热硬化性组成物制造技术

本发明专利技术提供一种高透明性、耐溅镀性、及耐热性优异、不产生龟裂、且藉由涂布或印刷而可获得厚度为10μm～200μm的硬化膜的材料、及使用其的硬化膜及显示元件。具体而言，本发明专利技术是一种热硬化性组成物，其含有硅氧烷聚合物与溶剂，且上述硅氧烷聚合物相对于硅氧烷聚合物的总量而含有90重量％以上的硅氧烷聚合物(A)，上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有下述通式(1)所示的一官能硅烷与下述通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得，作为上述通式(2)所示的三官能硅烷，包含R为任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基的三官能硅烷，其比例相对于三官能硅烷总量为30摩尔％以上。[式(1)～式(2)中，R分别独立地例如为烷基，R'分别独立地为水解性基。]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热硬化性组成物、硬化膜及显示元件
本专利技术涉及一种可用于保护膜等硬化膜的热硬化性组成物、硬化膜及显示元件。
技术介绍
在液晶显示元件等元件的制造步骤中，存在藉由有机溶剂、酸、碱溶液等各种化学品对制造中途的显示元件的表面进行处理、或在藉由溅镀将配线电极成膜时将显示元件的表面局部地加热至高温的情况。因此，为了防止各种元件的表面的劣化、损伤、变质，而有设置表面保护膜的情况。对该保护膜要求可承受如上所述的制造步骤中的各种处理的各种特性。具体而言，要求耐热性、耐溶剂性、耐酸性、耐碱性等耐化学品性，及耐水性、在玻璃等底层基板上的密接性、透明性、耐损伤性、涂布性、印刷性、平坦性、长期不引起着色等变质的耐候性等。作为用以形成具有此种特性的硬化膜的材料，已知有硅氧烷系材料(例如参照专利文献1～专利文献4)。而且，近年来，具有200℃以上的高耐热性、即便具有10μm以上的膜厚(厚膜)也为高透明性等新的特性的硅氧烷系材料的研究开发正在积极地进行。以前，本专利技术人等人专利技术了高透明性及耐热性优异、不产生龟裂、且藉由涂布而也可获得厚度为10μm～200μm的硬化膜的材料(专利文献5)。公知有藉由使含有一官能硅烷与三官能硅烷的硅烷混合物水解及缩合而得的硅氧烷聚合物的组成(专利文献6)。但，该硅氧烷聚合物的组成本身虽然为已知，但将该组成物制成硬化膜时的耐热性、透明性、耐溅镀性并未记载而不明了。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开平6-346025号公报专利文献2：日本专利特开2000-303023号公报专利文献3：日本专利特开2001-115026号公报专利文献4：日本专利特开2003-031569号公报专利文献5：日本专利特开2011-084639号公报专利文献6：日本专利特公昭49-45320号公报
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题最新知晓：专利文献5所示的热硬化性组成物在耐溅镀性方面有改善的余地。在液晶显示元件等元件的制造中，由于包括藉由溅镀将配线电极成膜的步骤，因此可以说耐溅镀性是重要的特性。本专利技术提供一种除了高透明性、耐热性外，耐溅镀性也优异、不产生龟裂、且藉由涂布也可获得厚度为10μm～200μm的硬化膜的材料、及使用其的硬化膜及显示元件。解决技术问题的技术手段本专利技术人等人为了克服上述问题点而进行各种研究，结果发现，以特定量含有包含特定硅氧烷单体的聚合物的组成物，可解决上述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术人进行锐意研究开发，结果成功地开发出除了专利文献5所记载的特性外，也具有耐溅镀性的材料。本专利技术具有以下的构成。[1]一种热硬化性组成物，其含有硅氧烷聚合物与溶剂，且上述硅氧烷聚合物相对于硅氧烷聚合物的总量而含有90重量％以上的硅氧烷聚合物(A)，上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有下述通式(1)所示的一官能硅烷与下述通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得，作为下述通式(2)所示的三官能硅烷，包含R为任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基的三官能硅烷，其比例相对于三官能硅烷总量而为30摩尔％以上。[化1][化2](通式(1)～通式(2)中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为水解性基。)[2]如上述[1]所述的热硬化性组成物，其中在通式(1)～通式(2)中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～5的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为烷氧基、卤素、或乙酰氧基。[3]如上述[1]或[2]所述的热硬化性组成物，其中通式(1)所示的一官能硅烷为选自由三甲基甲氧基硅烷及三甲基乙氧基硅烷所组成的组群中的一种以上。[4]如上述[1]至[3]中任一项所述的热硬化性组成物，其中通式(2)所示的三官能硅烷为选自三甲氧基苯基硅烷及三乙氧基苯基硅烷的一种以上、与选自三甲氧基甲基硅烷、及三乙氧基甲基硅烷的一种以上的混合物。[5]如上述[1]至[4]中任一项所述的热硬化性组成物，其中通式(1)所示的一官能硅烷为三甲基甲氧基硅烷，通式(2)所示的三官能硅烷为三甲氧基甲基硅烷与三甲氧基苯基硅烷的混合物。[6]如上述[5]所述的热硬化性组成物，其中硅氧烷聚合物(A)中的甲基相对于苯基的数量比为1.0～3.0。[7]一种硬化膜，其膜厚为10μm～200μm，其是使如上述[1]至[6]中任一项所述的热硬化性组成物在200℃以上进行热硬化而得。[8]一种显示元件，其具有如上述[7]所述的硬化膜。专利技术的效果本专利技术的热硬化性组成物可获得不但高透明性、耐热性优异，而且耐溅镀性也优异的硬化膜。由本专利技术的热硬化性组成物而得的硬化膜即便是在制成厚膜(膜厚为10μm～200μm)的情况下，也不产生龟裂。另外，根据本专利技术，可提供此种硬化膜、及具有其的显示元件。具体实施方式1.本专利技术的热硬化性组成物本专利技术的热硬化性组成物含有硅氧烷聚合物与溶剂，且上述硅氧烷聚合物相对于硅氧烷聚合物的总量而含有90重量％以上的硅氧烷聚合物(A)，上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有下述通式(1)所示的一官能硅烷与通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得。另外，本专利技术的热硬化性组成物在获得本专利技术的效果的范围内，可进一步含有除硅氧烷聚合物(A)及溶剂以外的其他成分。就将硬化膜的膜厚设为10μm以上的观点而言，本专利技术的热硬化性组成物中的硅氧烷聚合物(A)的含量较佳为相对于热硬化性组成物总量，硅氧烷聚合物(A)的总量为20重量％～80重量％，更佳为30重量％～80重量％，尤佳为40重量％～80重量％。1-1.硅氧烷聚合物(A)上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有通式(1)所示的一官能硅烷、与通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得。关于通式(1)所示的一官能硅烷及通式(2)所示的三官能硅烷的较佳的混合比例(摩尔比)，就耐溅镀性及耐龟裂性的观点而言，相对于通式(1)所示的一官能硅烷的1摩尔，通式(2)所示的三官能硅烷较佳为1摩尔～20摩尔，更佳为1摩尔～15摩尔，尤佳为1摩尔～10摩尔。1-2.通式(1)所示的一官能硅烷在下述通式(1)所示的一官能硅烷中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为水解性基。[化3]上述式(1)中，更佳为R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～5的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为烷氧基、卤素、或乙酰氧基。作为上述卤素，较佳为氯或氟。这些中，更佳为R分别独立地为甲基、乙基或苯基，R'分别独立地为甲氧基或乙氧基。作为通式(1)所示的一官能硅烷，例如可列举：三甲基甲氧基硅烷及三甲基乙氧基硅烷。这些一官能硅烷就发挥出控制所得的热硬化性组成物的分子量的观点而言较佳。1-3.通式(2)所示的三官能硅烷下述通式(2)所示的三官能硅烷中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热硬化性组成物，其含有硅氧烷聚合物与溶剂，且上述硅氧烷聚合物含有相对于上述硅氧烷聚合物的总量而为90重量％以上的硅氧烷聚合物(A)，上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有下述通式(1)所示的一官能硅烷与下述通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得，作为上述通式(2)所示的三官能硅烷，包含R为任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基的三官能硅烷，其比例相对于上述三官能硅烷总量为30摩尔％以上。(式(1)～式(2)中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为水解性基。)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.19 JP 2012-2315881.一种热硬化性组成物，其含有硅氧烷聚合物与溶剂，且上述硅氧烷聚合物含有相对于上述硅氧烷聚合物的总量而为90重量％以上的硅氧烷聚合物(A)，上述硅氧烷聚合物(A)是藉由使含有下述通式(1)所示的一官能硅烷与下述通式(2)所示的三官能硅烷的硅烷混合物反应而得，作为上述通式(2)所示的三官能硅烷，包含R为任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基的三官能硅烷，其比例相对于上述三官能硅烷总量为30摩尔％以上：[化1][化2]上述通式(1)～上述通式(2)中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为水解性基；所述硅氧烷聚合物不含由下述式(3)所示的二官能硅烷或下述式(4)所示的四官能硅烷反应而得的硅氧烷聚合物：上述式(3)及上述式(4)中，R分别独立地为氢、任意的氢可被卤素取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素取代的碳数6～10的芳基、或任意的氢可被卤素取代的碳数2～10的烯基，R'分别独立地为水解性基。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本优纪，木村佑希，江头友弘，
申请(专利权)人：捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP