附载体铜箔制造技术

本发明专利技术提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。本发明专利技术的附载体铜箔依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种附载体铜箔。更详细而言，本专利技术涉及一种用作印刷配线板的材 料的附载体铜箔。
技术介绍
印刷配线板通常是在将铜箔与绝缘基板接着而制成覆铜积层板后，经过通过蚀刻 在铜箔面形成导体图案的步骤而制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增 大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化进展，对于印刷配线板要求导体图案的微细 化（细间距（fine pitch)化）或因应高频等。 因应细间距化，最近要求厚度9 μπι以下、进而厚度5 μπι以下的铜箔，但此种极薄 的铜箔由于机械强度较低，在制造印刷配线板时容易破损或产生皱褶，故而出现了利用具 有厚度的金属箔作为载体，对其隔着剥离层电镀极薄铜层而成的附载体铜箔。将极薄铜层 的表面贴合在绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。通过在露出的极薄 铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，以硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方 法（MSAP :Modified-Semi-Additive_Process，改进半加成制造方法）而形成微细电路。 此处，对成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜层 与树脂基材的剥离强度充足，并且在高温加热、湿式处理、焊接、化学处理等后亦可充分地 保持其剥离强度。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，通常代表性的是 在增大表面轮廓（凹凸、粗糙度）的极薄铜层上附着大量粗化粒子的方法。 然而，若在印刷配线板中尤其是必须形成微细的电路图案的半导体封装基板使用 此种轮廓（凹凸、粗糙度）较大的极薄铜层，则会在电路蚀刻时残留不需要的铜粒子，产生 电路图案间的绝缘不良等问题。 因此，在W02004/005588号（专利文献1)中，尝试使用不对极薄铜层的表面实施 粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为代表的微细电路用途的附载体铜箔。此种 不实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性（剥离强度）因其低轮廓（凹凸、粗度、粗糙 度）的影响而存在与通常的印刷配线板用铜箔相比降低的倾向。因此，对附载体铜箔要求 进一步的改善。 因此，在日本特开2007-007937号公报（专利文献2)及日本特开2010-006071号 公报（专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触（接着）的 面设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层与铬 酸盐层、及设置Ni层与Cr层。通过设置该等表面处理层，对于聚酰亚胺系树脂基板与附载 体极薄铜箔的密合强度，可不进行粗化处理或降低粗化处理的程度（微细化）而获得所需 的接着强度。进而，亦记载有以硅烷偶合剂进行表面处理或实施防锈处理。 冊2〇04/0〇5588 号 日本特开2007-007937号公报 日本特开2010-006071号公报。
技术实现思路
迄今为止，附载体铜箔的开发中将重心置于确保极薄铜层与树脂基材的剥离强 度。因此，关于细间距化，尚未进行充分的研宄，仍留有改善的余地。因此，本专利技术的课题在 于提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。具体而言，课题在于提供一种可形成与认为是 迄今为止可以MSAP形成的极限的L/S = 20 μ m/20 μ m相比更微细的配线的附载体铜箔。 为达成上述目的，本专利技术人等反复进行努力研宄，结果发现可通过将极薄铜层的 表面低粗度化、及在极薄铜层使微细粗化粒子在面内均匀地形成，而形成均匀且低粗度的 粗化处理面。并且，发现该附载体铜箔对形成细间距极有效果。 本专利技术是基于上述见解而完成的，在一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载 体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式 粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为1. 5 μ m以下，且Rz的标准偏差为0. 1 μ m以 下。 本专利技术在另一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、 及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Rt的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-2001进行测定而为2. Ομπι以下，且Rt的标准偏差为0. 1 μπι以下。 本专利技术在进而另一方面中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜 层、及任意的树脂层者，并且极薄铜层表面的Ra的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601-1982进行测定而为0. 2 μπι以下，且Ra的标准偏差为0. 03 μπι以下。 在本专利技术的附载体铜箔的一实施方案中，极薄铜层经粗化处理。 本专利技术在进而另一方面中是一种印刷配线板，其是使用本专利技术的附载体铜箔而制 成。 本专利技术在进而另一方面中是一种印刷电路板，其是使用本专利技术的附载体铜箔而制 成。 本专利技术在进而另一方面中是一种覆铜积层板，其是使用本专利技术的附载体铜箔而制 成。 本专利技术的附载体铜箔适于形成细间距，例如，可形成较认为是可以MSAP步骤形成 的极限的L/S = 20 μπι/20 μπι更微细的配线，例如L/S = 15 μπι/15 μπι的微细的配线。尤 其是在本专利技术中，极薄铜层的表面粗糙度的面内均匀性较高，由此在利用MSAP法形成电路 时的闪蚀中，面内均匀性变良好，因此可期待提高良率。【附图说明】 图1是表示使用转筒的运箔方式的示意图。 图2是表示利用弯折（zigzag folding)的运箔方式的示意图。 图3是表示使用本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤A 至Co 图4是表示使用本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤D 至F。 图5是表示使用本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤G 至I。 图6是表示使用本专利技术的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的步骤J 至K0【具体实施方式】 < 1.载体 > 可在本专利技术中使用的载体典型为金属箔或树脂膜，例如是以铜箔、铜合金箔、镍 箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜（例如聚酰亚胺膜、 液晶聚合物（LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯（PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等）的形 态提供。 作为可在本专利技术中使用的载体，优选为使用铜箔。典型而言，载体是以压延铜箔或 电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔是在钛或不锈钢的转筒上将铜自硫酸铜镀浴中电解 析出而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材 料，除了精铜或无氧铜等高纯度铜以外，亦可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg 等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者，在本说明书中，单独 使用用语"铜箔"时，亦包含铜合金箔。 关于可在本专利技术中使用的载体的厚度，亦并无特别限制，只要在达到作为载体的 作用效果上适当调节为适宜的厚度即可，例如可设为12μπι以上。但是，若过厚，则生产成 本提高，故而通常优选为设为70 μ m以下。因此，载体的厚度典型为12~70 μ m，更典型为 18 ~35 μ m〇 <2.剥离层> 在载体上设置剥离层。亦可在铜箔载体与剥离层之间设置其他层。作为剥离层， 附载体铜箔可设置业者所知的任意剥离层。例如，剥离层优选为由包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、 11、1、？本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601‑1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：古曳伦也，永浦友太，坂口和彦，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP