带导电性薄膜的玻璃基板、薄膜太阳能电池、低辐射玻璃基板、带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法技术

本发明专利技术提供带导电性薄膜的玻璃基板，在玻璃基板的面上依次层叠有底涂层和导电性薄膜，所述玻璃基板的雾度在3％以下，所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上50nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及带导电性薄膜的玻璃基板、薄膜太阳能电池、低福射玻璃基板、带导电 性薄膜的玻璃基板的制造方法。
技术介绍
-直W来，已知在玻璃基板上形成有导电性薄膜的带导电性薄膜的玻璃基板，被 使用于例如太阳能电池模块和建筑用低福射玻璃等。该样的带导电性薄膜的玻璃基板中， 制造时和使用时导电性薄膜可能会发生膜剥离，为了解决该问题而进行了各种研究。 例如，专利文献1中掲示了通过在含碱基板玻璃上依次形成用于赋予凹凸的膜厚 1加AW上的具有结晶性的金属氧化物的基底膜、由Si化形成的反应所述基底膜的膜厚的 碱阻隔连续膜、由惨入杂质的Sn〇2形成的膜厚5000AW上的透明导电膜，使透明导电膜的 附着力提局。 此外，专利文献1中掲示在玻璃基板上通过热分解喷雾法或CVD法制成Sn〇2基底 膜，通过结晶粒子的生长而形成凹凸，W及因该凹凸而膜剥离得到抑制。 现有技术文献 [000引专利文献 专利文献1:日本专利特开2000-261013号公报 专利技术的概要 专利技术所要解决的技术问题 然而，该方法难W控制结晶粒子的大小，因而结晶粒子变大，凹凸的密度也容易变 疏。因此，无法认为能够充分抑制实际的使用环境下、即高温且对导电性薄膜施加电压的环 境下的导电性薄膜的剥离。此外，结晶粒子变大，因此雾度也容易变大，带导电性薄膜的基 板的透明性下降。此外，用于凹凸形成用基底膜的原材料也需另外准备。 鉴于上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供在高温的使用环境下，特 别是在对导电性薄膜施加电压的使用环境下，可抑制导电性薄膜的膜剥离的发生且抑制了 雾度的带导电性薄膜的玻璃基板。 解决技术问题所采用的技术方案 为了解决上述课题，本专利技术提供带导电性薄膜的玻璃基板，在玻璃基板的面上依 次层叠有底涂层和导电性薄膜，所述玻璃基板的雾度在3%W下，所述玻璃基板的层叠所述 底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗趟度（Ra)为0. 5nmW上50nmW下。 此外，本专利技术还提供带导电性薄膜的玻璃基板，在玻璃基板的面上依次层叠有含 氧化娃的底涂层和导电性薄膜，所述带有含氧化娃的底涂层的玻璃基板的雾度在3%W下， 所述带有含氧化娃的底涂层的玻璃基板的层叠所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗趟度 (Ra)为 0. 5nmW上 50nmW下。 专利技术的效果 本专利技术的带导电性薄膜的玻璃基板中，玻璃基板的表面粗趟度致密而适度细小， 且雾度小。因此，透明性良好，在高温的使用环境下，特别是对导电性薄膜施加电压的使用 环境下，可抑制导电性薄膜的膜剥离的发生。 附图的简单说明 图1是本专利技术的实施方式1的带导电性薄膜的玻璃基板的剖视图。 图2是本专利技术的实施方式3的薄膜太阳能电池的剖视图。 图3是本专利技术的实施例的喷射器的剖视图。 实施专利技术的方式 W下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明，本专利技术并不限于下述的实施 方式，在不超出本专利技术的范围内可向下述的实施方式中施加各种变形和置换。[002引[实施方式U 本实施方式中，对本专利技术的带导电性薄膜的玻璃基板的一个构成例进行说明。 本实施方式的带导电性薄膜的玻璃基板中，在玻璃基板的面上依次层叠有底涂层 和导电性薄膜，所述玻璃基板的雾度在3%W下，所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导 电性薄膜的一侧的面的表面粗趟度（Ra)为0. 5nmW上50nmW下。 W下，关于本实施方式的带导电性薄膜的玻璃基板的具体的构成例，使用图1进 行说明。 图1是示意地表示本实施方式的带导电性薄膜的玻璃基板的剖视图的图，具有图 中自下方依次层叠有玻璃基板11、底涂层12、导电性薄膜（面涂层）13的构成。W下，对玻 璃基板和各层的构成进行说明。 <玻璃基板> 作为玻璃基板，无特别限定，可根据用途进行选择。具体来说，可使用例如轴巧娃 酸盐玻璃、铅娃酸盐玻璃、测酸盐玻璃、裡铅娃酸盐玻璃、石英玻璃、测娃酸盐玻璃、无碱玻 璃和其它各种玻璃。 作为底涂层12,如后所述设置具有碱阻隔性的层的情况下，具有碱阻隔性的底涂 层通常为了抑制碱成分从含碱成分的玻璃基板向导电性薄膜13等的扩散而设置。因此，鉴 于所述目的，该样的情况下，也可优选使用例如轴巧娃酸盐玻璃等含碱金属氧化物的含碱 玻璃。 但是，即使在设置具有碱阻隔性的底涂层的情况下，也不排除碱金属氧化物含量 少或不含的玻璃基板，可使用轴巧娃酸盐玻璃W外的各种玻璃基板。 像太阳能电池等的光电转换元件和液晶显示器中所用的玻璃基板该样，用于在其 上形成透明导电性氧化物膜的用途的情况下，玻璃基板较好是透光率高。具体来说，例如较 好是在350~800皿的波长区域内具有80%W上的透光率。 玻璃基板的厚度可根据其用途适当进行选择。像太阳能电池等的光电转换元件和 液晶显示器中所用的玻璃基板该样，用于在其上形成透明导电性氧化物膜的用途的玻璃基 板的情况下，玻璃基板的厚度较好是0. 2~6. 0mm。该是因为如果在该范围内，则玻璃基板 的强度高，上述的波长区域内的透光率高。 另外，玻璃基板的层叠底涂层、导电性薄膜的一侧的面的表面粗趟度（Ra)为 0. 5皿W上50皿W下，较好是0. 5皿W上30皿W下，特别好是4. 0皿W上15皿W下。 表面粗趟度（Ra)是通过AFM观察的表面形状的表面粗趟度（Ra)，可通过基于JIS B0601(1994)的测定方法进行测定。 通过像该样使玻璃基板的层叠底涂层、导电性薄膜的一侧的面的表面粗趟度（Ra) 满足上述范围，在高温且对导电性薄膜施加电压的实际的使用环境下，也可抑制导电性薄 膜剥离的发生，因此优选。 另外，玻璃基板的雾度在3 %W下，较好是在1%W下，特别好是在0. 8 %W下。 雾度表示在对玻璃基板进行光照时透射至其相反侧的面的光（透射光总量）中的 散射透射光量的比例，可通过基于JISK7136的方法进行测定。目P，雾度在上述范围内意味着透射玻璃基板的光的散射程度低，玻璃基板透明，没 有模糊。 通过像该样至少在玻璃基板的形成底涂层等的一侧的面设置几乎不会使透射玻 璃基板的光中散射透射光量的比例增加的程度的微细凹凸，可良好地用于要求透明性的太 阳能电池用玻璃基板和显示器用玻璃基板、低福射玻璃基板、建筑用低福射玻璃基板等各 种用途，因此优选。 <采用氣化氨的蚀刻处理>另外，本实施方式的玻璃基板的层叠底涂层、导电性薄膜的一侧的面11A较好是 用氣化氨进行了蚀刻处理，由此可容易地制成具有上述特性的玻璃基板。 对采用氣化氨的蚀刻处理进行说明。 作为采用氣化氨的蚀刻处理，例如可通过对搬运中的板状玻璃在常压下喷射含 氣化氨的气体来进行。另外，该时，较好是板状玻璃的至少喷射含氣化氨的气体的部分在 30(TCW上，对于玻璃的被处理部分的喷射含氣化氨的气体的时间为1砂W上2分钟W下， 所述含氣化氨的气体中所含的氣化氨浓度为0. 1体积％ ^上10体积％ ^下。在此，板状玻 璃包括成形工序后经过退火工序、切割工序等制造的玻璃基板和制造工序中在成形工序后 未进行切割工序的玻璃带，可W是任一种形态。玻璃带的情况下，可在蚀刻处理后再进行切 割工序而制成所需尺寸的玻璃基板。为了充分促进蚀刻处理，板状玻璃较好是如上所述至少使喷射含氣化氨的气体的 部分在30(TCW上。特别是为了提高蚀刻处理时本文档来自技高网...

【技术保护点】
带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，在玻璃基板的面上依次层叠有底涂层和导电性薄膜，所述玻璃基板的雾度在3％以下，所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上50nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：涩谷崇，冈畑直树，笹井淳，森嶋勇介，东原元气，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP