一种单质硒纳米带的合成方法技术

本发明专利技术公开了一种液相还原制备单质硒纳米带的方法。具体步骤为：以亚硒酸钠为硒源，以低聚糖β－环糊精作为还原剂，通过水热反应一步制得一维单质硒纳米带。在反应过程无需添加表面活性剂或其他任何模板，１４０～１８０℃水热反应６～１８小时后制得宽度５０～８０ｎｍ，厚１０～３０ｎｍ，长度达数十微米以上的单质硒单晶纳米带，材料结晶完好。β－环糊精温和的还原能力和水热反应体系为单质硒在一维方向上的充分生长提供了合适的环境。本方法具有工艺路线简单、操作便利、还原剂环境友好等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料领域，特别是一种单质硒纳米带的制备方法。
技术介绍
单质硒是一种重要的元素半导体材料，具有低熔点( 490K)、高的光导率( SXlO4S cm—1)、高化学活性及非线性光学响应等性质，可用于太阳能电池、整流器、硒鼓等 光电子学领域，同时也是合成其他硒化物的首选材料。近年来，一维纳米材料(如纳米线、 纳米棒、纳米带和纳米管)由于其优越的物理、化学特性及其在纳米器件领域的潜在应用， 已成为纳米材料研究和关注的热点。合成单质硒一维纳米材料的方法通常包括液相合成技术、气相沉积(CVD)和微乳 液法等。例如，C. N. R. Rao等分别通过NaBH4还原硒粉和[(CH3)W4Ge4Seltl热解技术得到单 质硒的纳米棒和纳米线(U. K. Gautam, M. Nath and C. N. R. Rao, J. Mater. Chem.，2003，13， 2845.)。L. Qi等在非离子表面活性剂的胶束溶液中制得硒的一维纳米材料(Y. Ma, L. Qi, J. Ma and H. Cheng, Adv. Mater.，2004，16，1023.)。尤其 Y.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单质硒纳米带的合成方法，其特征在于步骤如下：第一步：以亚硒酸钠为硒源，以β－环糊精为还原剂，混合搅拌并溶于蒸馏水得到透明混合溶液；第二步：在搅拌下，将第一步所得透明混合溶液转移到反应釜内进行水热反应；第三步：将第二步中所得产物用蒸馏水和无水乙醇分别洗涤，真空干燥后，制得带状单质硒纳米材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雄，林颖，郇宇，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]