一种用于30微米精细线路的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于30微米精细线路的制作工艺，包括以下步骤：（1）前处理；（2）压膜；（3）曝光；（4）显影；（5）蚀刻；（6）蚀刻补偿。通过上述方式，本发明专利技术用于30微米精细线路的制作工艺具有设计新颖、精细制作、生产效率稳定、合格率高等优点，在用于30微米精细线路的制作工艺的普及上有着广泛的市场前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于30微米精细线路的制作工艺，包括以下步骤：（1）前处理；（2）压膜；（3）曝光；（4）显影；（5）蚀刻；（6）蚀刻补偿。通过上述方式，本专利技术用于30微米精细线路的制作工艺具有设计新颖、精细制作、生产效率稳定、合格率高等优点，在用于30微米精细线路的制作工艺的普及上有着广泛的市场前景。【专利说明】一种用于30微米精细线路的制作工艺
本专利技术涉及线路板制作领域，特别是涉及一种用于30微米精细线路的制作工艺。
技术介绍
线路板行业中，电子产品小型化及1^(触摸屏)行业的快速发展，(软性线路板)也推向了高密度、微细化发展，原先最小的线宽/线距为5011111/5011111的发展需求已经不能满足市场制程的发展，因此对精细线路的研宄及制作已经到了迫切时期。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种用于30微米精细线路的制作工艺，通过采用控制各个步骤的条件和参数，从而使得整体流程优化设计，生产效率稳定、合格率高，在用于30微米精细线路的制作工艺的普及上有着广泛的市场前景。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于30微米精细线路的制作工艺，包括以下步骤:(1)前处理:选用的薄铜箔作为制作30110线宽的线距板，可以有效的降低蚀刻凹槽的深度，同时也降低水池效应，选取黑胶片菲林或者玻璃菲林，并选用厚度为12-18微米的干膜；(2)压膜:使用湿压机进行压膜处理，水置换附着于铜面粗糙空间内的空气、塑化高分子光阻表面、与高分子光阻互溶，形成高分子的混合物，控制温度为90-981、压力为4-51?、速率为 1-1.5111/111111、水压为 0.5-1.01?、水流量为 40-60(^/111111 ； (3)曝光:采用平行曝光机进行曝光，设置曝光参数为30000“、能量尺设置在9-11 格； (4)显影:控制速率为3.5111/111111、断点为40-70%进彳'X显影； (5)蚀刻:控制蚀刻断点大于85%、蚀刻因子为4-6、保持整个线宽蚀刻的速率一致；(6)蚀刻补偿:(^)针对密集线路两最侧边的独立线，将该线路单边往外侧补偿至大于35微米，(^)针对密集线路引线拐角处，整体加大拐角处线宽至少5微米，(0)针对独立线细，将线宽补偿至大于35微米。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(1)中的所述干膜的厚度为15微米。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(2)中的压膜条件为温度为951、压力为4.21?、速率为 1.2111/111111、水压为 0.71?、水流量为 50(^/111111。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(2)中采用纯净水，用以去除氯离子影响、保持水管清洁、避免水垢的产生、避免水沾到滚轮及输送装置、保持压膜机的清洁。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(3)中的能量尺设置在11格。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(4)中的所述断点为65%。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(5)中蚀刻的均匀性大于95%。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(￡1)中将密集线路两最侧边的独立线往外侧补偿至40微米。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(6)中将密集线路引线拐角整体加大10微米。 在本专利技术一个较佳实施例中，步骤((0中将独立线细的线宽补偿至50微米。 本专利技术的有益效果是:本专利技术用于30微米精细线路的制作工艺具有设计新颖、精细制作、生产效率稳定、合格率高等优点，在用于30微米精细线路的制作工艺的普及上有着广泛的市场前景。