一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，该方法包括：在基板上先后形成第一电极及栅电极；在基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖栅电极及第一电极；在绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成介质层，并开设第一通孔、第二通孔及第三通孔；在介质层上形成源电极、漏电极和第二电极，源电极及漏电极分别通过第一通孔及第二通孔与半导体层连接，第二电极通过第三通孔与第一电极连接以形成存储电容；在介质层上形成透明的第三电极，第三电极与漏电极连接以形成像素电极。通过上述方式，本发明专利技术能够在阵列基板的制作过程中减少光罩的使用数量，减少工艺流程，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上先后形成透明的第一电极及栅电极，其中，所述栅电极与所述基板之间有一层透明导电薄膜，所述透明导电薄膜与所述第一电极是在同一道工序中形成的；在所述基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅电极及第一电极；在所述绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成介质层，并在对应所述半导体层的区域开设第一通孔、第二通孔，在所述第一通孔、第二通孔位置露出所述半导体层，在对应所述第一电极的区域开设第三通孔，以在所述第三通孔处露出所述第一电极；在所述介质层上形成源电极、漏电极和第二电极，所述源电极及漏电极分别通过所述第一通孔及第二通孔与所述半导体层连接，所述第二电极通过所述第三通孔与所述第一电极连接以形成存储电容；在所述介质层上形成透明的第三电极，所述第三电极与所述漏电极连接以形成像素电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宇彤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44