薄膜晶体管及其制作方法、显示器件技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件。所述薄膜晶体管的有源层与源电极、漏电极之间的间隙对应的第一区域包括金属氧化物半导体层和设置在所述金属氧化物半导体层上的硅半导体层，源电极和漏电极直接搭接在所述有源层上。在刻蚀所述第一区域对应的源漏金属层形成源电极和漏电极时，所述硅半导体层能够保护所述第一区域的金属氧化物半导体层不被刻蚀。并通过一次构图工艺同时形成所述有源层的硅半导体层与金属氧化物半导体层，不需要增加制作工艺，降低了生产成本，同时，源电极和漏电极直接搭接在有源层上，不需要制作过孔，提高了显示器件的开口率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括有源层，以及搭接在所述有源层上的源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源区、与所述漏电极接触的漏区、与源电极、漏电极之间的间隙对应的第一区域，其特征在于，所述有源层的第一区域包括金属氧化物半导体层和设置在所述金属氧化物半导体层上的硅半导体层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王武，邱海军，尚飞，王国磊，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85