二端整流器件及具有二端整流器件的电路制造技术

一种二端整流器件及具有二端整流器件的电路，二端整流器件包括：整流MOS管、整流MOS管控制电路、充电电路，所述整流MOS管的源极和漏极作为二端整流器件的一端和另一端，所述整流MOS管控制电路分别与整流MOS管的源极、漏极和栅极相连，以提供整流MOS管所需的驱动电压，控制整流MOS管的开启或关闭；所述充电电路的第一端与二端整流器件的一端相连，所述充电电路的第二端与二端整流器件的另一端相连，利用所述充电电路为整流MOS管控制电路供电。在不需要原边主开关管开关信号的情况下，也可以进行同步整流，控制电路的供电由内部充电，结构简单，使用方便。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及整流
，特别涉及一种二端整流器件及具有二端整流器件的电路。
技术介绍
随着电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗、高频变压器的损耗、输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0?1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管(SBD)，也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。由于低压功率场效应晶体管(MOSFET)具有很小的导通电阻，在有电流流过时产生的电压降很小，可以替代二极管作为整流器件，大大提高电源变换的效率。使用功率MOSFET做整流器时，栅-源极间电压必须和被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称为同步整流技术。同时，MOSFET是电压控制型开关器件，必须在其栅-源极之间加上驱动电压来控制器漏极和源极之间的导通和关断。因此在现有技术中，通常采用外加的驱动电路对同步整流的MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二端整流器件，其特征在于，包括：整流MOS管、整流MOS管控制电路、充电电路，所述整流MOS管的源极和漏极作为二端整流器件的一端和另一端，所述整流MOS管控制电路分别与整流MOS管的源极、漏极和栅极相连，控制整流MOS管的开启或关闭；所述充电电路的第一端与二端整流器件的一端相连，所述充电电路的第二端与二端整流器件的另一端相连，利用所述充电电路为整流MOS管控制电路供电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄必亮，任远程，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33