用于在衬底上固定微芯片的方法技术

本发明专利技术从一种用于在衬底(10)上借助第一粘合剂(100)固定微芯片(300)的方法出发。本发明专利技术的核心在于，在将所述微芯片按压到衬底面(11)上之前，将第二粘合剂(200)施加到所述第一粘合剂(100)上和/或所述衬底(10)的衬底面(11)上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术从一种用于在衬底上借助第一粘合剂固定微芯片的方法出发。
技术介绍
在现有技术中构造压力敏感的芯片，其方式是，首先将粘合剂以限定的图样（点、 X或者线）分散（dispensen)到相应的衬底上。随后，芯片通过标准贴片焊接机（Standard Die-Attach Machine)由锯带拾取、必要时调节以及限定地按压在先前分散的粘合剂中。 随后的温度处理或者紫外处理使粘合剂硬化并且能够实现进一步处理。或者压力/时间 控制地或者体积控制地实现粘合剂的分散。或者高度控制地和/或力控制地实施芯片在 粘合剂中的放置。由所描述的选择已知并且使用多种可能的组合。根据所选择的方法得 到具有所属的工艺偏差（Prozess-Streuung)的限定的最终粘合剂厚度（英语：Bond Line Thickness(BLT):粘合剂层厚度）。然而，在大量生产中总是发生与理想调节的过程的偏 差，所述偏差可能引起过小的BLT。因此，压力敏感的半导体芯片可能在其功能性上受到不 利影响并且导致失效部分。
技术实现思路
本专利技术的任务是，在任何情况下也在大量制造中保证最小BLT并且因此保证相应 部件的不受限制的功能性。 专利技术优点 本专利技术从一种用于在衬底上借助第一粘合剂固定微芯片的方法出发。本专利技术的核 心在于，在将微芯片按压到衬底面上之前，将第二粘合剂施加到第一粘合剂上和/或衬底 的衬底面上。有利地，通过施加第二粘合剂保证最小粘合剂层厚度。由此有利地尤其可以 将压力敏感的微芯片一一例如微机械构件（MEMS)以足够的压力去耦合固定在衬底上。 本专利技术的一种有利构型提出，在施加第一粘合剂之后并且在施加第二粘合剂之前 硬化第一粘合剂。由此，有利地限定最小粘合剂层厚度或者微芯片与衬底的最小间距，在将 微芯片以相对较大的力按压到衬底上时也不低于所述最小间距。 本专利技术的一种有利构型提出，第一粘合剂与第二粘合剂相同。因此有利地在制造 过程中仅须处理一种粘合剂。 本专利技术的一种有利构型提出，第一粘合剂与第二粘合剂不同。有利地可以通过将 粘合任务分成两个部分一一即保证最小粘合剂层厚度和制造与弹性的粘合连接同样牢固 的粘合连接来选择分别最合适的粘合剂。有利地例如可以选择快速硬化的第一粘合剂，以 便尽可能小地保持用于实施根据本专利技术的方法的总时间。 本专利技术的一种有利构型提出，未经结构化地施加第一粘合剂和/或第二粘合剂。 在将粘合剂施加在衬底层上时或者在位置正确地放置微芯片时，未经结构化地施加粘合剂 不需要特别的耗费。 本专利技术的另一种有利构型提出，经结构化地施加第一粘合剂和/或第二粘合剂， 尤其以一个或多个粘合剂带（Kleberraupe)或者一个或多个粘合点的形式。因此，有利地 可以有针对性地在期望的位置上施加相应的粘合剂。有利地，尤其可以在施加粘合点时通 过所有粘合点实现可均匀控制的粘合剂厚度。 本专利技术的一种有利构型提出，以第一粘合剂厚度施加第一粘合剂并且以第二粘合 剂厚度施加第二粘合剂，其中第一粘合剂厚度与第二粘合剂厚度相同。 本专利技术的一种有利构型提出，以第一粘合剂厚度施加第一粘合剂并且以第二粘合 剂厚度施加第二粘合剂，其中第一粘合剂厚度与第二粘合剂厚度不同；特别地，第一粘合剂 厚度小于第二粘合剂厚度。因此有利地在按压时可以将微芯片按压到具有更大的粘合剂厚 度的粘合剂床中，直至微芯片与具有更小的粘合剂厚度的粘合剂的接触保证最小粘合剂层 厚度。特别有利地，在此第一粘合剂厚度小于第二粘合剂厚度，并且第一粘合剂已经硬化。 本专利技术的一种有利构型提出，在衬底面上以平行于衬底面的第一延展施加第一粘 合剂，其中所述第一延展大于微芯片的第二延展。因此有利地减小用于准确放置微芯片的 耗费，因为即使在第一延展内偏差时也可以将微芯片放置在第一粘合剂上并且微芯片在其 整个第二延展中具有与第一粘合剂的接触。由此，防止微芯片相对于衬底的倾斜并且防止 低于最小粘合剂厚度。 在本专利技术的一种有利构型中如此解决所述任务，使得通过分散和硬化第一粘合 剂的具有限定的厚度和长度的两个粘合剂带来保证最小BLT。随后，通过借助第二粘合剂 的另一分散步骤根据SdT来调节具有其所属的工艺偏差的最终的期望BLT。有利地，通过 简单的附加措施施加附加的第一粘合剂，尽可能排除所述压力敏感的部件中的现场故障 (Feldausfd丨丨e.)的风险。【附图说明】 附图示出： 图IA-D :用于在衬底上固定微芯片的根据本专利技术的方法。【具体实施方式】 图IA-D示出用于在衬底上固定微芯片的根据本专利技术的方法。 图IA示出在方法步骤（A)中提供具有衬底面11的衬底10。 图IB示出在方法步骤（B)中将第一粘合剂100施加到所述衬底面11上。通过分 散来结构化地以所谓的粘合剂带的形式施加第一粘合剂100。第一粘合剂100具有第一粘 合剂厚度110。 随后，硬化所述第一粘合剂100 (未示出）。 图IC示出在方法步骤（C)中将第二粘合剂200施加到所述衬底面11上。同样通 过分散来结构化地以粘合剂带的形式施加第二粘合剂200。第二粘合剂200具有第二粘合 剂厚度210,所述第二粘合剂厚度大于所述第一粘合剂厚度110。 在一种替代的实施中，将第二粘合剂200不仅施加在衬底面11自身上而且施加在 第一粘合剂100上。因此，第一粘合剂100的粘合剂带和第二粘合剂200的粘合剂带在确 定的区域中相互交叉。 图ID示出在方法步骤⑶中将微芯片300按压到所述衬底面11上。微芯片300 与衬底面11的间距通过最小粘合剂厚度来确定。在所述实施例中，最小粘合剂厚度通过已 硬化的第一粘合剂100的第一粘合剂厚度110来确定。因此，微芯片300在按压时被按压 到或者嵌入到第二粘合剂200中，直至其基本位于第一粘合剂100上。当然，在以下极端情 形中通过第一粘合剂厚度110保证最小BLT :在所述极端情形中由于在步骤（D)中的过高 按压压力使第二粘合剂200几乎完全排挤到微芯片300下方，如在图ID中的右侧示出的那 样。 因此，所描述的解决方案涉及在真正的分散与贴片焊接之前实施的附加的分散与 硬化步骤。在此，相应于芯片大小、芯片位置和所期望的最小BLT将由第一粘合剂100的具 有相应带厚度和带长度的一个或多个粘合剂带组成的图样分散到衬底10上。加热之后的 带厚度则确定最小可能的BLT。优选地，粘合剂带不在芯片基面（加上放置公差）内开始和 结束，以便不由差地限定的末端引起倾斜。随后，如到目前为止那样以相应的图样分散所期 望的粘合剂量，压入芯片并且随后硬化。 在图IA-D中描述的根据本专利技术的制造方法仅仅涉及一种可能的实施例。根据应 用可变地优化第一粘合剂100的粘合剂带的数量和形状。同样也可以使第二粘合剂200 (芯 片粘合剂）分散超过第一粘合剂100的粘合剂带。此外，替代地可能的是，以一个或多个粘 合点的形式结构化地施加第一粘合剂100或者第二粘合剂200。【主权项】1. 一种，所述方法具有以下方法步骤： (A) 提供具有衬底面（11)的衬底（10); (B) 将第一粘合剂（100)施加到所述衬底面（11)上； (C) 将第二粘合剂（200)施加到所述第一粘合剂（100)上和/或所述衬底面（11)上； (D) 朝向所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在衬底上固定微芯片的方法，所述方法具有以下方法步骤：(A)提供具有衬底面(11)的衬底(10)；(B)将第一粘合剂(100)施加到所述衬底面(11)上；(C)将第二粘合剂(200)施加到所述第一粘合剂(100)上和/或所述衬底面(11)上；(D)朝向所述衬底面(11)按压微芯片(300)，直至所述微芯片(300)与至少所述第一粘合剂(100)和/或所述第二粘合剂(200)接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·克瑙斯，R·赖兴巴赫，S·莫格，D·豪格，H·谢勒，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE