一种半导体器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明专利技术的半导体器件，包括第一掺杂类型的半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的LDMOS晶体管和二极管，其中所述半导体衬底与位于其内的第二掺杂类型的阱区形成PN结，所述二极管与所述PN结反向串联。本发明专利技术的半导体器件，通过在LDMOS晶体管的漏极一侧形成与半导体衬底和位于其内的第二掺杂类型的阱区构成的PN结反向串联的二极管，可以避免当LDMOS晶体管应用于电感负载模式时产生流向半导体衬底的大电流，提高了半导体器件的性能。本发明专利技术的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的器件同样具有上述优点。本发明专利技术的电子装置，包括上述半导体器件，同样具有上述优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子>J-U ρ?α装直。
技术介绍
在半导体
中，LDMOS(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor ；横向扩散金属氧化物半导体)晶体管由于在热稳定性、频率稳定性、耐久性等方面的优异性能而在CDMA、WCDMA、数字地面电视等领域得到了广泛的应用。现有技术中的一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(即LDMOS晶体管)的结构如图1所示。该LDMOS晶体管包括P型衬底100以及形成于P型衬底100内的P阱1001和N阱1002，P阱1001内包括N型源极101，N阱1002内包括N型漏极102。此外，该LDMOS晶体管还包括位于P型衬底上的栅极103以及位于P阱1001内的P型体电极104，如图1所示。并且，该LDMOS晶体管还可以包括位于P型衬底内的浅沟槽隔离(STI) 1003。上述LDMOS晶体管结构中源极101、栅极103以及体电极104等各组成部分在实际结构中均为围绕漏极102的环状结构，即，各组成部分在平面结构中均为环状结构。在现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括第一掺杂类型的半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的LDMOS晶体管和二极管，其中，所述半导体衬底与位于其内的第二掺杂类型的阱区形成PN结，所述二极管与所述PN结反向串联；其中，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型分别为P型掺杂和N型掺杂，或者，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型分别为N型掺杂和P型掺杂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪铭，马千成，程勇，滕丽华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31