本发明专利技术涉及一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。【专利说明】三极管
本专利技术涉及一种三极管。
技术介绍
随着科技之发展，电子产品种类越来越多。而三极管由于其具有电流放大作用，常 常作为电子产品中的电流放大器件而被广泛使用。然而，目前三极管在制做的时候容易产 生寄生的三极管，比如，在制做一 PNP三极管的时候则会生成一寄生PNP三极管及一寄生 NPN三极管。该寄生NPN三极管之发射极和集电极之间容易产生漏电流，从而造成对该PNP 三极管的损坏。
技术实现思路
因此，有必要提供一种不容易损坏的三极管。 一种三极管，包括： 第一类型衬底； 一第二类型阱区； 一第一类型轻掺杂区域； 一第二类型高掺杂区域； 一第一类型高掺杂区域； 该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型 阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该 第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极 区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。 与现有技术相较，本专利技术三极管中第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被加载 相同的电压以使第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域不会因为掺杂浓度的比例控制不 当而造成第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间击穿之现象，从而避免了该三极管的 损坏。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图及较佳实施方式对本专利技术作进一步详细描述。 图1为本专利技术三极管第一实施例之平面结构示意图。 图2为本专利技术图1中所示三极管沿II-II线第一实施例的剖面结构示意图。 图3为本专利技术图1中所示三极管沿II-II线第二实施例的剖面结构示意图。 图4为本专利技术三极管第一实施例之等效电路结构示意图。 图5为本专利技术三极管第二实施例之平面结构示意图。 图6为本专利技术图5中所示三极管沿VI-VI线第一实施例的剖面结构示意图。 图7为本专利技术图5中所示三极管沿VI-VI线第二实施例的剖面结构示意图。 图8为本专利技术三极管第三实施例之平面结构示意图。 图9为本专利技术图8中所示三极管沿IX-IX线第一实施例的剖面结构示意图。 图10为本专利技术图8中所示三极管沿IX-IX线第二实施例的剖面结构示意图。 图11为本专利技术三极管第三实施例之等效电路结构示意图。 主要元件符号说明 【权利要求】1. 一种三极管，包括： 第一类型衬底； 一第二类型阱区； 一第一类型轻掺杂区域； 一第二类型高掺杂区域； 一第一类型高掺杂区域； 该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型 阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该 第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极 区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。2. 如权利要求1所述的三极管，其特征在于，该三极管还包括自该第一类型高掺杂区 域引出第一金属引线，自该第二类型高掺杂区域引出第二金属引线，自该第一类型轻掺杂 区域引出第三金属引线，及自该第二类型阱区引出的第四金属引线；其中，该第一金属引 线为该三极管之发射极，该第一类型高掺杂区域透过该第一金属引线加载发射极电压；该 第二金属引线为该三极管之基极，该第二类型高掺杂区域透过该第二金属引线加载基极电 压；该第三金属引线为该三极管之集电极，该第一类型轻掺杂区域透过该第三金属引线加 载集电极电压，该第二类型阱区透过该第四金属引线加载与该第二类型高掺杂区域上加载 的电压相同的电压。3. 如权利要求2所述的三极管，其特征在于，该第二金属引线与该第四金属引线透过 金属布线电连接。4. 如权利要求2所述的三极管，其特征在于，该三极管的表面覆盖有绝缘层，其该绝缘 层分别对应该第一类型高掺杂区域开设第一开孔、对应该第二类型高掺杂区域开设第二开 孔、对应该第一类型轻掺杂区域开设第三开孔及对该第二类型阱区开设第四开孔，该三极 管分别自该第一开孔引出该第一金属引线，自该第二开孔引出该第二金属引线，自该第三 开孔引出该第三金属引线，自该第四开孔引出该第四金属引线。5. 如权利要求4所述的三极管，其特征在于，该保护层还包括对应该第一类型衬底开 始的第五开孔，该三极管自该第五开孔引出第五金属引线，该第五金属引线接地。6. 如权利要求4所述的三极管，其特征在于，该保护层为二氧化硅。7. 如权利要求2所述的三极管，其特征在于，该三极管还包括对该第一类型高掺杂区 域进行第一类型掺杂形成的发射极欧姆接触区，对该第二类型高掺杂区域进行第二类型掺 杂形成的基极欧姆接触区，对该第一类型轻掺杂区域进行第二类型掺杂形成的基极欧姆接 触区，对该第二类型阱区进行第二类型掺杂形成的阱区欧姆接触区，该三极管透过该发射 极欧姆接触区引出该第一金属引线，透过该基极欧姆接触区引出该第二金属引线，透过该 基极欧姆接触区引出该第三金属引线，透过该阱区欧姆接触区引出该第四金属引线。8. 如权利要求1所述的三极管，其特征在于，该第一类型衬底、该第二类型阱区、该第 一类型轻掺杂区域、该第二类型高掺杂区域为"凹"字型。9. 如权利要求1所述的三极管，其特征在于，该第一类型为N型，该第二类型为P型。10. 如权利要求1所述的三极管，其特征在于，该第一类型为P型，该第二类型为N型。11. 如权利要求1所述的三极管，其特征在于，第二类型高掺杂区域还包括主体部及联 通部，且该联通部联通并电连接该第二类型阱区及该主体部。12. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，该第一类型轻掺杂区域包括第一部分 及第二部分，该第二部分位于该联通部及该第一部分之间，该第一部分的掺杂浓度大于该 第二部分的掺杂浓度。13. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，该第二类型阱区包括第一区域及第二 区域，该第一区域、该第一类型轻掺杂区域及该联通部设置于该第二区域上，该第一区域邻 近该第一部分的外侧设置，该第一区域的掺杂浓度小于该第二区域的掺杂浓度。【文档编号】H01L21/331GK104518012SQ201310456663【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日 【专利技术者】郑志男 申请人:天钰科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑志男，
申请(专利权)人：天钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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