阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置。所述阵列基板包括基板(1)，在基板(1)上同层设置的有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)；位于有源层(2)上的栅极绝缘层(6)；位于栅极绝缘层(6)上的栅极(7)；有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)、栅极绝缘层(6)和栅极(7)通过一次构图工艺形成，源电极(3)通过有源层(2)与漏电极(4)连接。本发明专利技术的阵列基板解决了现有技术阵列基板的结构较为复杂、制作工艺较多、生产效率低、成本较高等技术问题，可代替现有的阵列基板，应用于显示技术领域中。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，人们对显示器的分辨率、响应时间、功耗等特性要求也越来越高。在这种情况下，随着显示器的尺寸越来越大以及3D等显示技术的发展，对设置在显示器阵列基板上的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的迁移率要求越来越高。TFT的迁移率是指TFT的有源层中载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均飘移速度。实际上用非晶硅制作有源层已不能满足对迁移率的要求，人们已经开始使用具有较高迁移速率的金属氧化物材料。目前金属氧化物技术已经逐渐成为大尺寸、高画质、低功耗显示器产品的主流技术，各大显示器商都在量产或者积极开发。高级超维场转换技术(ADvancedSuperDimensionSwitch,简称ADS)可以提高薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushmura)等优点。然而，ADS模式的氧化物TFT阵列基板的制备过程，通常需要7-9道掩膜(mask)工艺，尤其是阵列基板中的TFT就需要5道掩膜工艺，因此制作工艺复杂，生产效率较低，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置，用以解决现有技术中薄膜晶体管、阵列基板制作工艺复杂、生产效率较低、成本较高等技术问题，该阵列基板的结构简单，制作工艺较少，从而生产效率高，成本较低。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一种阵列基板，包括：基板；在所述基板上同层设置的有源层、源电极、漏电极、像素电极；位于所述有源层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅极；所述有源层、源电极、漏电极、像素电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接。上述方案优选的是，所述阵列基板还包括：位于所述像素电极、源电极、漏电极、栅极上的层间介质(InterLevelDielectric，简称ILD)，所述层间介质包括对应所述源电极的过孔；位于所述层间介质上的数据线，所述数据线通过所述过孔与所述源电极连接。上述任一方案优选的是，所述阵列基板还包括：位于所述数据线和所述层间介质上的钝化层(passivation，简称PVX)；位于所述钝化层上的公共电极。上述任一方案优选的是，所述阵列基板还包括：位于所述钝化层上的有机树脂层，所述公共电极位于所述有机树脂层上。一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在基板上依次层叠制作半导体金属氧化物薄膜、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜；通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形；所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接；将所述位于像素电极区域、源电极区域和漏电极区域的图形进行导体化，形成像素电极、源电极和漏电极。上述方案优选的是，所述形成像素电极、源电极和漏电极之后还包括：制作覆盖所述像素电极、源电极、漏电极、栅极的层间介质薄膜，通过一次构图工艺将所述层间介质薄膜形成包含过孔的层间介质，所述过孔对应所述源电极；制作覆盖所述过孔的数据线薄膜，通过一次构图工艺将所述数据线薄膜形成包含数据线的图形，所述数据线通过所述过孔与所述源电极连接。上述任一方案优选的是，所述通过一次构图工艺将所述数据线薄膜形成包含数据线的图形之后还包括：制作覆盖所述数据线和所述层间介质的钝化层薄膜，通过一次构图工艺将所述钝化层薄膜形成钝化层；在所述钝化层上制作公共电极薄膜，通过一次构图工艺将所述公共电极薄膜形成包含公共电极的图形。上述任一方案优选的是，所述通过一次构图工艺将所述钝化层薄膜形成钝化层包括：制作覆盖所述钝化层薄膜的有机树脂薄膜；将所述有机树脂薄膜在钝化层区域的有机树脂保留，其他区域的有机树脂去除，形成有机树脂层；将暴露出的钝化层薄膜去除，形成钝化层；所述在所述钝化层上制作公共电极薄膜具体为：在所述有机树脂层上制作公共电极薄膜。上述任一方案优选的是，在所述通过一次构图工艺将所述公共电极薄膜形成包含公共电极的图形之后，对阵列基板进行退火处理，所述退火温度为200℃-250℃。上述任一方案优选的是，所述通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，包括以下步骤：在所述栅极薄膜上涂覆光刻胶；通过半色调掩膜板对光刻胶进行一次曝光、显影，使得光刻胶形成半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域和全去除光刻胶区域，所述半保留光刻胶区域包括源电极区域、漏电极区域和像素电极区域，所述全保留光刻胶区域包括栅极区域，除半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域之外的区域为全去除光刻胶区域；刻蚀掉全去除光刻胶区域对应的栅极薄膜、栅极绝缘薄膜和半导体金属氧化物薄膜；通过第一次灰化工艺，去除半保留光刻胶区域的光刻胶，且去除全保留光刻胶区域的部分光刻胶；刻蚀掉所述半保留光刻胶区域对应的栅极薄膜和栅极绝缘薄膜，以便由所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，由所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形；通过光刻胶剥离工艺，去除所述全保留光刻胶区域的光刻胶。上述任一方案优选的是，所述半导体金属氧化物薄膜是IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)薄膜。上述任一方案优选的是，所述层间介质薄膜的材料包含SiNx。一种薄膜晶体管，包括：基板；在所述基板上同层设置的有源层、源电极、漏电极；位于所述有源层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅极；所述有源层、源电极、漏电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接。一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在基板上依次层叠制作半导体金属氧化物薄膜、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜；通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形；所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接；将所述位于源电极区域和漏电极区域的图形进行导体化，形成源电极和漏电极。一种包含上述任一方案所述的阵列基板的显示装置。本专利技术实施例提供的阵列基板，有源层、源电极、漏电极、像素电极设置在同一层，栅极绝缘层位于有源层上，栅极位于栅极绝缘层上，简化了现有技术的阵列基板的结构，方便了有源层、源电极、漏电极、像素电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，且有源层、源电极、漏电极、像素电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，减少了阵列基板的掩膜工艺，缩短了阵列基板的制造时间，提高了阵列基板的制造效率，降低了阵列基板的生产成本。附图说明图1为本专利技术一实施例中的阵列基板的截面示意图。图2为本专利技术另一实施例中的阵列基板的截面示意图。图3为本专利技术另一实施例中的阵列基板的截面示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基板，其特征在于，还包括：在所述基板上同层设置的有源层、源电极、漏电极、像素电极；位于所述有源层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅极；所述有源层、源电极、漏电极、像素电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上依次层叠制作半导体金属氧化物薄膜、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜；通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形；所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接；将所述位于像素电极区域、源电极区域和漏电极区域的图形进行导体化，形成像素电极、源电极和漏电极；所述形成像素电极、源电极和漏电极之后还包括：制作覆盖所述像素电极、源电极、漏电极、栅极的层间介质薄膜，通过一次构图工艺将所述层间介质薄膜形成包含过孔的层间介质，所述过孔对应所述源电极；制作覆盖所述过孔的数据线薄膜，通过一次构图工艺将所述数据线薄膜形成包含数据线的图形，所述数据线通过所述过孔与所述源电极连接；其中，所述通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，包括以下步骤：在所述栅极薄膜上涂覆光刻胶；通过半色调掩膜板对光刻胶进行一次曝光、显影，使得光刻胶形成半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域和全去除光刻胶区域，所述半保留光刻胶区域包括源电极区域、漏电极区域和像素电极区域，所述全保留光刻胶区域包括栅极区域，除半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域之外的区域为全去除光刻胶区域；刻蚀掉全去除光刻胶区域对应的栅极薄膜、栅极绝缘薄膜和半导体金属氧化物薄膜；通过第一次灰化工艺，去除半保留光刻胶区域的光刻胶，且去除全保留光刻胶区域的部分光刻胶；刻蚀掉所述半保留光刻胶区域对应的栅极薄膜和栅极绝缘薄膜，以便由所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，由所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形；通过光刻胶剥离工艺，去除所述全保留光刻胶区域的光刻胶。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺将所述数据线薄膜形成包含数据线的图形之后还包括：制作覆盖所述数据线和所述层间介质的钝化层薄膜，通过一次构图工艺将所述钝化层薄膜形成钝化层；在所述钝化层上制作公共电极薄膜，通过一次构图工艺将所述公共电极薄膜形成包含公共电极的图形。3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11