显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括共面薄膜晶体管和电容器。共面薄膜晶体管包括栅电极、包括氧化物半导体的有源层、源电极以及漏电极。电容器包括下电极、中间电极和上电极。并且下电极由与有源层相同的材料构成，并且被导电化。而且，上电极连接到下电极，通过利用导电化的下电极，电容器被构造为用作多个电容器，因此，减小了电容器的尺寸，并且可以利用具有较小的面积的电容器确保足够的电容。以该方式，可以减小显示装置中每个子像素的面积，从而实现高分辨率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种。显示装置包括共面薄膜晶体管和电容器。共面薄膜晶体管包括栅电极、包括氧化物半导体的有源层、源电极以及漏电极。电容器包括下电极、中间电极和上电极。并且下电极由与有源层相同的材料构成，并且被导电化。而且，上电极连接到下电极，通过利用导电化的下电极，电容器被构造为用作多个电容器，因此，减小了电容器的尺寸，并且可以利用具有较小的面积的电容器确保足够的电容。以该方式，可以减小显示装置中每个子像素的面积，从而实现高分辨率。【专利说明】
本公开涉及一种，并且具体地涉及一种能够当存储电容器具有较小的尺寸时控制存储电容器的稳定电容的。
技术介绍
以主动矩阵型驱动的显示装置包括位于每个子像素中的薄膜晶体管，并且根据显示装置的类型而包括液晶层或有机发光元件。此外，每个子像素包括用于稳定地控制数据电压的存储电容器。在包括液晶层的显示装置中，存储电容器能够稳定地保持数据电压，即稳定地保持像素电极与公共电极之间的电压差。在博科有机发光元件的显示装置中，存储电容器能够稳定地保持数据电压，即稳定地保持驱动晶体管的栅电极与源电极之间，或者栅电极与漏电极之间的电压差。 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2013-0120127的优先权，通过引用将其公开并入这里。
技术实现思路
随着为了实现显示装置的更高的分辨率而减少每个子像素的面积，每个子像素中的薄膜晶体管(TFT)或存储电容器的尺寸减小。这导致了存储电容器的电容的减小。当这发生时，子像素中的数据电压变得不稳定。因此，应该确保存储电容器的足够的电容。 存储电容器需要某种最小尺寸以便于确保电容。本公开的专利技术人已经开发了一种显示装置，其通过使用氧化物半导体作为存储电容器的电极来使得存储电容器的尺寸最小同时保持了用于提供稳定的数据电压的电容。还公开了一种制造该显示装置的方法。 本公开的目的在于提供一种存储电容器，其具有与传统的存储电容器相同的电容，但是存储电容器的尺寸小于传统的存储电容器的尺寸。这实现了子像素的面积的减小，因此，每单位面积的子像素的数目增加，并且因此提供了具有更高分辨率的显示装置。 此外，本公开的另一目的在于提供一种透明有机发光显示装置，其具有尺寸小于传统的存储电容器的尺寸的存储电容器。因此，改进了透明有机发光显示装置的透射率，这是因为具有存储电容器的发光区域的尺寸减小并且不具有存储电容器的光透射区域的尺寸增加。此外，公开了一种制造该透明有机发光显示装置的方法。 本公开的目的不限于上述。本领域技术人员根据下面的描述将清楚地理解这里没有描述的其它目的。 根据本公开的方面，提供了一种显示装置，其能够实现上述目的。显示装置包括基板、共面薄膜晶体管和存储电容器。共面薄膜晶体管包括有源层，其包括氧化物半导体；栅电极；和源电极或漏电极。存储电容器包括下电极、第一绝缘层、中间电极、第二绝缘层和上电极。并且下电极由与有源层相同的材料构成，并且被导电化。 通过使用导电化的下电极，存储电容器被构造为用作多个电容器。因此，减小了存储电容器的尺寸。另外，可以利用更小尺寸的存储电容器确保足够的电容。以该方式，可以减小显示装置中的每个子像素的面积，从而实现高分辨率。 当显示装置是透明有机发光显示装置时，减小尺寸的存储电容器允许减小光发射区域的尺寸并且相对地增加光透射区域的尺寸。因此，改进了透明有机光发射显示装置的透射率。 根据本公开的示例性实施方式，使用半色调掩模对由与有源层相同材料构成的层进行图案化，并且进行导电化。因此，能够使得制造显示装置的处理的数目最小。 在详细描述和附图中示出了示例性实施方式的其它内容。 【专利附图】【附图说明】 附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图合并到本申请中且构成本申请的一部分，附图例示了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在图中: 图1A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的截面图； 图1B是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图； 图2是根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图； 图3是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的简化平面图； 图4是用于示出根据本公开的示例性实施方式的制造有机发光显示装置的方法的流程图；以及 图5A至图5F是均示出用于制造根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的处理步骤的截面图。 【具体实施方式】 根据下面参照附图对实施方式的描述，本公开的各种优点和特征及其实现方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而将用各种形式实现。仅通过举例提供示例性实施方式，使得本领域的普通技术人员可完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将只由所附权利要求书的范围限定。 指示元件或层“在”其它元件或层“上”包括对应元件在其它元件正上方的情况和对应元件插入有其它层或元件的情况二者。指示元件或层“直接在”其它元件或层上意味着对应元件在其它元件正上方的情况。 在整个说明书中，相同的标号指示相同的元件。 在附图中，为了方便描述，任意地示出各元件的大小和厚度，本公开不一定限于附图中示出的大小和厚度。 尽管为了描述各种组件而使用第一、第二等，但组件不受术语限制。以上术语只是用于将一个组件与另一个组件区分开。因此，在本公开的技术精神内，以下提到的第一组件可以是第二组件。 本公开的各种示例性实施方式的各个特征可部分或全部彼此连接或组合起来，如本领域的技术人员充分理解的，可在技术上实现各种相互作用或驱动，各个示例性实施方式可彼此独立地执行或者通过关联的关系一起执行。 图1A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的截面图。显示装置100A包括共面薄膜晶体管T和存储电容器Cst。 基板110包括其中形成有共面薄膜晶体管T的区域A和其中形成有存储电容器Cst的区域B。在基板110的区域A中，有源层131、栅极绝缘层112、栅电极132、层间绝缘层113、源电极133和漏电极134 —个堆叠在另一个之上，以形成共面薄膜晶体管T。在基板110的区域B中，下电极121、第一绝缘层116、中间电极122、第二绝缘层117和上电极123一个堆叠在另一个之上，以形成存储电容器Cst。区域B中的下电极121、第一绝缘层116、中间电极122、第二绝缘层117和上电极123可以分别由与区域A中的有源层131、栅极绝缘层112、栅电极132、层间绝缘层113、源电极133和漏电极134相同的材料并且以相同的处理形成。 缓冲层111形成在基板110上。缓冲层111可以减少湿气或杂质到基板110中的渗透，并且可以使得基板的表面平坦。缓冲层111可以由硅氧化物膜、硅氮化物膜或者其双层形成。在缓冲层111上，形成有共面薄膜晶体管T和存储电容器Cst。 在下面的描述中，将首先描述形成在基板110的区域A中的共面薄膜晶体管T的构造并且然后将描述形成在区域B中的存储电容器Cst的构造。 包括氧化物半导体的有源层131形成在基板110的区域A中。有源层131中包括的氧化物半导体例如可以由基于铟镓锌氧化物(InGaZnO)的材料构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，所述显示装置包括：共面薄膜晶体管，所述共面薄膜晶体管位于基板上，所述共面薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括氧化物半导体；下电极，所述下电极位于所述基板上并且由与所述有源层相同的材料构成，所述下电极被导电化；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述下电极上；中间电极，所述中间电极由与所述栅电极相同的材料构成，所述中间电极位于所述第一绝缘层上并且其至少一部分与所述下电极交叠；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述中间电极上；以及上电极，所述上电极由与所述源电极或所述漏电极相同的材料构成，所述上电极位于所述第二绝缘层上并且其至少一部分与所述中间电极交叠，其中，所述上电极连接到所述下电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩准洙，金彬，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR