透明导电体以及触摸面板制造技术

本发明专利技术提供透明导电体以及触摸面板。本发明专利技术的透明导电体的特征在于：透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，第1金属氧化物层以及第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y以及Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(X,Y,Z)坐标中，由连接点a(71.2,3.8,25.0)、点b(85.5,4.5,10.0)、点c(76.0,19.0,5.0)、点d(66.5,28.5,5.0)、点e(59.5,25.5,15.0)、以及点f(67.5,7.5,25.0)的线段所围的区域内或者该线段上，Al2O3相对于四种成分的摩尔比率为1.5～3.5mol％。

【技术实现步骤摘要】
透明导电体以及触摸面板
本专利技术涉及透明导电体以及使用该透明导电体的触摸面板。
技术介绍
透明导电体因为兼备透过率和导电性，所以能够作为液晶显示器(LCD)和等离子显示面板(PDP)以及电致发光面板(有机EL、无机EL)等显示器、太阳能电池等的透明电极来进行使用。另外，除了这些之外还能够被使用于电磁波屏蔽膜以及红外线防止膜等。作为透明导电体，众所周知有将锡(Sn)添加于氧化铟(In2O3)的ITO、将钙(Ca)添加于氧化锌(ZnO)的GZO、以及将锑(Sb)添加于氧化锡(SnO2)的材料等。这些中尤其被广泛使用的是ITO。近年来，智能手机以及平板终端等、具备触摸面板的终端正在急速普及。这些都具有将触摸感应部设置在液晶面板上并且在最表面具备玻璃盖的结构。触摸感应部是贴合1枚或者2枚通过溅射将ITO成膜于玻璃或者薄膜基材的单面或者双面的层叠物来构成的。触摸面板用的透明导电体要求具有比其他用途更高的可见光透过率。人眼对每个波长感受到的光的强度不同，在波长为555nm的条件下感受到的强度成为最大。因此，对于触摸面板用的透明导电体来说要求提高在波长为555nm的条件下的透过率。另一方面，根据智能手机、平板终端和具备触摸感应器的PC的普及等，触摸面板的大型化正在急速发展。对于大型触摸面板来说要求维持高透过率不变而要降低电阻值。另外，为了对应伴随大型化而产生的重量增加，进行了将设置有透明导电体的基材从玻璃转换成薄膜来轻量化的探讨。然而，为了在ITO膜中实现低电阻化而必须增厚ITO的膜厚或者必须由热退火处理(thermalannealing)来进行ITO膜的结晶化。但是，如果ITO膜被增厚的话则透过率会降低。另外，通常薄膜难以在高温下进行热退火处理。为此，如果是被设置于薄膜基材上的ITO膜的话则维持高透过率不变而低电阻化处于困难的状况。在如此情况下，有方案提出由金属氧化物层与金属层的层叠结构构成的层叠型透明导电体。另外，近年来人们一直在担忧稀土元素铟(In)的资源会枯竭，因而需求即使不使用In也能够满足各种特性的透明导体。作为像这样的透明导电体的材料对氧化锡(ZnO)进行了探讨。例如，在专利文献1(日本特开平9-291355号公报)中有方案提出层叠添加了Ga的ZnO(GZO)的透明氧化物层、银(Ag)等金属层以及GZO的透明氧化物层而成的层叠体。在专利文献2(日本特开2007-250430号公报)中有方案提出由Zn-Sn-O系氧化物膜以及在该膜中添加了Ga或者Al的膜以及以Ag作为主成分的金属膜的层叠体。
技术实现思路
然而，根据本专利技术人的研究，如果将专利文献1那样的层叠体放置在高温高湿度的环境下的话则因为ZnO的耐湿性低，所以可能发生白色混浊。另外，如果是专利文献2那样的Zn-Sn-O系氧化物膜或者在该膜中添加了Ga或Al的膜的情况下，则可能成为蚀刻困难的材料，如果是蚀刻困难的材料的话则在触摸面板等用途中进行图案化图案将变得困难，因而用途受到限制。本专利技术正是鉴于上述具体情况而做出的，本专利技术的目的在于提供一种具有低表面电阻并且在波长555nm条件下具有高的全光线透过率、而且在蚀刻特性以及保存可靠性方面表现优异的透明导电体。另外，本专利技术的目的在于提供一种通过使用像这样的透明导电体从而显示鲜明并且在保存可靠性方面表现优异的触摸面板。本专利技术提供一种透明导电体，其特征在于：在一个侧面上，透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，第1金属氧化物层以及第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于该四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y、Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(X,Y,Z)坐标系中，由连接点a(71.2,3.8,25.0)、点b(85.5,4.5,10.0)、点c(76.0,19.0,5.0)、点d(66.5,28.5,5.0)、点e(59.5,25.5,15.0)、以及点f(67.5,7.5,25.0)的线段所围的区域内或者该线段上，Al2O3相对于四种成分的合计的摩尔比率为1.5～3.5mol％。本专利技术的透明导电体即使不含有铟(In)也具有低表面电阻并且在波长555nm条件下具有高的全光线透过率，而且在蚀刻性以及保存可靠性方面表现优异。本专利技术提供一种触摸面板，其特征在于：是在另一个侧面上，面板与感应薄膜通过隔离物被相对配置的触摸面板，其中，感应薄膜为上述透明导电体。像这样的透明导电体因为设置了具有上述特征的透明导电体，所以显示鲜明并且在保存可靠性方面表现优异。根据本专利技术就能够提供一种具有低表面电阻并且在波长555nm的条件下具有高的全光线透过率而且在蚀刻特性以及保存可靠性方面表现优异的透明导电体。另外，本专利技术通过使用像这样的透明导电体从而就能够提供一种显示鲜明并且在保存可靠性方面表现优异的触摸面板。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的透明导电体的一个实施方式的截面图。图2是表示本专利技术的透明导电体的一个实施方式中的金属氧化物层的组成的三角图。图3是示意性地表示本专利技术的透明导电体的另一个实施方式的截面图。图4是放大表示本专利技术的触摸面板的一个实施方式中的截面的一部分的模式截面图。图5是构成本专利技术的一个实施方式的触摸面板的感应薄膜的平面图。实施方式参照附图对本专利技术的优选的实施方式作如下详细说明。但是，本专利技术丝毫不限定于以下所述实施方式。另外，在附图上将相同符号标注于相同或者同等的要素，根据不同的情况省略重复的说明。图1是示意性地表示本专利技术的透明导电体的一个实施方式的截面图。透明导电体100具有按顺序层叠薄膜状的透明基材10、金属氧化物层12、金属层16、金属氧化物层12而成的层叠结构。即，金属层16被配置于一对金属氧化物层12之间。在一对金属氧化物层12中，将配置于透明基材10侧的层称作为第1金属氧化物层14，将较之该第1金属氧化物层14更离开透明基材10进行配置的层称作为第2金属氧化层18。本说明书中的“透明”是指可见光可透过，也可以以一定程度散射光。关于光的散射程度，根据透明导电体100的用途不同被要求的水平会有所不同。一般具有被称作为半透明那样的光的散射也包含于本说明书中的“透明”这个概念。光的散射程度优选小一点，透明性优选高一点。透明导电体100整体的全光线透过率例如为86％以上，优选为90％以上。作为透明基材10并没有特别的限定，也可以是具有可挠性的有机树脂薄膜。有机树脂薄膜也可以是有机树脂薄片。作为树脂薄膜例如可以列举：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯薄膜、聚乙烯以及聚丙烯等聚烯烃薄膜、聚碳酸酯薄膜、丙烯酸薄膜、降冰片烯薄膜、聚芳酯薄膜、聚醚砜薄膜、二醋酸纤维素薄膜以及三醋酸纤维素等。在这些薄膜中优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯薄膜。透明基材10从刚性的观点出发优选厚一点。另外，透明基材10从使透明导电体100薄膜化的观点出发优选薄一点。从像这样的观点出发则透明基材10的厚度例如为10～200μm。透明基材的折射率从要制成在光学特性方面表现优异的透明导电体的观点出发则例如为1.50～1.70。另外，本说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电体，其特征在于：透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，所述第1金属氧化物层以及所述第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于所述四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y、Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(X,Y,Z)坐标中，由连接点a(71.2,3.8,25.0)、点b(85.5,4.5,10.0)、点c(76.0,19.0,5.0)、点d(66.5,28.5,5.0)、点e(59.5,25.5,15.0)以及点f(67.5,7.5,25.0)的线段所围的区域内或者该线段上，Al2O3相对于所述四种成分的摩尔比率为1.5～3.5mol％。

【技术特征摘要】
2014.01.17 JP 2014-0069191.一种透明导电体，其特征在于：透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，所述第1金属氧化物层以及所述第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于所述四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y、Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(...

【专利技术属性】
技术研发人员：新开浩，藤田实，大石昌弘，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP