阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板，属于显示技术领域。所述阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。本发明专利技术解决了阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，实现了简化制造过程，且降低制造成本的效果，用于制造阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(英文:Thin_filmtransisitor liquid cystaldisplay ;简称:TFT_IXD)是多数液晶显示器的一种。在TFT-1XD的光刻工艺中，需要使用掩膜板进行图形制作。使用掩膜板对TFT-LCD阵列基板进行图形制作的原理为:先将光刻胶涂覆在衬底基板上，接着利用光源照射掩膜板，透过掩膜板的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光，再经过显影(通过化学作用将感光的光刻胶溶解掉)将未感光的光刻胶固化，最后经过刻蚀使衬底基板获得需要制作的图形。由于现有技术中，每张掩膜板上的图形是固定不变的，即每张掩膜板唯一对应一种图形。由于阵列基板的制造过程需要在衬底基板上依次形成多个图形，需要购买与要形成的图形相对应的多个掩膜板，并且掩膜板的价格较为昂贵，因此，阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高。
技术实现思路
为了解决阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。所述技术方案如下:第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括:透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。可选的，所述在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，包括:在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层；在形成有所述第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶；采用所述掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有所述负性光刻胶的衬底基板进tx曝光；对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜图形；剥离所述负性光刻胶。可选的，所述在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形，包括:在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层；在形成有所述第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶；采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域，且通过弱光对涂覆有所述正性光刻胶的衬底基板进行曝光；对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第二掩膜图形；剥离所述正性光刻胶。可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。可选的，所述第一膜层为钝化层膜。可选的，所述第二膜层为氧化铟锡膜。可选的，所述不透光区域位于所述半透光区域内。可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。第二方面，提供了一种阵列基板，其采用如第一方面任一所述的方法制成。第三方面，提供了一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。第四方面，提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。第五方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括:透明基板；所述透明基板上形成有半透光区域；形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；其中，所述不透光区域用于形成阵列基板的第一掩膜图形，所述半透光区域和所述不透光区域用于共同形成所述阵列基板的第二掩膜图形。可选的，所述掩膜板形成有半透膜；所述半透膜上形成有所述半透光区域。可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板，先在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，再在形成有第一掩膜图形的衬底基板上采用同一掩膜板的半透光区域和不透光区域形成第二掩膜图形，相较于现有的阵列基板制造技术，简化了阵列基板的制造过程，且降低了制造成本。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种不透光区域形状和半透光区域边界形状的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种掩膜板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种形成第一掩膜图形方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的一种形成第一膜层的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种在形成有第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种通过强光对衬底基板进行曝光的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种负性光刻胶溶解的侧视图；图10是本专利技术实施例提供的一种负性光刻胶溶解的俯视图；图11是本专利技术实施例提供的一种形成第一掩膜图形的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种剥离负性光刻胶后的侧视图；图13是本专利技术实施例提供的一种剥离负性光刻胶后的俯视图；图14是本专利技术实施例提供的一种形成第二掩膜图形方法的流程图；图15是本专利技术实施例提供的一种形成第二膜层的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的一种涂覆正性光刻胶的结构示意图；图17是本专利技术实施例提供的一种通过弱光对衬底基板进行曝光的结构示意图；图18是本专利技术实施例提供的一种正性光刻胶溶解的侧视图；图19是本专利技术实施例提供的一种正性光刻胶溶解的俯视图；图20是本专利技术实施例提供的一种形成第二掩膜图形的结构示意图；当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张治超，郭总杰，刘正，张小祥，陈曦，刘明悬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11