单体、包含所述单体的硬掩膜组成物、以及使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法技术

本发明专利技术是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种单体、一种包含所述单体的硬掩膜组成物，以及一种使用所述硬 掩膜组成物形成图案的方法。
技术介绍
近来，半导体工业已经发展出具有数纳米至数十纳米大小的图案的超微细技术。 这样的超微细技术实质上需要有效的光刻技术。 典型的光刻技术包括于半导体基材上提供材料层；于其上涂覆光阻层；曝光并显 影所述光阻层以提供光阻图案；以及使用所述光阻图案作为掩膜来蚀刻所述材料层。 现今，根据要形成的尺寸愈来愈小的图案，经由仅仅以上提及的典型光刻技术来 提供有优异的轮廓的微细的图案是不容易的。因此，可以于材料层和光阻层之间形成称为 硬掩膜层（hardmasklayer)的一层，来提供微细的图案。 硬掩膜层扮演经由选择性蚀刻工艺而将光阻的微细图案转移至材料层的中间层 的角色。因此，硬掩膜层必须具有于多重蚀刻工艺期间耐受的特点，例如耐化学性，及耐蚀 刻性或类似物。
技术实现思路
技术问题 -个实施例提供了一种可降低固化温度的硬掩膜组成物用单体，因其可在相对低 的温度下固化以及改善耐化学性及耐蚀刻性。 另一个实施例提供了一种包含所述单体的硬掩膜组成物。 再另一个实施例提供了一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。 技术解决方案 依据一个实施例，提供了一种由下列化学式1表示的硬掩膜组成物用单体： 【主权项】1. 一种硬掩膜组成物用的单体，由下列化学式1表示： 其中于化学式1中， A1至A 3各自独立地为经取代或未经取代的脂肪族环状基团或芳族环状基团， X1和X 2各自独立地为C = 0、NRa、氧（O)、硫⑶、CRbRe或其组合，其中R 3至R。各自独 立地为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、羟基、卤素原子、含卤素基团或其组合， L1和L2各自独立地为单键、经取代或未经取代的Cl至C20亚烷基、经取代或未经取代 的C3至C20环亚烷基、经取代或未经取代的C6至C20亚芳基、经取代或未经取代的C2至 C20杂亚芳基或其组合， Y1和Y 2各自独立地为经取代或未经取代的C2至C20烯基， nl和n2为OS nl< 10及OS n2 < 10的整数，以及 nl和n2不同时为0。2. 根据权利要求1所述的硬掩膜组成物用的单体，其中A1至A 3为各自独立地选自于 下列第1组的经取代或未经取代的环状基团： 其中于第1组中， Z1和Z 2各自独立地为单键、经取代或未经取代的Cl至C20亚烷基、经取代或未经取代 的C3至C20环亚烷基、经取代或未经取代的C6至C20亚芳基、经取代或未经取代的C2至 C20杂亚芳基、经取代或未经取代的C2至C20亚烯基、经取代或未经取代的C2至C20亚炔 基、C = 0、NRa、氧（O)、硫⑶或其组合，其中Ra为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、 卤素原子或其组合，以及 Z3至Z 17独立地为C = 0、NRa、氧（0)、硫（S)、CRbRe或其组合，其中1^至Re各自独立地 为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、卤素原子、含卤素基团或其组合。3. 根据权利要求1所述的硬掩膜组成物用的单体，其中A 1至A 3的至少一个为多环芳 族基团。4. 根据权利要求1所述的硬掩膜组成物用的单体，其中所述单体是由下列化学式2至 7的一个来表示： 其中于化学式2至7中，η为1至4。5. 根据权利要求1所述的硬掩膜组成物用的单体，其中所述单体具有200至5000的分 子量。6. -种硬掩膜组成物，其包含 由下列化学式1表示的单体，以及 溶剂： 其中于化学式1中， A1至A 3各自独立地为经取代或未经取代的脂肪族环状基团或芳族环状基团， X1和X 2各自独立地为C = 0、NRa、氧（O)、硫⑶、CRbRe或其组合，其中R 3至R。