使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统技术方案

提供了一种使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统。一种计算机实现的方法包括基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上的干扰缺陷，在检查所述晶片之前，使用所述掩模版在所述晶片上形成图形。另一种计算机实现的方法包括通过结合代表掩模版的数据分析检查晶片所产生的数据来检测晶片上的缺陷，代表掩模版的数据包括标识所述掩模版不同类型部分的标记物。再一种计算机实现的方法包括基于更改了晶片上形成的器件的特性的缺陷，确定用来处理晶片的制造工艺的性能。又一种计算机实现的方法包括基于检查晶片所产生的数据，更改或者模拟集成电路设计的一个或更多个特性。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统本申请是2004年7月2日递交的申请号为200480025041.0、专利技术名称为“使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统”的专利技术专利申请的分案申请。专利技术背景1.专利
本专利技术一般地涉及使用设计者意图数据来检查晶片和掩模版的方法和系统。某些实施方案涉及基于代表掩模版的数据或者通过检查掩模版所产生的数据来检测晶片上的缺陷的系统和方法。2.现有抟术描沭制造例如逻辑和存储器器件的半导体器件通常包括使用许多半导体制造工艺来处理例如半导体晶片的样品，以便形成半导体器件的各种特征和多个层次。例如，光刻是一种半导体制造工艺，它通常涉及将图形(pattern)转移到设置在半导体晶片上面的抗蚀剂(resist)上。其他半导体制造工艺的例子包括但不限于:化学机械抛光、蚀刻、沉积(d印osit1n)，以及离子注入。可以在半导体晶片上的排列中制造多个半导体器件，然后，将所述多个半导体器件分离为单个半导体器件。在每一个半导体制造工艺期间，例如微粒污染物和图形缺陷的缺陷可能被引入半导体器件。这种缺陷或者可能在样品表面上随机地找到，或者可能在样品上形成的每一个器件内重复。例如，像制造环境中微粒污染物的意外增加和制造半导体器件时可能使用的工艺化学品中污染物的意外增加这样的事件可能导致随机缺陷。随着时间以及由于单个工艺边际(process marginality)和多个工艺的交互作用，缺陷还可能以系统的方式形成。由单个工艺边际引起的缺陷或由多个工艺之间交互作用引起的缺陷可能导致的缺陷例如由于剂量变化所致的膜厚度变化和横向尺寸变化。这种缺陷又可能导致在样品上形成的半导体器件中的缺陷，例如两个导体结构之间的桥接，从而在所述结构之间形成短路。例如，在掩模版(reticle)或掩模(mask)上发现的缺陷或污染物可能引起在整个样品上形成的每一个半导体器件内重复的缺陷。在光刻工艺期间，掩模版上的污染物或缺陷可以与器件图形一起被转移到抗蚀剂上。随着先进半导体器件尺寸的持续缩小，在半导体器件中存在缺陷限制了半导体器件的成功制造，或者说成品率(yield)。例如，在光刻期间被光刻的抗蚀剂中再现的掩模版缺陷可能在后续处理中所形成的半导体器件中引起开路或者短路。因为制造半导体器件包括很多复杂的工艺步骤，所以，如果缺陷引起的错误随着时间贯穿整个制造工艺或者操作传播，则缺陷对总成品率的不利影响可能以指数增加。
技术实现思路
本专利技术的实施方案涉及一种计算机实现的方法，所述方法包括:基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上的干扰缺陷(nuisance defect) ο在检查所述晶片之前，使用所述掩模版在所述晶片上形成图形。由于在所述掩模版上被确定为可允许的掩模版缺陷的缺陷，干扰缺陷可能形成在所述晶片上。在一个实施方案中，由于在所述掩模版上被基于设计者意图数据确定为可允许的掩模版缺陷的缺陷，干扰缺陷可能形成在所述晶片上。在又一个实施方案中，如果由于在所述掩模版上被确定为可允许的掩模版缺陷的缺陷，干扰缺陷形成在所述晶片上，则所述方法可以包括分析所述干扰缺陷，以便确定所述可允许的掩模版缺陷是否被正确地分类。在一些实施方案中，如果所述可允许的掩模版缺陷未被正确地分类，则所述方法可以包括确定所述掩模版是否应该被分析、重做或放弃。在另一个实施方案中，所述方法可以包括确定所述干扰缺陷是否将影响将在所述晶片上形成的半导体器件的成品率。在一些实施方案中，所述方法可以包括将所述干扰缺陷与所述晶片上的实际缺陷(actual defect)分开。这样的实施方案还可以包括处理实际缺陷而非所述干扰缺陷的数据表示。在另外的实施方案中，所述方法可以包括产生所述晶片的二维图(map)。利用一个或更多个不同的标记物(designat1n)，可以将所述干扰缺陷与所述图中的其他缺陷区分。 在另一个实施方案中，所述方法可以包括将所述检查数据从用来执行掩模版检查的检查系统传送到被配置为执行所述方法的处理机(processor)。在不同的实施方案中，所述方法可以包括将所述检查数据从加工数据库(fab database)传送到被配置为执行所述计算机实现的方法的处理机。在一个这样的实施方案中，传送所述检查数据可以包括发送在所述掩模版上检测到的缺陷的坐标和所述缺陷的图像。在另外的实施方案中，如果所述检查数据包括所述掩模版上缺陷的位置坐标，则所述方法可以包括将所述缺陷的所述位置坐标转换为所述晶片上的一个或更多个干扰缺陷的位置坐标。所述方法可以包括这里所描述的任何方法的任何其他步骤。另外的实施方案涉及一种计算机实现的方法，所述方法包括:基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上其中将形成干扰缺陷的位置。在一个实施方案中，所述方法还可以包括选择一个或更多个晶片检查的参数，以便不检查所述干扰缺陷的位置。在不同的实施方案中，所述方法可以包括选择一个或更多个用于晶片缺陷评估(review)的参数，以便不评估所述干扰缺陷。在另一个实施方案中，所述方法可以包括选择一个或更多个用于晶片缺陷分析的参数，以便不分析所述干扰缺陷。另一个实施方案涉及计算机实现的方法，所述方法包括:基于与晶片的不同区域相关联的关键程度，标识所述晶片的关键部分。所述方法还包括选择用于检查所述晶片的参数，以便只检查所述晶片的所述关键部分。在一些实施方案中，可以选择所述参数，以便不把所述晶片上的干扰缺陷分类为实际缺陷。在一个实施方案中，可以选择所述参数，以便用不同的参数来检查所述晶片的具有不同关键程度的关键部分。根据另一个实施方案，所述方法可以包括基于所述关键部分的关键程度来设置一个或更多个用于分类所述晶片上的缺陷的参数。在另一个实施方案中，所述方法可以包括基于缺陷所处关键部分的关键程度，给所述晶片上的所述缺陷分配标记物。在不同的实施方案中，所述方法可以包括基于所述缺陷所处的所述关键部分的关键程度来确定对晶片上的所述缺陷的处理。在一些实施方案中，所述方法可以包括将所述晶片上的缺陷分类为关键缺陷或非关键缺陷，并且基于所述关键缺陷和所述非关键缺陷来分析在所述晶片上执行的工艺。在另一个实施方案中，所述方法可以包括将所述晶片上的缺陷分类为关键缺陷或非关键缺陷，并且将所述关键缺陷与所述非关键缺陷分开地处理。根据另外的实施方案，所述方法可以包括:如果缺陷具有小于预先确定的阈值(threshold)的横向尺寸，并且如果所述关键部分之一中的其他特征具有大于所述预先确定的阈值的横向尺寸，则丢弃代表所述这一个部分中的所述缺陷的检查数据。在不同的实施方案中，所述方法可以包括:如果所述关键部分之一中的电路元件具有预先确定的冗余量，并且如果所述这一个部分中的缺陷不超过预先确定的密度阈值，则丢弃代表所述这一个部分中的所述缺陷的检查数据。在一些实施方案中，所述方法可以包括将在掩模版上检测到的缺陷的位置坐标转换为晶片上的一个或更多个缺陷的位置坐标。这种实施方案还可以包括分析在所述掩模版上检测到的所述缺陷的可印性(printability)。在另一个这种实施方案中，所述方法可以包括从晶片检查数据中去除晶片上所述坐标处的检查数据。在一种实施方案中，所述方法可以包括产生一个或更多个示出所述晶片的所述关键部分的二维图。可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机实现的用于检查晶片和掩模版的方法，所述方法包括：基于与晶片的不同区域相关联的关键程度，标识所述晶片的关键部分；以及选择用于检查所述晶片的参数，以便只检查所述晶片的所述关键部分，其中所述标识操作和所述选择操作使用计算机处理机执行。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·弗兰克·马雷拉，沙伦·麦考利，埃利斯·张，威廉·沃尔克，詹姆斯·威利，斯特林·沃森，萨加尔·A·克卡尔，卡尔·赫斯，
申请(专利权)人：恪纳腾技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US