一种高容值MOS管器件制造技术

本实用新型专利技术涉及MOS管器件的技术领域，具体涉及一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，还包括：金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。本实用新型专利技术通过在MOS管栅极上覆盖一层金属层，并形成一寄生电容从而增大MOS电容值，进而节省电路面积，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MOS管器件的
，具体涉及一种高容值MOS管器件。
技术介绍
如图1所示，MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体(insulator) —半导体，包括栅极、源极和漏极。如图2所示，MOS管作为MOS电容使用，容值由其内部的栅氧化层电容和耗尽区电容组成，即C =Cox+Cdep，其中C为MOS电容，Cox为栅氧化层电容，Cdep为栅极与衬底间形成的耗尽区电容。在一般电路中，需要的补偿电容很大，特别是在连接有MOS管的电路中，如果单单使用现有工艺库中提供的MOS管，若想提高其MOS电容的容值，需采用面积较大的MOS管，会导致占用的电路面积较大，不利于电路的集成化、微型化设计。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种。高容值MOS管器件，增大MOS管的容值。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，还包括:金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。其中，较佳方案是:该金属区包括一金属区引脚，该金属区引脚与源极电连接。其中，较佳方案是:该金属区包括若干金属层，该金属层之间设有绝缘层。其中，较佳方案是:该金属区的外侧还设有绝缘层。其中，较佳方案是:该每一层绝缘层均密封包裹其内侧的栅极或金属层。本技术的有益效果在于，与现有技术相比，本技术通过在MOS管栅极上覆盖一层金属层，并形成一寄生电容从而增大MOS电容值，进而节省电路面积，降低成本。【附图说明】下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中:图1是现有技术MOS管器件的结构示意图；图2是现有技术MOS管器件的容值等效图；图3是本技术高容值MOS管器件的结构示意图；图4是本技术高容值MOS管器件的容值等效图；图5是本技术具有多层金属层结构的高容值MOS管器件的结构示意图。【具体实施方式】现结合附图，对本技术的较佳实施例作详细说明。如图3和图4所示，本技术提供一种高容值MOS管器件的优选实施例，其中图3是高容值MOS管器件的结构示意图，图4是高容值MOS管器件的容值等效图。—种高容值MOS管器件，包括设置在衬底40上的栅极10、源极20和漏极30，还包括金属区50和绝缘层60，金属区50覆盖在栅极10上并与栅极10形成一电容Cmetal，绝缘层60设置在栅极10和金属区50之间。其中，栅极10与衬底40间还设有一栅极氧化层11，栅极氧化层11形成一电容Cox，栅极10与衬底40间形成一电容Cd印，故本实施例中的高容值MOS管器件的容值C =Cmetal+Cox+Cdepo本实施例中的结构具体为，衬底40上形成一栅极氧化层11，在栅极氧化层11上设置栅极10，在栅极10外侧设置一绝缘层60，绝缘层60密封包裹栅极10和栅极氧化层11 ;同时在绝缘层60外侧设置一金属区50，在金属区50外侧设置一外侧绝缘层60 (图中未显示)，外侧绝缘层60和绝缘层60密封包裹金属区50。优选地，外侧绝缘层60和绝缘层60是同一材质，仅其位置不一样。进一步地，并参考图4，本实施例中金属区50与栅极10隔绝，并形成电容Cmetal，且由于使金属区50与高容值MOS管器件形成一整体，金属区50与源极20电连接，即金属区50、源极20、漏极30和衬底40均是电连接，从而形成如图4中的等效电容。金属区50包括一金属区引脚，金属区引脚引出并与源极20电连接，金属区引脚优选被包裹在绝缘层60内。本实施例中，为了增加MOS管的电容值并最大化利用金属区50，在低压工艺中，栅极10与金属区50之间的介质，即绝缘层60，可很薄，节省MOS管的体积。在高压工艺中，本实施例中的高容值MOS管器件在同等面积的MOS管中，容值更高。如图5所示，本技术提供一种具有多层金属层结构的高容值MOS管器件的较佳实施例，其中图5是具有多层金属层结构的高容值MOS管器件的结构示意图。金属区50包括若干金属层，金属层之间设有绝缘层60，用于绝缘密封。本实施例中的结构具体为(采用两层金属层为例)，衬底40上形成一栅极氧化层11，在栅极氧化层11上设置栅极10，在栅极10外侧设置第一绝缘层61，第一绝缘层61密封包裹栅极10和栅极氧化层11 ;同时在第一绝缘层61外侧设置第一金属层51，在第一金属层51外侧设置第二绝缘层62，第一绝缘层61和第二绝缘层62密封包裹第一金属层51 ；在第二绝缘层62外侧设置第二金属层52，在第二金属层52外侧设置第三绝缘层60(图中未显示)，第二绝缘层62和第三绝缘层60密封包裹第二金属层52。第一金属层51与栅极10形成第一电容Cmetal_l，第二金属层52与栅极10形成第二电容Cmetal_2，故本实施例中的高容值MOS管器件的容值C =Cmetal—1+Cmetal—2+Cox+Cdep。其中，第一金属层51和第二金属层52分别与源极20电连接。以上所述者，仅为本技术最佳实施例而已，并非用于限制本技术的范围，凡依本技术申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本技术所涵盖。【主权项】1.一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，其特征在于，还包括: 金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容； 绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。2.根据权利要求1所述的高容值MOS管器件，其特征在于:该金属区包括一金属区引脚，该金属区引脚与源极电连接。3.根据权利要求2所述的高容值MOS管器件，其特征在于:该金属区包括若干金属层，该金属层之间设有绝缘层。4.根据权利要求3所述的高容值MOS管器件，其特征在于:该金属区的外侧还设有绝缘层。5.根据权利要求1至4任一所述的高容值MOS管器件，其特征在于:该每一层绝缘层均密封包裹其内侧的栅极或金属层。【专利摘要】本技术涉及MOS管器件的
，具体涉及一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，还包括：金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。本技术通过在MOS管栅极上覆盖一层金属层，并形成一寄生电容从而增大MOS电容值，进而节省电路面积，降低成本。【IPC分类】H01L29-10, H01L29-78, H01L29-06【公开号】CN204516771【申请号】CN201520123592【专利技术人】王春来, 孙申权 【申请人】深圳市麦积电子科技有限公司【公开日】2015年7月29日【申请日】2015年3月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，其特征在于，还包括：金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春来，孙申权，
申请(专利权)人：深圳市麦积电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44