一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法技术

本发明专利技术的一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法，属纳米材料制备的技术领域。将锡粉、硒粉混合均匀压成压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；冷却壁通入循环冷却水；在氩、氮的混合气体中进行放电反应，放电电压为18V、电流为80～85A，反应1～2分钟；再在氩气环境中钝化，在冷凝壁的顶盖内侧收集灰黑色粉末为SnSe正方形纳米片。本发明专利技术的样品纯度高，结晶性好，形貌尺寸均一；制备过程中无需任何基片、模板、催化剂，对环境友好；制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高。制备的产品在太阳能电池转换，全息记录，可循环锂离子电池等方面具有潜在应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料制备的
，特别涉及了一种简单的制备硒化亚锡正方形纳米片的方法。
技术介绍
随着对纳米材料研究的广泛和深入，人们发现纳米材料具有大的比表面积，表面原子数、表面能和表面张力随粒径的下降急剧增加，表现出小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应等特点，从而导致纳米材料在磁学，电学，光学，力学性能等方面都不同于传统材料。其中，纳米片状结构材料由于其仅在一个维度上的尺寸远远小于其它维度尺寸，被称为二维纳米材料。这种材料在微电子器件，电子光学器件等方面有着广阔的应用前景。因此，探寻纳米片状结构材料新的制备方法，开展新性能的研究工作都具有重大的意义。硒化亚锡(SnSe)是一种具有层状正交结构的P型半导体材料。由于其组成元素完全无毒，化学性质稳定，地球储量丰富，且光学带隙(～1.2eV)与可见光带隙有很好的光谱匹配，因此硒化锡一直被视为是一种环境友好的具有广阔应用前景的太阳能电池材料。SnSe纳米材料一直都是研究的热点，现在有关SnSe纳米材料的制备工作主要有：零维SnSe纳米颗粒(Journal of the American Chemical Society 132(2010)9519-9521)，一维SnS纳米线(Chemistry Letters 32(2003)426-427)，二维SnS薄膜(Acs Nano 5(2011)8852-8860)等。上述方法大致分为两类：湿化学法(水热合成，化学浴法，溶胶-凝胶法等)和无溶液法(化学/物理气相沉积)。但上述制备方法普遍存在反应耗时长，产量小，需要添加反应催化剂、表面活性剂，依赖基底生长等特点，这导致成本过高，制备过程产生对环境的二次污染。此外，由于反应步骤繁琐，前驱物、中间产物、溶剂残余等在产物中很难去除而吸附在产物表面，这对进一步研究SnSe的本质属性工作带来了巨大困难。对于利用电弧法制备SnSe纳米片还未见报道。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，弥补传统制备方法存在的诸多缺陷，提供一种工艺简单、节能环保、纯度高、产量大、生产成本较低且可控制备硒化亚锡(SnSe)正方形纳米薄片的制备方法，为IV-VI族P型半导体材料的制备指出一个新的方向。本专利技术所述的硒化亚锡(SnSe)正方形纳米片，纳米片的主要成分是Sn和Se，二者摩尔比例为1:1，其特征在于，纳米片由正交晶体结构的SnSe构成，呈规则的正方形片状；纳米片的边长约为200～400nm，厚度约为20～30nm。上述的该结构中正方形纳米片的边长、厚度都比较均匀，片体间分散性好。本专利技术的硒化亚锡(SnSe)正方形纳米片的制备方法，是采用直流电弧等离子体放电装置，具体装置可见说明书附图1。具体的技术方案如下。一种硒化亚锡正方形纳米薄片的制备方法，有如下步骤：将锡(Sn)粉、硒(Se)粉按摩尔比1∶1比例混合均匀，压成混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置，带有顶盖的双层圆筒形的冷凝壁置于反应室内，并将钨棒阴极与铜锅阳极罩在其中，双层圆筒内通循环冷却水；充入体积比氩气∶氮气＝1∶1的混合气体，至反应室内气压为15～20kPa进行放电反应，保持放电电压为18V、电流为80～85A，反应1～2分钟；反应结束后，在氩气中钝化1～2小时；在冷凝壁顶盖内侧收集灰黑色粉末为SnSe正方形纳米片。所述的压块，密度最好为3.5～4.5g/cm3。所述的在氩气中钝化，是在反应结束后，将反应室抽成真空后充入氩气至气压为10～20kPa。所述的铜锅阳极，制成壳体，其内通入循环冷却水。循环冷却水为铜锅阳极降温，以保护其不被烧坏。本专利技术利用直流电弧放电装置制备SnSe正方形纳米片具有工艺简单环保、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高、可重复性好；无需任何基片，无需添加催化剂、表面活性剂；制备的产品在太阳能电池转换，全息记录，近红外光电设备，可循环锂离子电池等方面具有广泛的潜在应用价值。附图说明图1本专利技术直流电弧放电装置结构图。图2是实施例2制得的SnSe纳米片的扫描式电子显微镜(SEM)谱图。图3是实施例2制得的SnSe纳米片的能谱分析(EDS)谱图。图4是实施例2制得的SnSe纳米片的透射电子显微镜(TEM)谱图。图5是实施例2制得的SnSe纳米片的高分辨透射电子显微镜(HRTEM)谱图及选区电子衍射(SAED)谱图。图6是实施例2制得的SnSe纳米片的X射线衍射(XRD)谱图。图7是比较例1制得的轮廓无规则的SnSe纳米片透射电子显微镜(TEM)谱图。图8是比较例2制得的无定形状的SnSe纳米材料的透射电子显微镜(TEM)谱图。具体实施方式实施例1直流电弧放电装置结构结合图1说明本专利技术制备SnSe纳米片的直流电弧装置结构。图1中，1为直流电弧装置的外玻璃罩，2为冷凝壁的顶盖，3为冷凝壁，4为由钨棒构成的阴极，5为反应初始原料压块(嵌于石墨锅内)，6为石墨锅(置于铜锅内)，7为由铜锅构成的阳极，8为阳极进水口，9为阳极出水口，10为进气口，11为出气口，12为冷凝壁进水口，13为冷凝壁出水口。在冷凝壁3中通入冷却水为制备SnSe纳米片的关键，放电时反应腔内产生高温，由于冷却水的作用使反应腔内各处与电弧源之间产生温度梯度，从而制得高纯的SnSe正方形纳米片。实施例2制备最佳SnSe正方形纳米片的全过程。将纯度为99.99％的Sn粉、Se粉按照摩尔比为1∶1的比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉，使用压片机压块，压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的混合粉的压块放入石墨锅后，再一并放入直流电弧放电装置的反应室的阳极铜锅中。阴极为钨棒电极。将直流电弧放电装置的反应室抽成真空(最好小于1Pa)，然后按体积比氩气：氮气＝1∶1充入混合气体10～15kPa，冷凝壁和铜锅通入循环冷却水，开始放电。在放电过程中保持电压为18V,电流为80～85A，反应1～2分钟。反应结束后，将反应腔内抽真空后，再充入氩气10～20kpa，使样品在氩气环境中钝化1～2小时,在冷凝壁的顶盖内腔一侧收集到灰黑色的SnSe正方形纳米片。图2给出上述条件制备的SnSe正方形纳米片的SEM图，可以看出样品为规则的正方形纳米片，边长为200～400nm，厚度为20～30nm。图3给出上述条件制备的SnSe纳米片的EDS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒化亚锡正方形纳米片，主要成分是Sn和Se，二者摩尔比例为1:1，其特征在于，纳米片由正交晶体结构的SnSe构成，呈规则的正方形片状；纳米片的边长约为200～400nm，厚度约为20～30nm。

【技术特征摘要】
1.一种硒化亚锡正方形纳米片，主要成分是Sn和Se，二者摩尔比例为1:1，
其特征在于，纳米片由正交晶体结构的SnSe构成，呈规则的正方形片状；纳米片
的边长约为200～400nm，厚度约为20～30nm。
2.一种权利要求1的硒化亚锡正方形纳米片的制备方法，有如下步骤：将锡
粉、硒粉按摩尔比1∶1比例混合均匀，压成混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，
石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相
对放置，带有顶盖的双层圆筒形的冷凝壁置于反应室内，并将钨棒阴极与铜锅阳
极罩在其中，双层圆筒内通循环冷却水；充入体积比氩气∶氮气＝1∶1的混合气
体，至反应室内气压为...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔啟良，张健，王秋实，祝洪洋，武晓鑫，江俊儒，李冬梅，古雅荣，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22