶片的封装单元，安置于电路板母板上面构成一大片电路板模组的一小部分。本技术技术方案中，底面金属垫具有第二密度配合外部的印刷电路板的低接点密度，适合于一晶片安置于本技术的封装基材上方构成封装单元，后续将封装单元安置于外部的印刷电路板上。相对于现有技术，本技术通过设立沟槽，环绕着上层电路重新分布结构周边，沟槽可以吸收两边不同材料的冷缩热胀，致使整个封装产品不会因为不同才见间的CTE不匹配所导致的破裂问题。【附图说明】图1是美国专利US8269337公开的电路高密度封装基材的截面图。图2是根据本技术实施例一的封装基材的结构示意图。图3是本技术实施例一的沟槽一的结构示意图。图4是本技术实施例二的封装基材的结构示意图。图5是本技术实施例二的沟槽二的结构示意图。图6是本技术实施例三的封装基材的结构示意图。图7是本技术实施例三的沟槽三的结构示意图。图8是本技术的沟槽四的结构示意图。图9是本技术的沟槽五的结构示意图。图10是本技术的沟槽六的结构示意图。其中:100为重新分布结构；104b为底部；106为上方焊垫；200为增层电路；201为电路；202为绝缘材料；204b为抗焊漆；206为焊垫；207为绝缘材料；21为电路重新分布结构；21b为底部；210b为纵向金属；211为上层金属垫；212为中介层；213为电路重新分布层；220为沟槽；221为封装材料的一部分；22为封装材料；24为电路增层；243为底面金属垫；22b为底部；24b为抗焊漆；300为封装材料；304b为底部；320为沟槽；321为封装材料的一部分。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本技术。这些实施例应理解为仅用于说明本技术而不用于限制本技术的保护范围。在阅读了本技术记载的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等效变化和修改同样落入本技术权利要求所限定的范围。实施例一如图2所示，一种封装基材，包含:电路重新分布层213具有复数个上层金属垫211，上层金属垫211具有第一密度，适合晶片安置其上；电路增层24，设置于中介层212与封装材料22的下方，中介层212具有底部21b与封装材料22的底部22b共平面。电路增层24具有复数个底面金属垫243，底面金属垫243具有第二密度，适合封装安置于印刷电路板；所述之第二密度低于第一密度。本封装上方为晶片方(chip side)适合晶片安置其上；本封装下方为电路板方(PCB side)适合本封装安置于外部的印刷电路板上。封装材料22包裹电路重新分布结构21 ;以及沟槽220，延伸包围在电路重新分布结构21的周围。所述之沟槽220，具有一个深度，大于封装材料22的厚度。封装材料22具有上表面22a与下表面22b。上表面22a与电路重新分布层213上表面共平面、下表面22b与中介层212下表面共平面。抗焊漆24b设置于下层焊垫243下方裸露下层焊垫243中央区域提供后续锡铅球设置用。图中也当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装基材，包含电路重新分布结构、封装材料、电路增层和沟槽，其特征是，电路重新分布结构具有复数个上层金属垫，上层金属垫具有第一密度，适合晶片安置其上；封装材料包裹电路重新分布结构周围；电路增层设置于电路重新分布结构与封装材料的下方，电路增层具有复数个底面金属垫；底面金属垫具有第二密度；第二密度低于第一密度；沟槽包围电路重新分布结构的周围。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，
申请(专利权)人：胡迪群，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71
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