提供了包括单元阵列和易失性存储设备的存储器设备。该单元阵列可包括：多个字线，多个位线，和用于存储该单元阵列的配置信息的非易失性保留字线，其中字线与位线的选择定义存储器单元地址。该易失性存储设备被耦合至该单元阵列。来自该非易失性保留字线的配置信息在该存储器设备的上电或初始化之际被复制到该易失性存储设备。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有用于存储配置信息的保留扇区的存储器单元阵列背景领域各种特征涉及存储器设备，尤其涉及存储器单元阵列，其具有用于存储该存储器单元阵列的配置信息(包括故障地址信息)的保留扇区。
技术介绍
图1解说了存储器设备的典型单元阵列。在一个示例中，该存储器设备可以是包括一个或多个单元阵列的非易失性存储器设备。单元阵列102可包括可从单个解码器103或诸分别的解码器访问的第一单元阵列1la和/或第二单元阵列101b。单元阵列102可包括一个或多个字线(WL) 104以及与字线104交叉/相交的一个或多个位线105，以及被置于字线104与位线105之间的交叉处并能够存储多个位(例如，每位单元一位)的电可重写且非易失性存储器单元107。解码器103可起到解码输入地址并选择相应的恰适字线和位线(例如，列和行)的作用。即，字线和位线组合的选择允许在特定地址处存储位。单元阵列102还可包括冗余系统以通过使用经由字线冗余模块106访问的一个或多个冗余字线(RWL) 108来“修复”故障字线。一旦检测到故障字线109，与该故障字线109相对应的(诸)地址就被映射、指派和/或重定向到冗余字线108。该冗余系统还可包括内部或外部熔丝块110 (例如，一次性可编程或非易失性存储)，其存储单元阵列102的故障地址信息以及异(EX)或模块112。EXOR模块112可将输入地址116与熔丝块110中的(诸)故障地址进行比较。一旦发生对单元阵列102的读/写操作，输入地址116就被提供给EXOR模块112。如果在熔丝块110中找到输入地址116，则写/读操作被路由至单元阵列102中的冗余字线(RWL) 108。图2解说了该存储器设备的典型单元阵列102还可以出于其它目的而使用熔丝块202a,202b和202c。对于正当的存储器设备操作而言，需要某些信息，诸如芯片标识符、定时修整、和/或电压修整。此种信息经常被存储在存储器设备的内部和/或外部的熔丝块中。除了故障地址信息(例如，行/列和/或1修复)外，附加熔丝块202a,202b,202c还可起到存储以下各项的作用:(a)芯片标识符(ID)信息、(b)定时和/或电压/电流选项、和/或(C)其它功能选项。存储器设备的内部或外部熔丝块的使用具有若干问题。例如，内部熔丝块(例如，与单元阵列在相同的半导体管芯上)增加了芯片尺寸，因为熔丝块相对较大。使用外部熔丝块(例如，在相同的基板或封装上)来存储故障地址信息要求从外部熔丝块到单元阵列的信号总线。因此，存在对将熔丝块用于存储器设备中的单元阵列的替换方案的需要。概述根据第一特征，提供了一种存储器设备，包括:单元阵列和耦合至该单元阵列的易失性存储器存储。单元阵列可包括:(a)多个字线，(b)多个位线，其中字线和位线的选择定义存储器单元地址，(C)非易失性保留字线，用于存储该单元阵列的配置信息，和/或(d)冗余字线，其被映射以替代该多个字线中的故障字线。易失性存储设备(例如，一个或多个易失性触发器)可以是来自非易失性保留字线的在该存储器设备的上电或初始化之际被复制到易失性存储设备的配置信息。在一些实现中，该易失性存储设备可被集成为该单元阵列的一部分(例如，在相同的半导体管芯或封装内)。在一个示例中，该非易失性保留字线可以存储与以下至少一者有关的信息:(a)来自该多个字线的故障字线地址，(b)来自该多个字线和位线的故障存储器单元地址，和/或(c)来自该多个字线中的故障字线与该单元阵列内的冗余字线之间的映射或重定向。在一个示例中，该单元阵列的配置信息可包括以下至少一者:(a)该单元阵列的芯片标识符，(b)该单元阵列的定时修整信息，和/或(c)该单元阵列的电压修整信息。在一种实现中，该非易失性保留字线可以是该单元阵列内可从该多个字线分开访问的保留扇区的一部分。该非易失性保留字线可以提供:(a)只读非易失性存储和/或(b)一次性可编程存储。该单元阵列可以是非易失性存储设备(例如，该多个字线是非易失性存储)。该存储器设备还可以包括耦合至该单元阵列的控制电路，并且其被配置成:(a)在上电事件或传递命令之际从该非易失性保留字线读取配置信息，(b)将该配置信息存储到该易失性存储设备中，和/或(C)使用该配置信息来配置对该单元阵列的访问。第二特征提供了一种用于在存储器单元阵列的保留扇区内存储该存储器单元阵列的配置信息的方法。一种单元阵列可被形成为包括:(a)多个字线，(b)多个位线，其中字线和位线的选择定义存储器单元地址，和/或(C)非易失性保留字线。该非易失性保留字线可以是该单元阵列内可从该多个字线分开访问的保留扇区的一部分。该单元阵列的配置信息可被存储(例如，在该存储器单元阵列的制造期间或测试之际)在该非易失性保留字线中。该单元阵列的配置信息可包括以下至少一者:(a)该单元阵列的芯片标识符，(b)该单元阵列的定时修整信息，和/或(C)该单元阵列的电压修整信息。还可以形成易失性存储设备并将其耦合至该单元阵列。来自该非易失性保留字线的配置信息可在该存储器设备的上电或初始化之际被复制到该易失性存储设备。该多个字线可在制造阶段期间被测试以查明这些字线内的一个或多个故障地址。结果，故障地址可被存储为该非易失性保留字线中的配置信息的一部分。冗余字线也可被形成为该单元阵列的一部分，其中该冗余字线被映射以替代来自该多个字线的故障字线。该非易失性保留字线可以存储与以下至少一者有关的信息:(a)来自该多个字线的故障字线地址，(b)来自该多个字线和位线的故障存储器单元地址，和/或(C)来自该多个字线的故障字线与该单元阵列内的冗余字线之间的映射或重定向。另一特征提供了一种存储器设备，其包括单元阵列、易失性存储器存储、和控制电路。该单元阵列可包括:(a)多个字线，(b)多个位线，其中字线和位线的选择定义存储器单元地址，和/或(C)包含该单元阵列的配置信息的非易失性保留字线。该易失性存储设备可被耦合至该单元阵列。该控制电路可被耦合至该单元阵列，并且可被配置成:(a)在上电事件或传递命令之际从该非易失性保留字线读取配置信息，(b)将该配置信息存储到该易失性存储设备中，和/或(C)使用该配置信息来配置对该单元阵列的访问。该单元阵列可进一步包括被映射以替代来自该多个字线的故障字线的冗余字线。该非易失性保留字线可以存储与以下至少一者有关的信息:(a)来自该多个字线的故障字线地址，(b)来自该多个字线和位线的故障存储器单元地址，和/或(C)来自该多个字线中的故障字线与该单元阵列内的冗余字线之间的映射或重定向。在一种实现中，该单元阵列可以是非易失性存储设备，例如，非易失性保留字线可以提供只读非易失性存储或一次性可编程存储。又一特征提供了一种用于使用存储器单元阵列的保留扇区内的该存储器单元阵列的配置信息的方法。配置信息可在上电事件或传递命令之际从该存储器单元阵列内的非易失性保留字线读取。该配置信息可被存储在易失性存储设备中。该配置信息可随后被用于配置对该存储器单元阵列的访问。该非易失性保留字线可以存储与以下至少一者有关的信息:(a)来自该多个字线的故障字线地址，(b)来自该多个字线和位线的故障存储器单元地址，和/或(C)来自该多个字线的故障字线与该单元阵列内的冗余字线之间的映射或重定向。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储器设备，包括：单元阵列，包括：多个字线，多个位线，其中字线和位线的选择定义存储器单元地址，以及非易失性保留字线，其用于存储所述单元阵列的配置信息；以及耦合至所述单元阵列的易失性存储设备，其中来自所述非易失性保留字线的所述配置信息在所述存储器设备的上电或初始化之际被复制到所述易失性存储设备。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·金，T·金，S·金，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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