一种四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是：在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域，将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。实现了独立的四通路模拟开关的功能，各通路开关性能良好且相互独立，可进行数字信号与模拟信号的传输，导通电阻小、开关频率快，产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高；结构紧凑、占用空间小、散热性好，在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅高频小功率晶体管，尤其涉及一种四通路高频小功率晶体管阵列，用于模拟信号及数字信号的传输。
技术介绍
在需要处理模拟信号或数字信号进行多路传输的电路中，一般需要在电路版上安装多个小功率晶体管器件，每个小功率晶体管作为模拟开关使用时包括三个端子:输入、输出、控制级，由控制级上所加的电平状态控制模拟开关的导通与关断。目前，在这种多通路信号传输电路中占用电路的整体空间过多，而各路之间的电性能一致性不好，影响了电路板的集成化与稳定性。采用进口的塑封集成器件时，工作的温度范围、湿度范围等环境条件受到限制。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种可实现独立的四通路模拟开关的功能，结构紧凑、占用空间小、散热性好，可靠性高，各通路开关性能良好且相互独立，可在恶劣环境下工作的四通路高频小功率晶体管阵列。本技术涉及的四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域，将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。进一步的，在对应第一管脚的扁平外引线位于管壳内部位设置定位凸起，起到区分各管脚的定位标志作用。本技术的有益效果是:1、通过将四个高频小功率晶体管芯片封装在一个表贴式陶瓷金属化全密封外壳结构中，构成了四通路晶体管阵列，实现了独立的四通路模拟开关的功能，可进行数字信号与模拟信号的传输，开关导通时具有导通电阻小、开关频率快的特点，产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高。2、四部分金属化区域采用交错平行排列方式，避免了硅铝丝连接时发生交叉，确保各部分散热情况最优。将四个高频小功率晶体管芯片集成在一个管壳内，结构紧凑、占用空间小，可靠性高。芯片与管壳腔体采用导电胶进行粘接，保证芯片的高频开关特性一致性强。3、各通路开关性能良好且相互独立，可在恶劣环境下正常工作。【附图说明】图1是本技术的结构示意图；图2是本技术封装前的俯视图；图中:1 一陶瓷金属化底座、2—金属盖板、3 —扁平外引线、4 一尚频小功率晶体管芯片、5 —娃销丝、6 —定位凸起、101 —金属化区域。【具体实施方式】如图所示，本技术由陶瓷金属化管底座1、金属盖板2、扁平外引线3和四个高频小功率三极管4组成，所述金属盖板2与陶瓷金属化底座I通过气密性封装构成管壳，所述扁平外引线3设置在陶瓷金属化管底座I上并引入管壳内，在陶瓷金属化管底座I上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域101，将四个高频小功率晶体管芯片4通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域101上，用硅铝丝5将高频小功率晶体管芯片4与扁平外引线3的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。在对应第一管脚的扁平外引线3位于管壳内部位设置定位凸起6，起到区分各管脚的定位标志作用。以上仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特征是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域，将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。【专利摘要】一种四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是：在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域，将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。实现了独立的四通路模拟开关的功能，各通路开关性能良好且相互独立，可进行数字信号与模拟信号的传输，导通电阻小、开关频率快，产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高；结构紧凑、占用空间小、散热性好，在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作。【IPC分类】H01L23-488, H01L23-08, H01L25-07【公开号】CN204558461【申请号】CN201520267190【专利技术人】苏舟, 王立伟, 闫岩, 潘宇净 【申请人】锦州辽晶电子科技有限公司【公开日】2015年8月12日【申请日】2015年4月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种四通路高频小功率晶体管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特征是：在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域，将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏舟，王立伟，闫岩，潘宇净，
申请(专利权)人：锦州辽晶电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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