透明导电性膜制造技术

本发明专利技术提供一种透明导电性膜，其制造简便容易，透过率及导电性高，且可抑制虹状的斑纹的产生。本发明专利技术的透明导电性膜是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且总光线透过率为80％以上的透明导电性膜，该透明基材的厚度方向的相位差的绝对值为100nm以下，且该透明导电层包含金属纳米线或金属网。在优选的实施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差为50nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及一种透明导电性膜。
技术介绍
W往，透明导电性膜用于触控面板等电子设备零件的电极、遮断成为电子设备的 误动作的原因的电磁波的电磁波屏蔽构件等。已知透明导电性膜是通过瓣锻法在透明树脂 膜上形成口〇(Indium Tin化ide，铜-锡复合氧化物）等的金属氧化物层而获得的。然而， 利用瓣锻法的透明导电性膜的制造有需要大规模的设备而成本变高的问题。另外，也有难 W制造宽度较宽的透明导电性膜的问题。进而，通过瓣锻法获得的透明导电性膜有透光率 变低的问题。作为解决上述瓣锻法的问题的方法，提出有在聚对苯二甲酸己二醋（阳T)基材上 形成由金属纳米线、金属网等构成的导电层的方法。例如，在专利文献1中，提出有在PET基 材上形成包含银纳米线的层的方法。利用该方法获得的透明导电性膜的包含银纳米线的层 具有开口部，透过率高。然而，用作基材的PET为了获得实用的机械强度，需要拉伸处理，因 此相位差非常大，在将使用该种阳T基材而获得的透明导电性膜例如组合至液晶显示器而 使用的情况下，产生虹状的斑纹（W下也称为虹斑）。该种现象在使用透过率高的透明导电 性膜（例如如上所述包含金属纳米线（银纳米线）、金属网等的透明导电性膜）的情况下， 即在自透明导电性膜射出的光量多的情况下，特别成为问题。另外，由于在自斜向的可视时 明显地可见该虹斑，因而在自斜向观察画面端部的大型显示器中，虹斑的产生特别成为问 题。现有技术文献 [000引专利文献 专利文献1 ;日本特表2009-505358号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题[000引本专利技术是为了解决上述课题而作出的，其目的在于提供一种透明导电性膜，其制 造简便容易，透过率及导电性高，且可抑制虹状的斑纹的产生。解决课题的技术手段 本专利技术的透明导电性膜是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且 总光线透过率为80% W上的透明导电性膜，其中，上述透明基材的厚度方向的相位差的绝 对值为lOOnm W下，且上述透明导电层包含金属纳米线或金属网。 在优选的实施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差为50nm W下。 在优选的实施方式中，上述透明基材的面内相位差为lOnm W下。在优选的实施方式中，上述透明基材包含环締姪系树脂。在优选的实施方式中，上述透明基材包含丙締酸系树脂。 在优选的实施方式中，上述金属纳米线为银纳米线。 根据本专利技术的另一方式，提供一种触控面板。该触控面板包含上述透明导电性膜。 根据本专利技术的又一方式，提供一种电磁波屏蔽构件。该电磁波屏蔽构件包含上述 透明导电性膜。 根据本专利技术的再一方式，提供一种液晶显示元件。该液晶显示元件具备上述触控 面板及/或上述电磁波屏蔽构件。 根据本专利技术的再一方式，提供一种有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示 装置自可视侧起依次具备上述触控面板、偏振片及有机电致发光元件。 在优选的实施方式中，上述有机电致发光显示装置在上述触控面板与上述偏振片 之间进一步具备上述电磁波屏蔽构件。 根据本专利技术的再一方式，提供一种有机电致发光显示装置。该有机电致发光显示 装置自可视侧起依次具备上述电磁波屏蔽构件、偏振片及有机电致发光元件。[00巧专利技术的效果 根据本专利技术，通过由在厚度方向的相位差的绝对值小的透明基材上形成包含金属 纳米线或金属网的透明导电层，可提供一种透过率及导电性高、且可抑制虹状的斑纹的产 生的透明导电性膜。由于本专利技术的透明导电性膜可通过涂布形成上述透明导电层，因而可 简便容易地制造。【附图说明】 图1是本专利技术的优选的实施方式的透明导电性膜的概略截面图。 图2是本专利技术的实施方式之一的液晶显示元件的概略截面图。 图3是本专利技术的实施方式之一的液晶显示元件的概略截面图。 图4是本专利技术的实施方式之一的有机电致发光显示装置的概略截面图。[002引图5是本专利技术的实施方式之一的有机电致发光显示装置的概略截面图。【具体实施方式】[002引A.诱巧导由忡腸的蒋体构成 图1是本专利技术的优选的实施方式的透明导电性膜的概略截面图。如图1所示，本 专利技术的透明导电性膜10具有透明基材1及形成于透明基材1上的透明导电层2。透明导电 层2包含金属纳米线或金属网。 本专利技术的透明导电性膜的总光线透过率优选为80% W上，更优选为85% W上，特 别优选为90% W上。在本专利技术中，通过具备包含金属纳米线或金属网的透明导电层，可获 得总光线透过率高的透明导电性膜。另外，由于本专利技术的透明导电性膜具备厚度方向的相 位差小的透明基材，因而即便如上所述那样透过率高，即，即便自透明导电性膜射出的光量 多，也可抑制虹斑。本专利技术的效果之一为同时实现了高透光率与虹斑的抑制。 本专利技术的透明导电性膜的表面电阻值优选为0. 10/□~1000Q/□，更优选为 0. 50/□~5000/□，特别优选为10/□~2500/□。在本专利技术中，通过具备包含金属 纳米线或金属网的透明导电层，可获得表面电阻值小的透明导电性膜。另外，通过少量金 属，从而如上所述那样表面电阻值小，可示出优良的导电性，因此可获得透光率高的透明导 电性膜。B.诱巧甚材 上述透明基材的厚度方向的相位差化h的绝对值为lOOnmW下，优选为75nmW 下，更优选为50nmW下，特别优选为lOnmW下，最优选为5nmW下。另外，在本说明书中， 厚度方向的相位差Rth是指23°C、波长为545. 6nm下的透明基材的厚度方向的相位差值。 在将面内的折射率为最大的方向（即慢轴方向）的折射率设为nx，将厚度方向的折射率设 为nz，并将透明基材的厚度设为d(nm)时，Rth可根据化h=(nx-nz)Xd而求出。 上述透明基材的面内相位差Re优选为lOnmW下，更优选为5nmW下，进一步优选 为Onm~2nm。另外，在本说明书中，面内相位差Re是指23°C、波长为545. 6nm下的透明基 材的面内相位差值。在将面内的折射率为最大的方向（即慢轴方向）的折射率设为nx，将 在面内与慢轴正交的方向（即快轴方向）的折射率设为ny，并将光学膜的厚度设为d(nm) 时，Re可根据Re=(nx-ny)Xd而求出。 本当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性膜，其是具有透明基材及形成于该透明基材上的透明导电层、且总光线透过率为80％以上的透明导电性膜；其中，所述透明基材的厚度方向的相位差的绝对值为100nm以下；所述透明导电层包含金属纳米线或金属网。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田祥一，友久宽，西田干司，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP