【技术实现步骤摘要】
阵列基板和制造该阵列基板的方法
本公开涉及阵列基板,并且更具体地,涉及一种通过阻止氢流入到薄膜晶体管的氧化物半导体层中来防止氧化物半导体层的劣化的阵列基板和一种制造该阵列基板的方法。
技术介绍
最近,随着信息社会进步,处理和显示大量信息的显示装置迅速地发展,并且已开发了各种平板显示器(FPD)。具体地,在薄外形、轻重量和低功耗方面具有优良性能的诸如液晶显示器(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置和场发射显示器(FED)装置的FPD已取代阴极射线管(CRT)。在各种FPD当中,具有高对比度、显示运动图像方面的优点和低功耗的LCD装置已用在诸如笔记本、监视器和电视机的各种领域中。LCD装置使用液晶分子的光学各向异性和极化特性。因为液晶分子具有长且薄的外形,所以液晶分子具有布置定向的光学各向异性和极化,使得液晶分子的布置方向根据电场的强度而改变。另外,OLED显示装置具有诸如高亮度和由低电压驱动的能力的优良特性。因为OLED显示装置具有发射类型,所以OLED显示装置具有高对比度和薄外形。OLED显示装置由于数微秒(μsec)的短响应时间而在显示运动图像方面具有优点。OLED显示装置对视角没有限制,并且即便在低温度下也是稳定的。因为OLED显示装置由直流(DC)的5V至15V的低电压驱动,所以易于制造和设计驱动电路。LCD装置和OLED显示装置包括具有用于接通和断开像素区域的薄膜晶体管(TFT)的阵列基板。彼此交叉以限定像素区域的选通线和数据线形成在阵列基板上。另外,至少一个TFT形成在像素区域中。TFT当作用于接通和断 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,该阵列基板包括:包括像素区域的基板;所述像素区域中的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极,其中,无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间,并且其中,无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间;所述薄膜晶体管上的钝化层,该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔;所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极,该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极;以及第一氢吸收层,该第一氢吸收层位于所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上,该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒,所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
【技术特征摘要】
2013.11.25 KR 10-2013-01437361.一种阵列基板,该阵列基板包括:包括像素区域的基板;所述像素区域中的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极,其中,无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间,并且其中,无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间或者被布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间;所述薄膜晶体管上的钝化层,该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔;所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极,该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极;以及第一氢吸收层,该第一氢吸收层位于所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上,该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒,使得所述第一氢吸收层不具有导电性,所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一氢吸收层吸收从所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层扩散的氢,以构成存储所述氢的间隙化合物。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述间隙化合物具有绝缘特性。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的蚀刻阻挡层。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述蚀刻阻挡层具有覆盖所述氧化物半导体层的中央部分的岛状和覆盖具有所述氧化物半导体层的所述基板的整个表面并且半导体接触孔暴露所述氧化物半导体层的端部的板状中的一个。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的层间绝缘层。7.根据权利要求6所述的阵列基板,该阵列基板还包括所述基板与所述氧化物半导体层之间的无机绝缘材料的缓冲层。8.根据权利要求7所述的阵列基板,该阵列基板还包括所述缓冲层的顶面和底面中的一个上的第二氢吸收层,其中,该第二氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒,并且所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。9.根据权利要求1所述的阵列基板,该阵列基板还包括:所述第一电极上的堤层,该堤层覆盖所述第一电极的边界部分;所述第一电极上的发射材料层;以及所述发射材料层上的第二电极。10.根据权利要求9所述的阵列基板,该阵列基板还包括所述钝化层上的平整层,其中,所述平整...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐铉植,徐景韩,
申请(专利权)人:乐金显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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