基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，具有：第1基板承载台(10)，其具有对基板(W)的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面(10a)；第2基板承载台(20)，其具有对基板(W)的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面(20a)；承载台升降机构(51)，其使第1基板保持面(10a)在比第2基板保持面(20a)高的上升位置与对比第2基板保持面(20a)低的下降位置之间移动；以及对准器(36、41、60)，其对基板(W)的偏心量进行测定，使基板(W)的中心对准第2基板承载台(20)的轴心。采用本发明专利技术，可高精度地使晶片等基板的中心对准基板承载台的轴心，不会使基板挠曲地对基板进行处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可适用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的研磨装置及研磨方法等的。
技术介绍
作为对晶片等基板的周缘部进行研磨用的装置，使用一种具有研磨带、砂轮等研磨器具的研磨装置。图14是表示这种型式的研磨装置的示意图。如图14所示，研磨装置具有:利用真空吸引而对晶片W的中心部进行保持、且使晶片W进行旋转的基板承载台110 ；以及将研磨器具100按压到晶片W周缘部的研磨头105。通过晶片W与基板承载台110 —起旋转、且在该状态下研磨台105将研磨器具100按压到晶片W周缘部上而对晶片W周缘部进行研磨。作为研磨器具100，使用研磨带或砂轮。如图15所示，晶片W由研磨器具100研磨的部位的宽度(下面将其称为研磨宽度)，由研磨器具100相对晶片W的相对位置确定。通常，研磨宽度是离开晶片W最外周端数毫米。为了将晶片W的周缘部以固定的研磨宽度研磨，需要使晶片W的中心对准基板承载台100的轴心。因此，在将晶片W放在基板承载台100上之前，通过用如图16所示那样的定心机械手115来把持晶片W，从而对晶片W进行定心。定心机械手115接近由输送用自动装置(未图示)输送过来的晶片W的两侧并与其边缘部接触对晶片W进行把持，定心机械手115与基板承载台110的相对位置被固定，由定心机械手115把持的晶片W的中心就位于基板承载台110的轴心上。但是，这种以往的定心机构，其晶片定心的精度有限度，其结果，有时研磨宽度不稳定。另外，还有定心机械手115产生磨损、晶片定心精度下降的现象。此外，若将研磨器具100按压到晶片W周缘部上，则有时晶片W整体产生挠曲，晶片W的周缘部产生缺陷。为了防止这种晶片W的挠曲，考虑了这样的技术:用与基板承载台110另外设置的支承承载台(未图示)对晶片W的下表面的外周部进行支承。但是，当基板承载台110的基板支承面与支承承载台的基板支承面不处于同一平面内时，晶片W就产生挠曲。专利文献1:日本特许4772679号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题因此，本专利技术的目的是，提供一种，可高精度地使晶片等基板的中心对准基板承载台的轴心，且可不使基板挠曲地对基板的周缘部进行研磨等基板处理。用于解决课题的机械手段为了实现上述目的，本专利技术的一方式是一种对基板进行处理的基板处理装置，其特点是，具有:第I基板承载台，该第I基板承载台具有对所述基板的下表面内的第I区域进行保持的第I基板保持面；第2基板承载台，该第2基板承载台具有对所述基板的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面；第2承载台旋转机构，该第2承载台旋转机构使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转；承载台升降机构，该承载台升降机构使所述第I基板保持面在比所述第2基板保持面高的上升位置与比所述第2基板保持面低的下降位置之间进行移动；以及对准器，该对准器对所述基板的中心离开所述第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心。本专利技术的另一方式是一种对基板进行处理的基板处理方法，其特点是，由第I基板承载台的第I基板保持面对所述基板的下表面内的第I区域进行保持，对所述基板的中心离开第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心，使所述第I基板承载台下降，直至所述基板的下表面内的第2区域与所述第2基板承载台的第2基板保持面接触，由所述第2基板保持面对所述第2区域进行保持，使所述第I基板承载台进一步下降而使所述第I基板保持面离开所述基板，通过使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转而使所述基板旋转，对旋转的所述基板进行处理。专利技术的效果采用本专利技术，基板的中心离开第2基板承载台的轴心的偏心量被测定。因此，可使基板的中心对准第2基板承载台的轴心以使该偏心量为零。另外，在第2基板承载台将基板的下表面的第2区域(尤其是外周部)予以保持后，可使第I基板承载台离开基板。因此，能在仅仅由第2基板承载台对基板的下表面的第2区域进行保持的状态下，不使基板挠曲地处理基板。【附图说明】图1是表示研磨装置的示意图。图2是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。图3是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。图4是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图5是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图6是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图7是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。图8是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。图9是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。图10是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图11是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图12是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。图13是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。图14是表示以往研磨装置的示意图。图15是说明晶片的研磨宽度的示图。图16是表示具有定心机械手的以往研磨装置的示意图。符号说明I研磨器具5研磨头10第I基板承载台1a第I基板保持面15第I真空管线20第2基板承载台20a第2基板保持面25第2真空管线22空间30支承轴31连结块32轴承35转矩传递机构36第I旋转机构38旋转编码器40直动轴承41水平移动机构42台43支承臂44旋转接头45促动器46直动导向件47偏置电动机48偏心凸轮49凹部51承载台升降机构55转矩传递机构56第2旋转机构58转动接头60偏心检测部61射光部62受光部65处理部69横向移动机构90机械手Ml、M2 电动机【具体实施方式】下面，参照说明书附图来说明本专利技术的实施方式。下面说明的本专利技术的的实施方式，是对基板的周缘部进行研磨的研磨装置及研磨方法。图1是表示研磨装置的示意图。如图1所示,研磨装置具有对作为基板的一例的晶片W进行保持的第I基板承载台10及第2基板承载台20。第I基板承载台10是对晶片W进行定心用的定心承载台，第2基板承载台20是对晶片W进行研磨用的处理承载台。晶片W的定心过程中，晶片W仅由第I基板承载台10保持，晶片W的研磨过程中，晶片W仅由第2基板承载台20保持。在第2基板承载台20的内部具有空间22，第I基板承载台10被收容在第2基板承载台20的空间22内。第I基板承载台10具有对晶片W的下表面内的第I区域进行保持的第I基板保持面10a。第2基板承载台20具有对晶片W的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面20a。第I区域和第2区域是处于晶片W的下表面内的不同位置的区域。在本实施方式中，第I基板保持面1a具有圆形形状，且构成为对晶片W的下表面的中心侧部位进行保持。第2基板保持面20a具有环状形状，且构成为对晶片W的下表面的外周部进行保持。上述中心侧部位位于上述外周部的内侧。本实施方式中的中心侧部位是包含晶片W的中心点的圆形部位，但只要位于上述外周部的内侧，也可是不包含晶片W的中心点的环状部位。第2基板保持面20a配置成包围第I基板保持面10a。环状的第2基板保持面20a的宽度例如是5mm?50mm。第I基板承载台10通过轴承32而与配置在其下方的支承轴30连结。轴承32固定在支承轴30的上端，将第I基板承载台10支承成旋转自如。第I基板承载台10通过由带轮及皮带等构成的转矩传递机构35而与电动机Ml连接,第I基板承载台10就本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，是对基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，具有：第1基板承载台，该第1基板承载台具有对所述基板的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面；第2基板承载台，该第2基板承载台具有对所述基板的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面；第2承载台旋转机构，该第2承载台旋转机构使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转；承载台升降机构，该承载台升降机构使所述第1基板保持面在比所述第2基板保持面高的上升位置与比所述第2基板保持面低的下降位置之间进行移动；以及对准器，该对准器对所述基板的中心离开所述第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：关正也，户川哲二，中西正行，伊藤贤也，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP