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本发明提供一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法。所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0～1％的范围内，优选在0～0.5％的范围内，更优选在0.01～0.3％的范围内，所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。本发...该专利属于三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司授权不得商用。