阵列基板及其制作方法技术

技术编号:11495165 阅读:62 留言:0更新日期:2015-05-21 19:07
本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法,该方法包括:在基底上形成栅极图形、栅绝缘层、有源层图形和刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层;对所述光刻胶层进行一次图案化工艺,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域;所述光刻胶半保留区域位于开关晶体管的过孔区域上方,所述光刻胶去除区域位于驱动晶体管的过孔区域上方;采用干刻工艺刻蚀掉光刻胶半保留区域的光刻胶和刻蚀阻挡层,并在同一干刻工艺中刻蚀掉光刻胶去除区域的刻蚀阻挡层和栅绝缘层。本发明专利技术提供的方法能够通过一次图案化工艺形成开关TFT的过孔和驱动TFT的过孔,并能降低开关TFT的过孔区域的沟道被损坏的程度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基底上形成栅极图形、栅绝缘层、有源层图形和刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层;对所述光刻胶层进行一次图案化工艺,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域;所述光刻胶半保留区域位于开关晶体管的过孔区域上方,所述光刻胶去除区域位于驱动晶体管的过孔区域上方;采用干刻工艺刻蚀掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶层和刻蚀阻挡层,并在同一干刻工艺中刻蚀掉所述光刻胶去除区域的刻蚀阻挡层和栅绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈江博成军姜春生刘晓娣孔祥永
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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