TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为改善TFT的中电极的导电性。所述TFT的制作方法包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，源极和漏极位于栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在栅极、源极或/和漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层。在本发明专利技术提供的TFT的制作方法中，在栅极、源极或/和漏极的表面分别形成一层防氧化的金属保护层，因而可以避免在后续的工艺中引起栅极、源极或/和漏极的氧化，从而改善TFT中的电极的导电性。本发明专利技术用于显示器的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示 目.ο
技术介绍
目前，液晶显示器(Liquid Crystal Display，以下简称IXD)或有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display，以下简称0LED)相比于阴极射线管(CathodeRay Tube，以下简称CRT)显示器具有体积小、重量轻、功耗小、色彩鲜艳、图像逼真等优势，因而IXD或OLED在平板显示技术中已经逐步取代CRT显示器，并开始广泛的应用于电视屏幕、手机屏幕、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常，LCD或OLED中设有一块薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称TFT)阵列基板，TFT阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元对应有一个TFT，TFT作为开关器件用于控制对应的像素单元的状态。通常，大面积和高分辨率的LCD和OLED在使用时要求各个像素单元对应的TFT具有较快的开关速度，因而对TFT中的电极的导电性提出较高的要求。然而，目前TFT中的电极通常采用导电性较好的单质金属作电极材料，构成TFT中的电极的单质金属在后续的工艺中容易被氧化，从而导致TFT中的电极的导电性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT的制作方法，用于改善TFT中的电极的导电性。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种TFT的制作方法，包括:在衬底基板上形成栅极的图形；在所述衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括:在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各形成一层防氧化的所述金属保护层O优选地，所述金属保护层为单质金属保护层，所述栅极、所述源极或/和所述漏极为单质金属电极，且形成所述单质金属电极的单质金属的化学活性高于对应的所述金属保护层的单质金属的化学活性。优选地，所述金属保护层的形成过程为:将形成有所述单质金属电极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述单质金属电极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述单质金属电极的表面形成所述金属保护层。较佳地，所述栅极、所述源极和所述漏极的表面各形成一层所述金属保护层，且所述栅极、所述源极和所述漏极均为单质金属电极，形成所述栅极、所述源极和所述漏极的单质金属的化学活性高于形成所述金属保护层的单质金属的化学活性；在所述栅极的表面形成一层防氧化的所述金属保护层的步骤包括:将形成有所述栅极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，所述栅极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间发生置换反应，在所述栅极的表面形成所述金属保护层；在所述源极和所述漏极的表面各形成所述金属保护层的步骤包括:将形成有所述源极和所述漏极的所述衬底基板浸入含有与所述金属保护层的单质金属对应的金属离子的溶液中，通过所述源极和所述漏极的表面的单质金属与溶液中的金属离子之间的置换反应，在所述源极和所述漏极的表面各形成所述金属保护层。较佳地，所述栅极、所述源极和所述漏极均为铜电极；所述金属保护层为银保护层O进一步地，当所述衬底基板上形成有公共电极时，在所述衬底基板上形成所述栅极的图形的步骤具体包括:在所述衬底基板上逐层依次沉积透明导电层和材料为单质金属的栅极金属层；通过构图工艺，在所述栅极金属层形成材料为单质金属的所述栅极的图形，在所述透明导电层形成所述公共电极的图形；将形成有所述公共电极和所述栅极的所述衬底基板放入退火炉中，对所述公共电极进行退火；将完成对所述公共电极退火后的所述衬底基板浸入溶液中，溶液中含有化学活性比形成所述栅极的单质金属的化学活性低的单质金属对应的金属离子，将材料为单质金属的所述栅极置换为材料为溶液中的金属离子对应的单质金属的所述栅极。进一步地，在所述衬底基板上沉积栅极绝缘层之后、在形成所述源极和所述漏极之前还包括:在所述栅极绝缘层上形成有源层的图形，所述源极和所述漏极位于所述有源层上。本专利技术提供的TFT的制作方法中，由于在栅极、源极或/和漏极的表面形成有一层保护层，因此，在后续的制作TFT的过程中，避免了栅极、源极或/和漏极的表面暴露在外，因而避免了栅极、源极或/和漏极的表面的氧化，从而有效地改善了 TFT中的电极的导电性。本专利技术的另一目的在于提供一种TFT，用于改善TFT中的电极的导电性。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:—种TFT，所述TFT采用上述技术方案所述的TFT的制作方法制得，所述TFT包括:设置在衬底基板上的栅极，覆盖所述栅极和所述衬底基板的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置；其中，在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各覆盖有一层防氧化的金属保护层。优选地，所述金属保护层为单质金属保护层，所述栅极、所述源极或/和所述漏极为单质金属电极，且形成所述单质金属电极的单质金属的化学活性高于对应的所述金属保护层的单质金属的化学活性。较佳地，所述栅极、所述源极和所述漏极的表面各覆盖有一层所述金属保护层，且所述栅极、所述源极和所述漏极均为铜电极；所述金属保护层为银保护层。进一步地，所述衬底基板上设有公共电极，所述公共电极与所述栅极同层设置且相互绝缘。所述TFT与上述技术方案所述的TFT的制作方法相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。本专利技术的另一目的在于提供一种阵列基板，用于改善TFT中的电极的导电性。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种阵列基板，所述阵列基板设置有呈阵列状排列的上述技术方案所述的TFT。所述阵列基板与上述技术方案所述的TFT相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。本专利技术的另一目的在于提供一种显示装置，用于改善TFT中的电极的导电性。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种显示装置，所述显示装置设置有上述技术方案所述的阵列基板。所述显示装置与上述技术方案所述的阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本专利技术实施例提供的一种TFT的制作方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种栅极的制作方法的流程图；当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在所述衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在所述栅极、所述源极或/和所述漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁策，李明超，张方振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11