【技术实现步骤摘要】
一种新型籽晶托盘
本技术涉及一种用于生长金刚石单晶的新型籽晶托盘，尤其是一种用于微波等离子体化学气相沉积法生长金刚石单晶的新型籽晶托盘。
技术介绍
微波等离子体化学气相沉积法生长金刚石单晶时，籽晶放置在籽晶托盘的凹坑内。目前所用的籽晶托盘有两种，一种是具有四方形垂直凹坑的圆柱状籽晶托盘，简称托盘I ;另一种是具有倒圆锥体状凹坑的圆柱状籽晶托盘，简称托盘2。托盘I的凹坑形状是四方体状，籽晶放置在凹坑内，由于凹坑边缘呈90度垂直向下，凹坑边缘处的电磁场很不连续，对应的等离子体密度过大，导致籽晶四周的生长速率远远大于中心处的生长速率，籽晶的生长面不平整，严重影响金刚石单晶的品质。托盘2的凹坑形状呈倒圆锥体状，籽晶放置在凹坑内，籽晶放在凹坑内，底面会悬空。这种情况虽然降低了电磁场的不连续性，但是对籽晶的热传导不利。
技术实现思路
本技术的目的是解决上述提出的问题，提供一种在金刚石生长过程中能够降低电磁场的不连续性，抑制籽晶边缘处的过快生长，提高金刚石单晶的品质的一种新型籽晶托盘。 本技术的目的是以如下方式实现的:一种新型籽晶托盘，用于微波等离子体化学气相沉积装置的谐振腔腔体内，置于谐振腔腔体内的基台上，托盘的中心端面开设有凹坑，所述凹坑出口端与托盘端面所在水平面是由斜面过渡连接，所述凹坑大于等于I个且为方形孔。 更进一步的优化方案，上述的一种新型籽晶托盘，所述凹坑为I个时，位于托盘上端的中心部位。 更进一步的优化方案，上述的一种新型籽晶托盘，所述凹坑为多个时，对称分布在托盘上端的中心部位。 更进一步的优化方案，上述的一种新型籽晶托盘...
【技术保护点】
一种新型籽晶托盘，其特征在于：用于微波等离子体化学气相沉积装置的谐振腔腔体(1)内，置于谐振腔腔体内的基台(2)上，托盘(3)的中心端面开设有凹坑(4)，所述凹坑(4)出口端与托盘(3)端面所在水平面是由斜面(5)过渡连接，所述凹坑(4)大于等于1个且为方形孔。
【技术特征摘要】
1.一种新型籽晶托盘，其特征在于:用于微波等离子体化学气相沉积装置的谐振腔腔体(I)内，置于谐振腔腔体内的基台(2)上，托盘(3)的中心端面开设有凹坑(4)，所述凹坑(4)出口端与托盘(3)端面所在水平面是由斜面(5)过渡连接，所述凹坑(4)大于等于I个且为方形孔。2.根据权利要求1所述的一种新型籽晶托盘，其特征在于:所述凹坑⑷为I个时，位于托盘上端的中心部位。3.根据权利要求1所述的一种新型籽晶托盘，其特征在于:所述凹坑(4)为多个时，对称分布在托盘(3)上端的中心部位。4.根据权利要求1所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：周学芹，史玉芬，刘小利，
申请(专利权)人：常州宝颐金刚石科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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