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中:图1是一种本专利技术用于30微米精细线路的制作工艺的流程示意图。 【具体实施方式】 下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。 请参阅图1，本专利技术实施例包括:一种用于30微米精细线路的制作工艺，包括以下步骤:(1 )前处理:选用的薄铜箔作为制作30110线宽的线距板，可以有效的降低蚀刻凹槽的深度，同时也降低水池效应，选取黑胶片菲林或者玻璃菲林，并选用厚度为12-18微米的干膜；30110精细线路的制作，据我司蚀刻精细线路的经验，铜箔越薄越有利于精细线路的制作，选用超薄铜可以有效的降低蚀刻凹槽的深度，同时也降低水池效应，所以选用9皿的薄铜箔制作30110的线宽线距板；开发测试使用的菲林是普通柯达黑色胶片，后期会根据量产需求使用玻璃菲林，玻璃菲林的漏光率、折射率、光晕等线路效果上都会有优于黑胶片菲林；干膜的厚度也决定了蚀刻凹槽的深度，同时从解析度的考虑也是需要将干膜选择较薄符合解析30110/30110线宽/线距，但是因为干膜的厚薄同样决定附着力的大小，所以不能一味追求干膜的薄，所以选用1511111和2011111的5X915和5X920先期对干膜的做解析度对比测试，结果表明1511111的干膜优于2011111的干膜；(2)压膜:使用湿压机进行压膜处理，水置换附着于铜面粗糙空间内的空气、塑化高分子光阻表面、与高分子光阻互溶，形成高分子的混合物，控制温度为90-981、压力为4-51?、速率为 1-1.5111/111111、水压为 0.5-1.01?、水流量为 40-60(^/111111 ；(3)曝光:采用平行曝光机进行曝光，设置曝光参数为30000“、能量尺设置在9-11 格；(4)显影:良好铜面的粗糙度及干膜对能量的控制带来较好的干膜附着力及显影的解析效果，控制速率为3.5111/111111、断点为40-70%进行显影； (5)蚀刻:控制蚀刻断点大于85%、蚀刻因子为4-6、保持整个线宽蚀刻的速率一致，通过计算及实验来寻找最佳蚀刻均匀性:提高蚀刻上下喷淋的蚀刻均匀性，整个线宽蚀刻的速率一致，保持蚀刻铜厚平均，将蚀刻的均匀性控制在95%以上；(6)蚀刻补偿:(^)针对密集线路两最侧边的独立线，将该线路单边往外侧补偿至大于35微米，(^)针对密集线路引线拐角处，整体加大拐角处线宽至少5微米，(0)针对独立线细，将线宽补偿至大于35微米。 优选地，步骤(1)中的所述干膜的厚度为15微米。 优选地，步骤(2)中的压膜条件为温度为951、压力为4.2匕、速率为1.20/-1水压为0.71?、水流量为50(^/111111。 优选地，步骤(2)中采用纯净水，用以去除氯离子影响、保持水管清洁、避免水垢的产生、避免水沾到滚轮及输送装置、保持压膜机的清洁。 优选地，步骤(3)中的能量尺设置在11格。 优选地，步骤(4)中的所述断点为65%。 优选地，步骤(5)中蚀刻的均匀性大于95%。 优选地，步骤匕)中将密集线路两最侧边的独立线往外侧补偿至40微米。 优选地，步骤(6)中将密集线路引线拐角整体加大10微米。 优选地，步骤(0)中将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于30微米精细线路的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）前处理：选用9um的薄铜箔作为制作30um线宽的线距板，可以有效的降低蚀刻凹槽的深度，同时也降低水池效应，选取黑胶片菲林或者玻璃菲林，并选用厚度为12‑18微米的干膜；（2）压膜：使用湿压机进行压膜处理，水置换附着于铜面粗糙空间内的空气、塑化高分子光阻表面、与高分子光阻互溶，形成高分子的混合物，控制温度为90‑98℃、压力为4‑5kg、速率为1‑1.5m/min、水压为0.5‑1.0kg、水流量为40‑60cc/min；（3）曝光：采用平行曝光机进行曝光，设置曝光参数为30000mJ、能量尺设置在9‑11格；（4）显影：控制速率为3.5m/min、断点为40‑70%进行显影；（5）蚀刻：控制蚀刻断点大于85%、蚀刻因子为4‑6、保持整个线宽蚀刻的速率一致；（6）蚀刻补偿：（a）针对密集线路两最侧边的独立线，将该线路单边往外侧补偿至大于35微米，（b）针对密集线路引线拐角处，整体加大拐角处线宽至少5微米，（c）针对独立线细，将线宽补偿至大于35微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁云飞，
申请(专利权)人：苏州福莱盈电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32