各自独 立地为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、羟基、卤素原子、含卤素基团或其组合， L1和L2各自独立地为单键、经取代或未经取代的Cl至C20亚烷基、经取代或未经取代 的C3至C20环亚烷基、经取代或未经取代的C6至C20亚芳基、经取代或未经取代的C2至 C20杂亚芳基或其组合， Y1和Y 2各自独立地为经取代或未经取代的C2至C20烯基， nl和n2为OS nl< 10及OS n2 < 10的整数，以及 nl和n2不同时为0。7. 根据权利要求6所述的硬掩膜组成物，其中A1至A3为各自独立地选自于下列第1组 的经取代或未经取代的环状基团： 其中于第1组中， Z1和Z 2各自独立地为单键、经取代或未经取代的Cl至C20亚烷基、经取代或未经取代 的C3至C20环亚烷基、经取代或未经取代的C6至C20亚芳基、经取代或未经取代的C2至 C20杂亚芳基、经取代或未经取代的C2至C20亚烯基、经取代或未经取代的C2至C20亚炔 基、C = 0、NRa、氧（O)、硫⑶或其组合，其中Ra为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、 卤素原子或其组合， Z3至Z 17独立地为C = 0、NRa、氧（0)、硫（S)、CRbR。或其组合，其中1^至R。各自独立地 为氢、经取代或未经取代的Cl至ClO烷基、卤素原子、含卤素基团或其组合。8. 根据权利要求6所述的硬掩膜组成物，其中A 1至A 3的至少一个为多环芳族基团。9. 根据权利要求6所述的硬掩膜组成物，其中所述单体是由下列化学式2至7的一个 来表示： 其中于化学式2至7中，η为1至4。10. 根据权利要求6所述的硬掩膜组成物，其中所述单体具有200至5000的分子量。11. 根据权利要求6所述的硬掩膜组成物，其中以所述硬掩膜组成物的总量为基准，以 0. 1至50重量％的量包含所述单体。12. -种形成图案的方法，其包含： 于基材上提供材料层， 涂覆根据权利要求6至11中的一项的硬掩膜组成物于所述材料层上， 热处理所述硬掩膜组成物以提供硬掩膜层， 于所述硬掩膜层上形成含硅薄层， 于所述含硅薄层上形成光阻层， 通过曝光并显影所述光阻层而形成光阻图案， 使用所述光阻图案来选择性地移除所述含硅薄层与所述硬掩膜层，以曝光所述材料层 的一部分，以及 蚀刻所述材料层的经曝光部分。13.根据权利要求12所述的形成图案的方法，其中所述硬掩膜组成物是使用旋转涂布 法予以涂覆。【专利摘要】本专利技术是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。【IPC分类】G03F7-004, C07C49-792【公开号】CN104768912【申请号】CN201380056460【专利技术人】朴惟廷, 金惠廷, 朴曜徹, 尹龙云, 李圣宰, 李哲虎, 赵娟振 【申请人】第一毛织株式会社【公开日】2015年7月8日【申请日】2013年3月19日【公告号】WO2014104480A1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硬掩膜组成物用的单体，由下列化学式1表示：[化学式1]其中于化学式1中，A1至A3各自独立地为经取代或未经取代的脂肪族环状基团或芳族环状基团，X1和X2各自独立地为C＝O、NRa、氧(O)、硫(S)、CRbRc或其组合，其中Ra至Rc各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1至C10烷基、羟基、卤素原子、含卤素基团或其组合，L1和L2各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1至C20亚烷基、经取代或未经取代的C3至C20环亚烷基、经取代或未经取代的C6至C20亚芳基、经取代或未经取代的C2至C20杂亚芳基或其组合，Y1和Y2各自独立地为经取代或未经取代的C2至C20烯基，n1和n2为0≤n1≤10及0≤n2≤10的整数，以及n1和n2不同时为0。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴惟廷，金惠廷，朴曜徹，尹龙云，李圣宰，李哲虎，赵娟振，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR