薄膜晶体管阵列基板和液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:11491154 阅读:52 留言:0更新日期:2015-05-21 12:19
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;第一金属层,形成在基板上,并与对应扫描线连接;第一绝缘保护层,形成在基板上;半导体层,形成在第一绝缘保护层上;像素电极,形成在第一绝缘保护层上并位于各像素区域;第二金属层,形成在半导体层上,并包括源极和漏极,源极与对应数据线连接,漏极与对应像素电极连接;第二绝缘保护层形成在第二金属层上,并覆盖各数据线和各扫描线;第三绝缘保护层形成在第二绝缘保护层上;公共电极形成在第三绝缘保护层上。该薄膜晶体管阵列基板能提高穿透率,减小负载,降低功耗。本发明专利技术还涉及一种液晶显示装置。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板,其包括基板、设置在该基板上的多条扫描线和设置在该多条扫描线上方的多条数据线,该多条扫描线和该多条数据线相互交叉限定出多个像素区域,其特征在于,该薄膜晶体管阵列基板还包括:第一金属层,形成在该基板上,并与对应的该扫描线连接;第一绝缘保护层,形成在该基板上并覆盖该第一金属层和该多条扫描线;半导体层,形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方;像素电极,形成在该第一绝缘保护层上并位于各该像素区域内;第二金属层,形成在该半导体层上,该第二金属层包括源极和漏极,该源极与对应的该数据线连接,该漏极与对应的该像素电极连接;第二绝缘保护层,形成在该第二金属层上,同时该第二绝缘保护层还覆盖各该数据线和各该扫描线,各该像素区域内的该像素电极未被该第二绝缘保护层覆盖;第三绝缘保护层,形成在该第二绝缘保护层上,并覆盖各该像素区域内的该像素电极;以及公共电极,形成在该第三绝缘保护层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许传志蒋隽房耸朱晓妮马铁军
申请(专利权)人:昆山龙腾光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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