密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、TFT元件、OLED元件、LED元件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、TFT元件、OLED元件、LED元件，上述密封用树脂组合物可形成可应用于银配线及包含银配线的层叠体，显示出优异的离子迁移抑制能力，并且表面状态特性也优异的密封用膜。本发明专利技术的密封用树脂组合物包覆银配线、或包含银配线的层叠体，其包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.0010以上、未满0.10。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种密封用树脂组合物及密封用膜，尤其涉及一种以规定量包含氟系 树脂与规定的氟含有率的抗迀移剂的密封用树脂组合物及密封用膜。 另外，本专利技术还涉及一种具备上述密封用膜的配线基板、薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)元件、有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，0LED)元件、发 光二极管（Light Emitting Diode，LED)元件。
技术介绍
近年来，因电子零件的小型化?高集成化?高性能化，故金属配线的微细化不断发 展。伴随于此，在金属配线间产生的电迀移（Electromigration)(以后，也称为离子迀移 (Ion Migration))成为使配线可靠性下降的大问题。尤其，在使用银所形成的金属配线的 情况下，该问题变得显著。 对此，提出有在金属配线上形成包含氟系树脂的绝缘材料层来抑制离子迀移的方 法（专利文献1)。 日本专利特开昭59-151491号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 另一方面，近年来，金属配线的微细化进一步发展，伴随于此，与金属配线间的绝 缘可靠性相关的要求特性进一步提高。 本专利技术人等人使用专利文献1中所记载的方法对金属配线间的绝缘可靠性进行 研宄的结果，发现无法满足最近的要求水平，而需要进一步的改良。 再者，作为抑制离子迀移的方法，还存在使用所谓的抗迀移剂的方法，但通常产生 对于氟系树脂的相容性低、所形成的密封层的表面状态恶化等问题，而难以使用该抗迀移 剂。 鉴于上述实际情况，本专利技术的目的在于提供一种密封用树脂组合物，其可形成可 应用于银配线及包含银配线的层叠体，显示出优异的离子迀移抑制能力，并且表面状态特 性也优异的密封用膜。 另外，本专利技术的目的还在于提供一种密封用膜及包含该密封用膜的配线基板。 解决问题的技术手段 本专利技术人等人鉴于上述课题而反复努力研宄的结果，发现通过使用氟系树脂与规 定的氟含有率的抗迀移剂而可解决上述课题，从而完成了本专利技术。 即，上述课题通过下述的手段来解决。 (1) 一种密封用树脂组合物，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，上述密封用 树脂组合物包括氟系树脂（A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迀移剂 (B)，且氟系树脂（A)与抗迀移剂（B)的质量比（(B) AA))为0.0010以上、未满0. 10。 (2)根据（1)所述的密封用树脂组合物，其中抗迀移剂（B)为选自由由后述的通式 (1)~通式（5)所表示的化合物、由通式（22)所表示的化合物、由通式（23)所表示的化合 物、及具有由通式（24)所表示的基与由通式（25)所表示的基的化合物所组成的群组中的 至少一种。 (3)根据（2)所述的密封用树脂组合物，其中由后述的通式（1)所表示的化合物为 选自由由后述的通式（6)~通式（21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。 (4)根据⑵或（3)所述的密封用树脂组合物，其中由后述的通式（5)所表示的 化合物为选自由由后述的通式（51)~通式（54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一 种。 (5)根据⑷所述的密封用树脂组合物，其中抗迀移剂⑶为选自由由后述的通 式（6)、后述的通式（7)、后述的通式（10)、后述的通式（11)、后述的通式（21)、后述的通式 (51)、后述的通式（53)、及后述的通式（54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。 (6)根据⑴至（5)中任一项所述的密封用树脂组合物，其中氟系树脂（A)至少具 有由后述的通式（P-1)所表示的重复单元。 (7)根据⑴至（6)中任一项所述的密封用树脂组合物，其中氟系树脂（A)具有含 有硅的基，上述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键 而可进行交联。 (8) -种密封用膜，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，上述密封用膜包括氟 系树脂（A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迀移剂（B)，且氟系树脂（A) 与抗迀移剂（B)的质量比（BV(A)为0. 0010以上、未满0. 10。 (9)根据⑶所述的密封用膜，其中抗迀移剂⑶为选自由由后述的通式⑴~ 通式（5)所表示的化合物、由通式（22)所表示的化合物、由通式（23)所表示的化合物、及 具有由通式（24)所表示的基与由通式（25)所表示的基的化合物所组成的群组中的至少一 种。 (10)根据（9)所述的密封用膜，其中由后述的通式⑴所表示的化合物为选自由 由后述的通式（6)~通式（21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。 (11)根据（9)或（10)所述的密封用膜，其中由后述的通式（5)所表示的化合物为 选自由由后述的通式（51)~通式（54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。 (12)根据（11)所述的密封用膜，其中抗迀移剂⑶为选自由由后述的通式（6)、 后述的通式（7)、后述的通式（10)、后述的通式（11)、后述的通式（21)、后述的通式（51)、后 述的通式（53)、及后述的通式（54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。 (13)根据⑶至（12)中任一项所述的密封用膜，其中氟系树脂（A)为至少具有由 后述的通式（P-1)所表示的重复单元的高分子化合物。 (14)根据⑶至（13)中任一项所述的密封用膜，其中氟系树脂（A)具有含有硅的 基，上述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进 行交联。 (15) -种配线基板，其包括：基板、配置于基板上的银配线、以及配置于银配线上 的根据⑶至（14)中任一项所述的密封用膜。 (16) -种薄膜晶体管（TFT)元件，其包括根据⑶至（14)中任一项所述的密封用 膜。 (17) -种有机发光二极管（0LED)元件，其包括根据⑶至（14)中任一项所述的 密封用膜。 (18) -种发光二极管（LED)元件，其包括根据⑶至（14)中任一项所述的密封用 膜。 专利技术的效果 根据本专利技术，可提供一种密封用树脂组合物，其可形成可应用于银配线及包含银 配线的层叠体，显示出优异的离子迀移抑制能力，并且表面状态特性也优异的密封用膜。 另外，根据本专利技术，还可提供一种密封用膜及包含该密封用膜的配线基板。【附图说明】 图1是本专利技术的配线基板的适宜的实施形态的示意剖面图。【具体实施方式】 以下，对本专利技术的密封用树脂组合物、密封用膜及配线基板的适宜形态进行说明。 首先，对本专利技术的与现有技术相比的特征点进行详述。 在本专利技术中，发现通过以规定量使用氟系树脂与规定的氟含有率的抗迀移剂，而 可获得所期望的效果。通过在抗迀移剂中含有规定量的氟原子，与氟系树脂的相容性（亲 和性）提升，来自氟系树脂的渗出得到抑制，且表面状态特性提升。另外，抗迀移剂容易留 在氟系树脂中，由此离子迀移抑制能力也进一步提升。 以下，首先对密封用树脂组合物进行详述，其后对密封用膜及配线基板进行详述。 <密封用树脂组合物> 在密封用树脂组合物中，以规定量含有氟系树脂（A)与抗迀移剂（B)。 首先对氟系树脂（A)及抗迀移剂（B)进行详述，其后对密封用树脂组合物的形态 进行详述。 (氟系树脂（A)) 所谓氟系树脂，是指含有氟原子的树脂。其种类并无特别限制，只要含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封用树脂组合物，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，所述密封用树脂组合物包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且所述氟系树脂(A)与所述抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.0010以上、未满0.10。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下泰明，大屋豊尚，松村季彦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP