硅化钨成膜工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种硅化钨成膜工艺方法，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本发明专利技术能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本专利技术能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
硅化钨薄膜具有高熔点和低电阻率的优点，在大规模集成电路制造中应用广泛，常常用来改善硅和金属电极之间的欧姆接触。如MOS管的多晶硅栅极的顶部常常通过在多晶硅层顶部形成一层硅化钨来提升栅极的导电性能，MOS管的源漏极也能通过在源漏区表面形成硅化钨来降低源漏极的接触电阻。 现有硅化钨形成工艺中，一般需要在硅化钨成膜工艺前采用气态氢氟酸(VHF)来对硅表面的进行清洗以去除硅表面的自然氧化层。虽然VHF能够将自然氧化层去除，但是当多晶硅中掺杂由磷杂质时，磷会析出到多晶硅表面，并且在硅化钨成膜之前基片所处的环境中会有空气和水蒸气等存在，导致发生以下反应: 4P+502本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅化钨成膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂；步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽；步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质；步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘善善，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31