阵列基板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，属于显示技术领域，解决了现有的液晶显示器存在两侧发白的技术问题。该阵列基板包括多个子像素单元；每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；在扫描线的延伸方向上，位于阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比，小于位于阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体的说，涉及一种阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。在液晶显示器中，由多条交错的扫描线和数据线控制每个子像素单元显示的灰阶，从而实现整幅图像的显示。如图1所示，扫描线传输的扫描信号是从导致液晶左右两侧的覆晶薄膜(Chip On Film，简称COF)输入的，因为扫描线自身的RC延迟，会使扫描信号输入时原本正常的波形传输到中间后发生失真(Distortion)，失真的扫描信号会导致液晶面板中间的子像素单元的充电率降低，使液晶面板中间的亮度降低，而出现两侧发白的现象。特别是在图像整体为低灰阶的情况下，人眼更为敏感，因此两侧发白的现象也更加明显。因此，目前的液晶显示器普遍存在两侧发白的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板，以解决现有的液晶显示器存在两侧发白的技术问题。本专利技术提供一种阵列基板，包括多个子像素单元，以及与每行子像素单元对应的扫描线、公共电极线，与每列子像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素单元，以及与每行子像素单元对应的扫描线、公共电极线，与每列子像素单元对应的数据线；每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；数据电压通过第一薄膜晶体管充入主像素电极，数据电压通过第二薄膜晶体管充入次像素电极，第三薄膜晶体管用于降低次像素电极的数据电压；在扫描线的延伸方向上，位于所述阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比，小于位于所述阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素单元，以及与每行子像素
单元对应的扫描线、公共电极线，与每列子像素单元对应的数据线；
每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄
膜晶体管和第三薄膜晶体管；
数据电压通过第一薄膜晶体管充入主像素电极，数据电压通过第二薄膜晶体
管充入次像素电极，第三薄膜晶体管用于降低次像素电极的数据电压；
在扫描线的延伸方向上，位于所述阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜
晶体管的沟道宽长比，小于位于所述阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶
体管的沟道宽长比。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在一个子像素单元中，
第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，
第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；
第一薄膜晶体管的漏极连接主像素电极，第二薄膜晶体管的漏极连接次像素
电极；
第三薄膜晶体管的源极连接第二薄膜晶体管的漏极，第三薄膜晶体管的漏极
连接公共电极线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在扫描线的延伸方向上，
从所述阵列基板的中间至两端，子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比逐
渐增大。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在扫描线的延伸方向上，
所述阵列基板分为多个区域；
越靠近所述阵列基板的两端的区域中，子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟
道宽长比越大...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桓，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44