一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法。所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0～1％的范围内，优选在0～0.5％的范围内，更优选在0.01～0.3％的范围内，所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。本发明专利技术提供的制造烧结钕铁硼磁体的方法，其针对现有技术做出改进，用该方法制备的烧结钕铁硼磁体的双面表场差显著地降低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种烧结钕铁硼磁体，所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0～1％的范围内，所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国安，胡伯平，赵玉刚，张瑾，
申请(专利权)人：三环瓦克华北京磁性器件有限公司，北京中科三环高技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11