基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置，提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理，该基板处理装置的构成中具有：蚀刻处理部(30)，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部(30)，将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部(38、50、52)，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法和装置。
技术介绍
以往，提出了利用含有磷酸(H3PO4)的蚀刻液对形成有氮化膜(Si3N4)和氧化膜(SiO2)的硅制半导体晶片(基板)进行处理的基板处理方法(参见专利文献1)。该基板处理方法中，在储存于蚀刻槽中的含有磷酸(H3PO4)的蚀刻液中投入2个以上的半导体晶片，对该2个以上的半导体晶片各个的蚀刻处理一并进行。在该蚀刻处理中蚀刻液中的磷酸作为催化剂发挥作用，将半导体晶片的氮化膜(Si3N4)除去。并且，进行上述蚀刻处理而残留在蚀刻处理槽内的已用蚀刻液经由接收槽而被转移至再生装置的处理槽中。在储存有已用蚀刻液的处理槽内添加相对于上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液(HF)。在处理槽内，在比较高温的预定温度环境下，使含有由上述蚀刻处理所除去的基于氮化物的成分的已用蚀刻液与氢氟酸溶液(HF)混合并反应，从而再生磷酸(H3PO4)。该再生后的磷酸(H3PO4)返回至应在上述蚀刻处理中使用的蚀刻液中。根据这样的基板处理方法，由蚀刻处理后残留的已用蚀刻液再生磷酸，该磷酸返回至应在蚀刻处理中使用的蚀刻液中，因此，能够有效利用磷酸的同时，继续进行用于除去氮化膜的针对半导体晶片的蚀刻处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4424517号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在上述的基板处理方法中，为了一并对大量的基板进行蚀刻处理，需要大型的蚀刻槽，并且，由于将对如此大量的基板一并进行蚀刻处理的程度的大量的已用蚀刻液储存在处理槽中并在该处理槽中适量添加氢氟酸溶液，在比较高温的预定温度环境下使已用蚀刻液与氢氟酸溶液反应，因此用于将大量的已用蚀刻液和针对其的大量的氢氟酸溶液保持在预定的温度环境下的设备变得大型化。另外，虽然1次再生的磷酸的量增多，但是，需要较长时间将大量的已用蚀刻液全体与氢氟酸溶液全体在处理槽内混合至能高效地发生反应，不能说一定能高效地进行磷酸的再生。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，提供在尽可能不使用大型设备的情况下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理方法和基板处理装置。用于解决课题的手段本专利技术的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，不需要分批式那样的大型蚀刻槽(设备)就能够一片一片地进行基板的蚀刻处理，一片一片地对预定片数(也包括一片)的基板进行蚀刻处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下混合，这些已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，从而再生出应返回蚀刻液中的磷酸。在上述预定片数为一片的情况下，可以利用能够使对一片基板进行蚀刻处理后的那部分特别少量的已用蚀刻液与相对于该已用液体的量为适量的特别少量的氢氟酸溶液混合的设备，来再生上述磷酸。本专利技术的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，即使在2个以上基板一并进行的蚀刻处理中使用大量的蚀刻液，由于已用蚀刻液和氢氟酸溶液以雾状或蒸气状进行混合、相互反应，因此，也可以不使用用于储存对2个以上基板进行蚀刻处理后的全部量的已用蚀刻液与氢氟酸溶液并使它们反应的设施，就能够高效地使已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，再生出应返回至蚀刻液中的磷酸。本专利技术的基板处理装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置的构成中具有：蚀刻处理部，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部，将在上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和，磷酸回收部，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。利用这样的构成，蚀刻处理部不需要分批式那样的大型蚀刻槽(设备)就能够一片一片地进行基板的蚀刻处理，磷酸再生部中，将上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数(也包括一片)的基板进行蚀刻处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，这些已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，从而再生出应返回蚀刻液中的磷酸。本专利技术的基板处理装置为利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，在该装置的构成中具有：蚀刻处理部，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部，将上述蚀刻处理部中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，即使在蚀刻处理部中在2个以上基板一并进行的蚀刻处理中使用大量的蚀刻液，由于已用蚀刻液和氢氟酸溶液以雾状或蒸气状进行混合、在预定的温度环境下相互反应，因此，也可以不使用用于储存对2个以上基板进行蚀刻处理后的全部量的已用蚀刻液与氢氟酸溶液并使它们反应的设备，就能够高效地使已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应而再生出磷酸。专利技术效果利用本专利技术的基板处理方法和基板处理装置，能够在尽可能不使用大型设备的情况下而在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸。附图说明图1为示出本专利技术的第1实施方式的基板处理装置的基本构成的图。图2为示出在图1所示的基板处理装置中进行着半导体晶片的蚀刻处理的状态的旋转处理单元(蚀刻处理部)的图。图3为示出在图1所示的基板处理装置中进行着蚀刻处理后的半导体晶片的漂洗处理的状态的旋转处理单元的图。图4为示出在图1所示的基板处理装置中退出半导体晶片后进行着由已用蚀刻液再生磷酸的处理的旋转处理单元(磷酸再生部)的图。图5为示出在图1所示的基板处理装置中在半导体晶片的蚀刻处理的同时进行着由已用蚀刻液再生磷酸的处理的状态的旋转处理单元(蚀刻处理部、磷酸再生部)的图。图6为示出本专利技术的第2实施方式的基板处理装置中的主要部分的构成的图。图7为示出本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，该方法具有：蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。

【技术特征摘要】
2013.09.30 JP 2013-205624;2013.12.16 JP 2013-259651.一种基板处理方法，该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，该方法具有：蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸，在此磷酸再生步骤中，使上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液中的至少任意一者为雾状或蒸气状后将上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液混合；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述磷酸再生步骤中，将在上述蚀刻处理步骤中对一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对一片基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸。3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述蚀刻处理步骤中，使一片一片地供给的各基板进行旋转，对上述旋转的基板的表面提供适量的蚀刻液，从而进行对上述基板的蚀刻处理，上述磷酸再生步骤中，将已用蚀刻液提供至相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液中，直至上述蚀刻处理步骤中的上述预定片数的基板的处理结束为止，其中，所述已用蚀刻液为提供于上述旋转的基板的表面上的适量的蚀刻液从该基板的表面飞散后的蚀刻液。4.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，上述蚀刻处理步骤中，使一片一片地供给的各基板进行旋转，对上述旋转的基板的表面提供适量的蚀刻液，从而进行对上述基板的蚀刻处理，上述磷酸再生步骤中，将已用蚀刻液提供至相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液中，其中，所述已用蚀刻液为提供于上述旋转的基板的表面上的适量的蚀刻液从该基板的表面飞散后的蚀刻液。5.一种基板处理方法，该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，该方法具有：蚀刻处理步骤，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。6.一种基板处理装置，该装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置具有：蚀刻处理部，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部，将在上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸，在此磷酸再生部中，使上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液中的至少任意一者为雾状或蒸气状后将上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液混合；和磷酸回收部，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，上述磷酸再生部中，将在上述蚀刻处理部中对一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对一片基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林信雄，滨田晃一，黑川祯明，古矢正明，森秀树，渡边康司，林义典，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP