功率型负温度热敏电阻制造技术

本实用新型专利技术涉及一种功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂和设置在热敏电阻下端的引脚，所述的绝缘包封树脂内具有附有芯片电极层的电阻芯片；所述的电阻芯片包括PTC芯片以及NTC芯片；所述的PTC芯片与NTC芯片并联连接；所述的引脚与电阻芯片所附的芯片电极层作导电连接。本实用新型专利技术在保证原有产品在25℃以上温区的电性能前提下，可以降低低温下产品阻值，避免其影响开机使用；延长提高开机寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率型负温度系数热敏电阻，尤其是一种低温区段阻值变化极缓的功率型负温度热敏电阻。
技术介绍
功率型负温度热敏电阻主要起到电路开关瞬间抑制电路中突波电流且保护其他元件不受电流冲击而损害的作用。瞬间抑制突波电流后产品将直接连接在电路中长时间通电，其残余电阻在长时间通电中产生热量，并与本体散热达到平衡，从而稳定。目前，公知的传统型功率型热敏电阻一般采用直接采用NTC陶瓷作为芯片；通常其在常温以上应用没有太大的问题；但是当使用在-40°C等低温环境时，因为其NTC固有的RT特征，其产品阻值将会变得非常大，从而造成开机困难或因阻值超大而影响使用寿命。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:提供一种功率型负温度热敏电阻，能够降低低温下产品的阻值。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂和设置在热敏电阻下端的引脚，所述的绝缘包封树脂内具有附有芯片电极层的电阻芯片；所述的电阻芯片包括PTC芯片以及NTC芯片；所述的PTC芯片与NTC芯片并联连接；所述的引脚与电阻芯片所附的芯片电极层作导电连接。进一步的说，在任意温度点TC下，本技术所述的PTC芯片与NTC芯片并联后的总阻值小于该温度点T°C下PTC芯片的阻值与NTC芯片的阻值两者之间的最小值。再进一步的说，本技术所述的引脚为镀锡铜线制成。本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，在保证原有产品在25°C以上温区的电性能前提下，可以降低低温下产品阻值，避免其影响开机使用；延长提高开机寿命。【附图说明】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的工艺流程框图；图3是传统产品与本技术的R-T特性差异对比图；图中:1、引脚;2、芯片电极层;3、PTC芯片;4、NTC芯片;5、绝缘包封树脂。【具体实施方式】现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1所示的一种型功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂和设置在热敏电阻下端的引脚1，绝缘包封树脂5内具有附有芯片电极层的电阻芯片2 ;电阻芯片包括PTC芯片3以及NTC芯片4 ;引脚与电阻芯片所附的芯片电极层作导电连接。将图示的PTC芯片和NTC芯片并联，并插入引线，焊接后正常包封制作成品。采用具有NTC特性的芯片和具有PTC特性的芯片，进行并联连接，故其阻值R =Ra//Rb;连接部位采用焊锡和引线设计，从而完成整个电气连接系统，并采用绝缘树脂材料进行包封，从而完成器件的制造；其在温度t下，PTC芯片阻值为Rp，NTC芯片阻值为Rn则，其组合后的的阻值Rt = Rp//RN，因而当Rp与Rn阻值差异较大时，Rt主要将非常接近于min (Rp, Rn)，故出现如图3所示的RT特性。以我司SCK13074*为例，比较样品各温度点阻值状况；在常温至最高使用温区，具有与常规ICL等效特性的电气性能，且能够承受更高的开机浪涌电流；而在_40°C?0°C等低温区域，其具有类似于PTC的RT特征，因而其阻值不会变得太高，从而可以避免传统ICL在极限低温下的启动障碍，而且，由于阻值的降低，从而可以提高产品低温开机能量耐受能力和使用寿命；总工艺流程如图2所示，使用常规的NTC陶瓷芯片以及相应的PTC陶瓷芯片，按照本技术设计，使用镀锡铜线制作引脚，将焊接后的半品按照常规ICL制作工艺制造成品，因而完全可以利用现有常规ICL器件生产线稍加改造即可进行产品量产。以上说明书中描述的只是本技术的【具体实施方式】，各种举例说明不对本技术的实质内容构成限制，所属
的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的【具体实施方式】做修改或变形，而不背离技术的实质和范围。【主权项】1.一种功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂(5)和设置在热敏电阻下端的引脚(I)，其特征在于:所述的绝缘包封树脂(5)内具有附有芯片电极层(2)的电阻芯片；所述的电阻芯片包括PTC芯片(3)以及NTC芯片(4);所述的PTC芯片(3)与NTC芯片⑷并联连接；所述的引脚⑴与电阻芯片所附的芯片电极层⑵作导电连接。2.如权利要求1所述的功率型负温度热敏电阻，其特征在于:所述的PTC芯片(3)与NTC芯片(4)并联后的总阻值小于同温度下PTC芯片(3)的阻值与NTC芯片(4)的阻值两者之前的最小值。3.如权利要求1所述的功率型负温度热敏电阻，其特征在于:所述的引脚(I)为镀锡铜线制成。【专利摘要】本技术涉及一种功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂和设置在热敏电阻下端的引脚，所述的绝缘包封树脂内具有附有芯片电极层的电阻芯片；所述的电阻芯片包括PTC芯片以及NTC芯片；所述的PTC芯片与NTC芯片并联连接；所述的引脚与电阻芯片所附的芯片电极层作导电连接。本技术在保证原有产品在25℃以上温区的电性能前提下，可以降低低温下产品阻值，避免其影响开机使用；延长提高开机寿命。【IPC分类】H01C7-04【公开号】CN204303487【申请号】CN201420802384【专利技术人】张一平, 张世开 【申请人】兴勤（常州）电子有限公司【公开日】2015年4月29日【申请日】2014年12月17日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型负温度热敏电阻，包括设置在外部的绝缘包封树脂(5)和设置在热敏电阻下端的引脚(1)，其特征在于：所述的绝缘包封树脂(5)内具有附有芯片电极层(2)的电阻芯片；所述的电阻芯片包括PTC芯片(3)以及NTC芯片(4)；所述的PTC芯片(3)与NTC芯片(4)并联连接；所述的引脚(1)与电阻芯片所附的芯片电极层(2)作导电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张一平，张世开，
申请(专利权)人：兴勤常州电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32