薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置制造方法及图纸

薄膜晶体管阵列基板的第一金属层形成在基板上。第一绝缘保护层形成在基板上并覆盖第一金属层。半导体层形成在第一绝缘保护层上。第二金属层形成在第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极。第二绝缘保护层形成在第一绝缘保护层上并具有第一通孔露出第一源漏极。第一电极形成在第二绝缘保护层上。第三金属层形成在第二绝缘保护层和第一电极上填入第一通孔与第一源漏极接触，且第三金属层的部分位于第一电极上与第一电极接触。第三绝缘保护层覆盖第二绝缘保护层、第一电极以及第三金属层。第二电极形成在第三绝缘保护层上。薄膜晶体管阵列基板具有高开口率和穿透率。本发明专利技术还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法及液晶显示装置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示
，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。
技术介绍
目前，液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)的显示屏幕越来越大，而在大尺寸的显示屏幕中，每英寸所拥有的像素数目(PPI，PixelsPerInch)数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，图像的细节就会越丰富。现有的高PPI的液晶显示装置的穿透率和开口率依然较低。为了提高液晶显示装置的穿透率和开口率，一般的方法是使用新材料或者使用新技术如低温多晶硅技术(LTPS，LowTemperaturePoly-silicon)、有机发光二极管技术(OLED，OrganicLightEmittingDiode)等，而新材料和新技术的制程条件苛刻且良率较低。图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。图2A至图2G是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅱ-Ⅱ线的剖面制作流程示意图。请参阅图1、图2A至图2G，薄膜晶体管阵列基板1包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，图1中所示的是薄膜晶体管阵列基板中的一个像素区域内的示意图。现有的薄膜晶体管阵列基板1包括基板10、栅极11、栅极绝缘层12、半导体层13、源极14a和漏极14b、第一绝缘保护层15、第一电极16、第二绝缘保护层17和第二电极18。栅极11形成在基板10上。栅极绝缘层12形成在基板10上并覆盖栅极11。半导体层13形成在栅极绝缘层12上并位于栅极11上方。源极14a和漏极24b形成在栅极绝缘层12上，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体层13接触，以使部分的半导体层13从源极14a和漏极14b之间露出。第一绝缘保护层15形成在栅极绝缘层12上，并覆盖源极14a和漏极14b以及从源极14a和漏极14b之间露出部分的半导体层13，在第一绝缘保护层15上形成第一通孔15a，以导通源极14a和第一电极16。第一电极16形成在第一绝缘保护层15上，并填入第一通孔15a中与源极14a接触。第二绝缘保护层17覆盖第一电极16以及第一电极16未盖住的第一绝缘保护层15的部分。第二电极18形成在第二绝缘保护层17上。现有的薄膜晶体管阵列基板1的制作过程中共使用七道光罩制程，步骤S1：如图2A所示，利用第一道光罩制程，在基板10形成栅极11。步骤S2：如图2B所示，在基板10上形成栅极绝缘层12并覆盖栅极11，利用第二道光罩制程，在栅极绝缘层12上形成半导体层13，且半导体层13的位置位于栅极11的正上方。步骤S3：如图2C所示，在半导体层13形成之后，利用第三道光罩制程，在栅极绝缘层12和半导体层13上形成源极14a和漏极14b，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体层13直接接触并覆盖部分的半导体层13。步骤S4：如图2D所示，在源极14a和漏极14b之后，形成第一绝缘保护层15，并覆盖源极14a、漏极14b和从源极14a和漏极14b之间暴露出来的半导体层13，并利用第四道光罩制程，在第一绝缘保护层15形成第一通孔15a以露出部分的源极14a。步骤S5：如图2E所示，利用第五道光罩制程，在第一绝缘保护层15上形成第一电极16，第一电极16填入第一通孔15a中与源极14a接触。步骤S6：如图2F所示，形成第二绝缘保护层17，并利用进行第六道光罩制程，形成第二通孔(图未绘示)，第二通孔形成在薄膜晶体管阵列基板1的显示区域外围，用于制作周边连线。步骤S7：如图2G所示，利用第七道光罩制程，在第二绝缘保护层17上形成第二电极18。利用上述七道光罩制程步骤制作的薄膜晶体管阵列基板1的像素区域内的源极14a需要设计成较大的面积，然后在对应源极14a上方的第一绝缘保护层15形成第一通孔15a与第一电极16接触，而源极14a的材料是不透光材料，遮挡住了薄膜晶体管阵列基板1中的像素区域内的部分透光区域，使得薄膜晶体管阵列基板1的像素区域内的开口面积较小，导致液晶显示装置的开口率和穿透率依然低。因此，提高液晶显示装置的开口率和穿透率成为当下極待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其有助于提高液晶显示装置开口率，进而提高液晶显示装置的穿透率。本专利技术的另一目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置的开口率，进而提高液晶显示装置的穿透率。本专利技术的又一目的在于，提供了一种液晶显示装置，其具有较高的开口率和穿透率。本专利技术解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一电极、第三金属层和第三绝缘保护层。第一金属层形成在基板上。第一绝缘保护层形成在基板上并覆盖第一金属层。半导体层形成在第一绝缘保护层上并位于第一金属层上方。第二金属层形成在第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线。第一源漏极和第二源漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，以使部分的半导体层从第一源漏极和第二源漏极之间露出。第二绝缘保护层形成在第一绝缘保护层上，并覆盖第二金属层，包括第一源漏极和第二源漏极和数据线以及覆盖从第一源漏极和第二源漏极之间露出部分的半导体层。第二绝缘保护层具有第一通孔露出第一源漏极。第一电极形成在第二绝缘保护层上。第三金属层形成在第二绝缘保护层和第一电极上。位于第二绝缘保护层上的第三金属层填入第一通孔中与第一源漏极接触，且第三金属层的部分位于第一电极上并与第一电极接触。第三绝缘保护层覆盖第二绝缘保护层、第一电极以及第三金属层。第二电极形成在第三绝缘保护层上并位于第一电极的上方。在本专利技术较佳实施例中，上述第一源漏极是源极，第二源漏极是漏极并与薄膜晶体管阵列基板的数据线连接。在本专利技术较佳实施例中，上述第一电极于基板的正投影位于第二金属层于基板的正投影区域之外。在本专利技术较佳实施例中，上述第一源漏极呈长条状，第三金属层也呈长条状，第三金属层的长度方向大致垂直于第一源漏极的长度方向。一种液晶显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：在基板形成第一金属层。形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，半导体层位于第一金属层上方。在第一绝缘保护层形成第二金属层，第二金属层包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，第一源漏极和第二源漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，以使部分的半导体层从第一源漏极和第二源漏极之间露出。形成第二绝缘保护层，覆盖第二金属层，包括第一源漏极和第二源漏极和数据线以及覆盖从第一源漏极和第二源漏极之间露出部分的半导体层。在第二绝缘保护层上形成第一电极。形成第一电极之后，在第二绝缘保护层上形成第一通孔以露出部分第一源漏极。在第二绝缘保护层和第一电极上形成第三金属层，并使第三金属层填入第一通孔与第一源漏极接触，并部分的位于第一电极上并与第一电极接触。形成第三绝缘保护层，且第三绝缘保护层完全覆盖第二绝缘保护层、第一电极和第三金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，形成在该基板上；第一绝缘保护层，形成在该基板上并覆盖该第一金属层；半导体层，形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方；第二金属层，形成在该第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，该第一源漏极和该第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，以使部分的该半导体层从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出；第二绝缘保护层，形成在该第一绝缘保护层上，并覆盖该第二金属层，包括该第一源漏极和该第二源漏极和数据线以及覆盖从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出部分的该半导体层，该第二绝缘保护层具有第一通孔，以露出该第一源漏极；第一电极，形成在该第二绝缘保护层上；第三金属层，形成在该第二绝缘保护层和该第一电极上，位于该第二绝缘保护层的该第三金属层填入该第一通孔中与该第一源漏极接触，且该第三金属层的部分位于该第一电极上并与该第一电极接触；第三绝缘保护层，覆盖该第二绝缘保护层、该第一电极以及该第三金属层；以及第二电极，形成在该第三绝缘保护层上并位于该第一电极的上方。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，形成在该基板上；第一绝缘保护层，形成在该基板上并覆盖该第一金属层；半导体层，形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方；第二金属层，形成在该第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，该第一源漏极和该第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，以使部分的该半导体层从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出，该第一源漏极呈与扫描线延伸方向一致的长条状设置在相邻两条数据线之间并位于该扫描线的上方；第二绝缘保护层，形成在该第一绝缘保护层上，并覆盖该第二金属层，包括该第一源漏极和该第二源漏极和数据线以及覆盖从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出部分的该半导体层，该第二绝缘保护层具有第一通孔，以露出该第一源漏极；第一电极，形成在该第二绝缘保护层上，该第一电极于该基板的正投影位于该第二金属层于该基板的正投影区域之外；第三金属层，形成在该第二绝缘保护层和该第一电极上，位于该第二绝缘保护层的该第三金属层填入该第一通孔中与该第一源漏极接触，且该第三金属层的部分位于该第一电极上并与该第一电极接触，该第三金属层也呈长条状，该第三金属层的长度方向垂直于该第一源漏极的长度方向；第三绝缘保护层，覆盖该第二绝缘保护层、该第一电极以及该第三金属层；以及第二电极，形成在该第三绝缘保护层上并位于该第一电极的上方。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一源漏极是源极，该第二源漏极是漏极并与该薄膜晶体管阵列基板的数据线连接。3.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～2任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。4.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许传志，廖家德，李森龙，朱晓妮，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32