本发明专利技术提供一种可获得高温暴露时的光学特性变化小的成形体且能够适用于各种封装工艺的热硬化性树脂组合物及能够形成所述热硬化性树脂组合物的有机硅化合物、以及使用此种热硬化性树脂组合物而获得的成形体及光半导体装置。一种热硬化性树脂组合物，含有：选自式(1
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热硬化性树脂组合物、有机硅化合物、成形体、及光半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种热硬化性树脂组合物、有机硅化合物、成形体、及光半导体装置。
技术介绍
[0002]包括发光二极管(light
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emitting diode，LED)等光半导体元件的光半导体装置被实用化于各种照明装置、电光广告板、信号机、液晶显示装置的背光源、LED显示器等。这些光半导体装置中，光半导体元件一般由透明的密封材密封。近年来，在光半导体产业中，随着高输出化以及封装的小型化及薄型化等要求的推进，每单位体积的热密度处于增加的倾向。因此，对于光半导体元件的密封材，除了要求透光性或光折射性等以外，还特别要求耐热性。另外，针对光半导体元件的密封材的内液状的材料，就封装工艺中的操作性或生产性的要求而言，还要求根据工艺将粘度控制在适当的范围。
[0003]作为光半导体元件的封装材之一，广泛使用硅酮树脂。在专利文献1中，报告了一种使用具有双层型倍半硅氧烷结构与交联性官能基的交联性硅化合物且耐热性优异的光半导体元件的密封材，但若将热硬化性树脂组合物制备成2000mPa
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s以下这样的比较低的粘度，则存在耐热黄变性或耐热裂纹性明显降低的问题。在专利文献2中，报告了一种不依赖于氢化硅烷化的液状的双层型倍半硅氧烷衍生物的合成方法，但作为热硬化性树脂组合物只调查了短时间的耐热黄变性，研究不充分。在专利文献3中，虽然耐热性提高，但是构成成分的粘度高，因此作为组合物也存在粘度变高的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2011/145638号
[0007]专利文献2：日本专利特开2012
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31354号公报
[0008]专利文献3：日本专利特开2020
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90593号公报
技术实现思路
[0009]专利技术所要解决的问题
[0010]对于光半导体元件的密封材的内液状的材料，要求兼顾以树脂组合物状态下的粘度为代表的工艺适应性与以树脂硬化物状态下的耐热性为代表的密封性能。在使用专利文献2的热硬化性树脂组合物调整为低粘度的情况下，成为使耐热性降低的主要原因的低分子量的成分的比例变高，在维持耐热透明性、耐裂纹性及耐热黄变性的情况下的低粘度化存在限制。另外，存在随着低分子量成分的增加，所获得的成形体的硬度降低的问题。
[0011]本专利技术是基于如上所述的情况而完成，其目的在于提供一种可获得高温暴露时的光学特性变化小的成形体且能够适用于各种封装工艺的热硬化性树脂组合物及能够形成所述热硬化性树脂组合物的有机硅化合物、以及使用此种热硬化性树脂组合物而获得的成形体及光半导体装置。
[0012]解决问题的技术手段
[0013]为了解决所述问题而完成的专利技术是含有以下的(A)成分、(B)成分、及(C)成分的热硬化性树脂组合物。本专利技术含有：
[0014](A)成分：式(1
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1)所表示的有机硅化合物(A1)或式(1
‑
2)所表示的有机硅化合物(A2)(以下，有时将式(1
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1)所表示的有机硅化合物(A1)或式(1
‑
2)所表示的有机硅化合物(A2)总称为有机硅化合物(A))、
[0015](B)成分：有机硅化合物(A)以外的在分子内具有多个交联性基的有机硅化合物、及
[0016](C)成分：氢化硅烷化催化剂，且
[0017]有机硅化合物(B)包含能够与有机硅化合物(A)交联的化合物。
[0018][0019]式(1
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1)及式(1
‑
2)中，n独立地为满足1≦n≦10的平均值，优选为满足3≦n≦7的平均值。另外，Vi表示乙烯基。
[0020]有机硅化合物(B)优选为包含式(2)所表示的化合物。
[0021][0022]式(2)中，R3独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、或环己基。X独立地为式(X1)、式(X2)、或式(X3)所表示的基。
[0023]当将式(2)所表示的化合物的每一分子的式(X1)所表示的基的平均数设为x1、将式(X2)所表示的基的平均数设为x2、将式(X3)所表示的基的平均数设为x3时，满足x1+2x2+x3＝4r、0＜x1＜4r、0≦x2≦2r，且0＜x3＜4r。r是满足1～100的平均值。
[0024][0025]式(X1)、式(X2)、及式(X3)中，*表示键结部位。
[0026]式(X2)中，R4独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、环己基、或苯基。s是满足2～20的平均值。
[0027]式(X3)中，R5独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、环己基、或苯基。R6是碳数2～5的烯基。R7是碳数与R6相同的烷二基。t是满足2～20的平均值。
[0028]有机硅化合物(B)优选为包含式(3)所表示的化合物。
[0029][0030]式(3)中，m是满足1～5的平均值，n是满足2～50的平均值，Vi表示乙烯基。
[0031]有机硅化合物(B)优选为包含式(4)所表示的化合物。
[0032][0033]式(4)中，u是满足0≦u≦50的平均值，Vi表示乙烯基。
[0034]在所述热硬化性树脂组合物中，有机硅化合物(A)的含量优选为5质量％以上且50质量％以下。
[0035]在所述热硬化性树脂组合物中，有机硅化合物(A)的含量与有机硅化合物(B)的含量的重量比优选为0.1以上且2以下。
[0036]所述热硬化性树脂组合物优选为还含有密合性赋予剂(D)，密合性赋予剂(D)包含式(5)所表示的化合物。
[0037][0038]式(5)中，R
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独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、或环己基。Z独立地为式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、或式(Z41)所表示的基。
[0039]当将式(5)所表示的化合物的每一分子的式(Z1)所表示的基的平均数设为z1、将式(Z2)所表示的基的平均数设为z2、将式(Z31)、式(Z32)、或式(Z33)所表示的基的平均数设为z3、将式(Z41)所表示的基的平均数设为z4时，满足z1+2z2+z3+z4＝4w、0.5w≦z1≦3w、0.5w≦2z2≦2w、0.1w≦z3≦2w，且0≦z4≦w。w是满足1～100的平均值。
[0040][0041]式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、及式(Z41)中，*表示键结部位。
[0042]式(Z2)中，R
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独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、环己基、或苯基。i是满足1～20的平均值。
[0043]式(Z41)中，R
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独立地为甲基、乙基、丁基、或异丙基。
[0044]所述热硬化性树脂组合物中，密合性赋予剂(D)的含量优选为0.1质量％以上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种热硬化性树脂组合物，含有：选自式(1
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1)及式(1
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2)所表示的有机硅化合物(A)的化合物；有机硅化合物(A)以外的在分子内具有多个交联性基的有机硅化合物(B)；以及氢化硅烷化催化剂(C)，且有机硅化合物(B)包含能够与有机硅化合物(A)交联的化合物，式(1
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1)及式(1
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2)中，n独立地为满足1＜n≦10的平均值，Vi表示乙烯基。2.根据权利要求1所述的热硬化性树脂组合物，其中有机硅化合物(A)的n独立地为满足3≦n≦7的平均值。3.根据权利要求1或2所述的热硬化性树脂组合物，其中有机硅化合物(B)包含式(2)所表示的化合物，
式(2)中，R3独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、或环己基，X独立地为式(X1)、式(X2)、或式(X3)所表示的基；当将式(2)所表示的化合物的每一分子的式(X1)所表示的基的平均数设为x1、将式(X2)所表示的基的平均数设为x2、将式(X3)所表示的基的平均数设为x3时，满足x1+2x2+x3＝4r、0＜x1＜4r、0≦x2≦2r，且0＜x3＜4r，r是满足1～100的平均值，式(X1)、式(X2)、及(X3)中，*表示键结部位；式(X2)中，R4独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、环己基、或苯基；s是满足2～20的平均值；式(X3)中，R5独立地为碳数1～4的烷基、环戊基、环己基、或苯基，R6是碳数2～5的烯基；R7是碳数与R6相同的烷二基，t是满足2～20的平均值。4.根据权利要求1或2所述的热硬化性树脂组合物，其中有机硅化合物(B)包含式(3)所表示的化合物(B2)，式(3)中，m是满足1～5的平均值，n是满足2～50的平均值，Vi表示乙烯基。5.根据权利要求1或2所述的热硬化性树脂组合物，其中有机硅化合物(B)包含式(4)所表示的化合物，式(4)中，u是满足0≦u≦50的平均值，Vi表示乙烯基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的热硬化性树脂组合物，其中有机硅化合物(A)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：小杉実沙，高桥尚也，池野浩章，武江彩子，
申请(专利权)人：捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：
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