用于数据相关信号的低功率电平移位电路制造技术

一种用于数据相关信号的低功率电平移位电路，包括：缓冲器电路、耦合电容器和偏置电路。该缓冲器电路通过低压域电压源进行偏置并且被配置为接收数据相关信号。该耦合电容器于第一节点处耦接至缓冲器电路的输出节点。该偏置电路耦接至耦合电容器的第二节点和开关。该电平移位电路可以将接收到的数据相关信号的电压电平转换成适合于正确操作该开关的高压域。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】用于数据相关信号的低功率电平移位电路相关申请的交叉引用本申请要求于2014年I月28日提交的美国临时专利申请第61/932，689号的优先权的权益，通过引用将其全部内容结合于本文中。
本说明书总体上涉及宽带通信，并且更具体地但不排他地涉及用于数据相关信号(data-dependent signal，数据依赖性信号)的低功率电平移位电路(level-shiftcircuit)的

技术介绍
高分辨率数模转换器(DAC)电路通常被用在众多的通信电路中。例如，宽带和高速(例如，10千兆位)的以太网通信电路可使用多GHz (mult1-GHz)和高分辨率DAC电路。大幅值推挽式DAC电路可包括可以由高压域(例如，3.3V)供电电压驱动的开关(例如，PMOS开关)。然而，DAC电路需要能够利用数据相关的低压域(例如，0.8V至1.2V)输入数字信号进行操作。因此，为了正常运行DAC电路，输入数字信号需要穿过可以将输入数字信号的电压电平从低压域转换成高压域的电平移位电路。现有的电平移位电路可能存在多个缺点，例如，电平变换器通常不能使用大芯片区域来使信号的“O”电平(例如，与低压供电相关)移位或者是高耗电的。当信号被用作使用薄氧化物PMOS开关输入至大幅值推挽式DAC电路的信号时，理想的是使信号的“O”电平移位。此外，一些传统的电平移位电路不能利用数据相关的数字信号(例如，归零信号(return-to-zero signal)适当地操作并且适合于固定占空比的输入信号(例如，时钟信号)。由高压电源驱动电流通过DAC开关或者使用高耗电的片上低压差(LDO)稳压器会导致现有的解决方案中的高功耗。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于数据相关信号的低功率电平移位电路，所述电路包括:缓冲器电路，通过低压域电压源进行偏置并且被配置为接收数据相关信号；耦合电容器，于第一节点处耦接至所述缓冲器电路的输出节点；以及偏置电路，耦接至所述耦合电容器的第二节点和开关，其中，所述电平移位电路被配置为将接收到的数据相关信号的电压电平转换成适合于正确操作所述开关的高压域。其中，所述开关包括DAC开关，其中，所述DAC开关包括PMOS开关，其中，所述电平移位电路被配置为允许使用用于所述DAC开关的薄氧化物PMOS开关，并且其中，利用高压域供电电压对所述DAC开关进行偏置。其中，所述数据相关信号包括数字信号，其中，所述数字信号包括低压域归零信号，并且其中，所述低压域包括大致在0.8伏特与1.2伏特之间的电压范围。其中，所述偏置电路由与所述数据相关信号同步的时钟信号控制。其中，所述偏置电路被配置为在所述耦合电容器的所述第二节点处提供电压电平，并且其中，所述电压电平由时钟信号控制，并且其中，所述电压电平追踪所述数据相关信号的平均电压电平。 其中，所述高压域包括大致在两伏特与六伏特之间的电压范围。其中，所述偏置电路包括耦接至PMOS晶体管和小耦合电容器的分压器，并且其中，所述PMOS晶体管是快速薄氧化物PMOS晶体管。其中，当所述数据相关信号为一时，所述PMOS晶体管在所述耦合电容器的所述第二节点处提供高压。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种用于设置用于数据相关信号的低功率电平移位电路的方法，所述方法包括:配置缓冲器电路以通过低压域电压源进行偏置并且配置所述缓冲器电路以接收数据相关信号；将耦合电容器于第一节点处耦接至所述缓冲器电路的输出节点；将偏置电路耦接至所述耦合电容器的第二节点和开关；以及配置所述电平移位电路以将接收到的数据相关信号的电压电平转换成适合于正确操作所述开关的高压域。其中，所述开关包括DAC开关，其中，所述DAC开关包括PMOS开关。所述方法进一步包括配置所述电平移位电路以允许使用用于所述DAC开关的薄氧化物PMOS开关，并且其中，通过使用高压域供电电压对所述DAC开关进行偏置。所述方法进一步包括通过与所述数据相关信号同步的时钟信号来控制所述偏置电路。所述方法进一步包括配置所述偏置电路以在所述耦合电容器的所述第二节点处提供电压电平；并且通过时钟信号控制所述电压电平。所述方法进一步包括配置所述偏置电路以提供追踪所述数据相关信号的平均电压电平的所述电压电平。其中，所述偏置电路包括耦接至PMOS晶体管和小耦合电容器的分压器，并且其中，所述PMOS晶体管是快速薄氧化物PMOS晶体管。其中，当所述数据相关信号为一时，所述PMOS晶体管在所述耦合电容器的所述第二节点处提供高压。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种通信装置，包括:数模转换器DAC电路，被配置为将模拟信号转换成数字信号，所述DAC电路包括开关；电平移位电路，被配置为将数据相关信号的电压电平转换成适合于正确操作所述开关的高压域，所述电平移位电路包括:缓冲器电路，通过低压域电压源进行偏置并且被配置为接收所述数据相关信号；耦合电容器，于第一节点处耦接至所述缓冲器电路的输出节点；以及偏置电路，耦接至所述耦合电容器的第二节点和所述开关。其中，所述开关包括DAC开关，其中，所述DAC开关包括PMOS开关，其中，所述电平移位电路被配置为允许使用用于所述DAC开关的薄氧化物PMOS开关，并且其中，利用高压域供电电压对所述DAC开关进行偏置。其中，所述数据相关信号包括数字信号，其中，所述数字信号包括低压域归零信号，并且其中，所述低压域包括大致在0.8伏特与1.2伏特之间的电压范围。其中，所述偏置电路由与所述数据相关信号同步的时钟信号控制；所述偏置电路被配置为在所述耦合电容器的所述第二节点处提供电压电平；所述电压电平由时钟信号控制；所述电压电平追踪(track)所述数据相关信号的平均电压电平；所述偏置电路包括耦接至PMOS晶体管和小耦合电容器的分压器；所述PMOS晶体管是快速薄氧化物PMOS晶体管；以及当所述数据相关信号为一时，所述PMOS晶体管在所述耦合电容器的所述第二节点处提供尚压。【附图说明】在所附权利要求中阐述了本技术的某些特征。然而，为了说明的目的，通过以下附图阐述了本技术的几个实施例。图1A和图1B示出了根据一个或多个实施方式的用于数据相关信号的电平移位电路的示例的高层次框图和对应的逻辑图。图2A和图2B示出了根据一个或多个实施方式的用于数据相关信号的电平移位电路的实施方式的示例。图3示出了用于提供根据一个或多个实施方式的用于数据相关信号的电平移位电路的方法的示例。图4示出了根据一个或多个实施方式的无线通信装置的示例。【具体实施方式】下面所阐述的【具体实施方式】旨在描述本技术的各种配置并且并不旨在表示可实践本技术的唯一配置。附图被包含在本文中并且构成【具体实施方式】的一部分。【具体实施方式】包括用于提供对本技术的全面理解的目的的具体细节。然而，本领域技术人员应当清楚且显而易见的是，本技术并不限于本文中所阐述的具体细节且可使用一个或多个实施方式来实践。在一个或多个示例中，为了避免混淆本技术的概念，以框图的形式示出了熟知的结构和部件。本技术提供了用于设置用于数据相关信号的低功率电平移位电路的方法和实施方式。本技术包括多个有利的特征，诸如允许数据相关信号的电平移位、操作具有显著降低(例如，降低了三倍)的功耗、占用更少的芯片面积以及无数字数据边沿速率劣化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于数据相关信号的低功率电平移位电路，所述电路包括：缓冲器电路，通过低压域电压源进行偏置并且被配置为接收数据相关信号；耦合电容器，于第一节点处耦接至所述缓冲器电路的输出节点；以及偏置电路，耦接至所述耦合电容器的第二节点和开关，其中，所述电平移位电路被配置为将接收到的数据相关信号的电压电平转换成适合于正确操作所述开关的高压域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯库斯·范德格斯，克里斯托夫·迈克尔·沃德，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：美国;US