薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述栅绝缘层。还公开了一种薄膜晶体管制作方法、阵列基板及显示装置。本发明专利技术的薄膜晶体管能够有效降低关态电流。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
用于显示器面板的薄膜晶体管(TFT)器件，由于本身材料特性的缘故存在较大的关态电流，如多晶硅做为有源层，则存在于多晶硅薄膜的晶界中有大量缺陷，使晶界成为关态电流过大的主要“通道”，这严重影响TFT的使用效果。传统的用于降低关态电流的方法是采用LDD(LightlyDopedDrain)结构，但降低关态电流的同时也会导致较低的开态电流，使得在较大工作电压情况下降低关态电流的效果不佳。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是：如何有效地降低薄膜晶体管的关态电流。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述栅绝缘层。其中，所述有源层位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于有源层上方，且与栅极间隔有绝缘间隔层；所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，所述源极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔与所述辅助栅极连接。其中，所述有源层位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于有源层上方，且与栅极间隔有绝缘间隔层；所述源极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述第二过孔呈台阶状，穿过所述绝缘间隔层的开口大于穿过所述栅绝缘层的开口，所述辅助栅极形成在所述栅绝缘层的台阶上，且与所述漏极一体形成。其中，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于所述有源层之上，所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，通过穿过所述栅绝缘层和有源层的过孔连接所述漏极。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和第一栅绝缘层，还包括：第二栅绝缘层及与所述漏极连接的辅助栅极，所述有源层位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述第二栅绝缘层。其中，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述第一栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述第一栅绝缘层之上，所述源极、漏极和第二栅绝缘层位于所述有源层之上，所述辅助栅极位于所述第二栅绝缘层之上，且通过穿过所述第二栅绝缘层的过孔连接所述漏极。其中，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述第一栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述第一栅绝缘层之上，所述第二栅绝缘层位于所述有源层之上，所述源极和漏极位于所述有源层上方，所述源极通过穿过所述第二栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述第二栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述辅助栅极位于所述第二栅极之上，且与所述漏极一体形成。其中，所述有源层为具有轻掺杂结构的有源层。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层、栅极和辅助栅极的图形；形成绝缘间隔层，并形成贯穿所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，通过所述第一过孔和第二过孔暴露出有源层，且通过所述第二过孔暴露出所述辅助栅极；形成源极和漏极的图形，且使所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，使所述漏极通过第二过孔连接有源层和辅助栅极。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层和栅极的图形；形成绝缘间隔层，并形成贯穿所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，通过所述第一过孔和第二过孔暴露出有源层，且所述第二过孔穿过所述绝缘间隔层的开口大于穿过所述栅绝缘层的开口，使形成栅绝缘层台阶；形成源极、漏极和辅助栅极的图形，且使所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述辅助电极和漏极一体形成，所述辅助栅极形成在所述栅绝缘层台阶上，所述漏极通过第二过孔连接有源层。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括栅极、辅助栅极、栅绝缘层和有源层的图形；形成穿过所述栅绝缘层和有源层的过孔，使暴露出所述辅助栅极；在有源层之上形成源极和漏极的图形，所述漏极通过所述过孔连接所述辅助栅极。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括栅极、第一栅绝缘层和有源层的图形；在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极。其中，所述在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极的步骤具体包括：在有源层之上形成源极和漏极的图形；形成第二栅绝缘层及其上过孔的图形，所述过孔使漏极暴露出来；形成辅助栅极的图形，所述辅助栅极通过过孔连接所述漏极。其中，所述在有源层上方形成包括源极、漏极、第二栅绝缘层和辅助栅极的图形，使所述有源层和辅助栅极之间间隔所述第二栅绝缘层，所述辅助栅极连接所述漏极的步骤具体包括：在有源层之上形成第二栅绝缘层及其上的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔使有源层暴露出来；形成所述源极、漏极和辅助栅极的图形，使所述源极通过第一过孔连接所述有源层，漏极通过第二过孔连接所述有源层，辅助栅极形成在所述第二栅绝缘层之上，且与漏极一体形成。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的薄膜晶体管。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。(三)有益效果本专利技术的薄膜晶体管结构中，辅助栅极连接漏极，相当于又形成了一个栅极连接漏极的辅助TFT，该辅助TFT具有二极管的单向导通功能，若整个TFT处于导通状态时，二极管结构也正好处于导通状态，若整个TFT关断，则二极管结构也正好关断，从而降低了整个TFT的关态电流。附图说明图1是本专利技术一种实施例的TFT结构示意图；图2是本专利技术另一种实施例的TFT结构示意图；图3是本专利技术又一种实施例的TFT结构示意图；图4是本专利技术又一种实施例的TFT结构示意图；图5是本专利技术又一种实施例的TFT结构示意图；图6是本专利技术又一种实施例的TFT结构示意图；图7是本专利技术实施例的TFT结构的等效电路原理图；图8是形成图1中TFT的方法中制作完栅极和辅助栅极后的示意图；图9是在图8基础上形成绝缘间隔层及其上过孔的示意图；图10是形成图2中TFT的方法中制作完栅极后的示意图；图11是在图10基础上形成绝缘间隔层及其上过孔的示意图；图12是形成图3中TFT的方法中制作完有源层后的示意图；图13是在图12基础上形成过孔的示意图；图14是形成图4中TFT的方法中制作完源漏电极后的示意图；图15是在图14基础上形成第二栅绝缘层及其上过孔的示意图；图16是形成图5中TFT的方法中制作完有源层后的示意图；图17是在图16基础上形成第二栅绝缘层及其上第一过孔和第二过孔的示意图。具体实施方式下面结合附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，其特征在于，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，其特征在于，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述有源层位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于有源层上方，且与栅极间隔有绝缘间隔层；所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，所述源极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第二过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔与所述辅助栅极连接。2.一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，其特征在于，还包括：与所述漏极连接的辅助栅极，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于所述有源层之上，所述辅助栅极与所述栅极位于同一层，通过穿过所述栅绝缘层和有源层的过孔连接所述漏极。3.一种薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、源极、漏极、有源层和第一栅绝缘层，其特征在于，还包括：第二栅绝缘层及与所述漏极连接的辅助栅极，所述有源层位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间，所述辅助栅极与所述有源层之间间隔所述第二栅绝缘层；所述栅极位于所述衬底基板之上，所述第一栅绝缘层位于所述栅极之上，所述有源层位于所述第一栅绝缘层之上，所述源极和漏极位于所述有源层之上，第二栅极绝缘层覆盖所述源极和漏极，第二栅极绝缘层具有穿过该第二栅极绝缘层且暴露出所述漏极的过孔，所述辅助栅极位于所述第二栅绝缘层之上，所述辅助栅极通过所述穿过第二栅绝缘层且暴露出所述漏极的过孔连接所述漏极。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，孙亮，许晓伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11